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[問題求助] 請教nmos in nwell的問題

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1#
發表於 2007-11-16 11:08:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變6 n) Y/ p  D8 U  \. l# V
電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程,
7 P7 ]$ R+ n7 d. R* j  o( `9 Z: anetlist file中那個model name是用 n表示,這model name5 [; R8 d4 ]( ^& r% u
是否有問題.  C8 {6 G* ?6 t% i7 l: d( k( \
ps. 1  error report是  0 h: j: T. z, N3 Q* a, M0 U+ h
******************************************************************************" O+ f& U- Y* l3 C, S0 k) O2 l
                                 INCORRECT INSTANCES
+ X/ ?' G; D+ x. j
  A1 |0 @  Y" ]! p0 jDISC#  LAYOUT NAME                                           ne  SOURCE NAME
$ U% n) ?* X! L) j*******************************************************************************
$ N  q! ~) }9 L# e" c
/ F1 Y2 _# n# X* s' L4 k5 }  1    ** missing instance **                                    MC  MN(N)
9 H0 T# y# ~8 P3 O" m+ [8 {. @- P+ i3 G
只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋
1 S5 L' c+ ^- J2 s; v  S* s* I4 C
& P. G5 F& x$ W* s2 b# [# dps.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,* B" {9 N% ]1 z, h! r! g
     會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
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2#
發表於 2007-11-18 06:14:51 | 只看該作者
從你的PS上猜測9 A" ]4 G1 t3 h0 H  G
應該是device name對不到,檢查看看netlist的device name,如果是就修改LVS command files就好了。
3#
發表於 2007-11-19 09:46:06 | 只看該作者
如此結構不能說是  NMOS  只能說是 Capacitor!!. j, X2 ?1 U2 K8 t  W% [
所以  不能以  NMOS 建圖!!
4#
 樓主| 發表於 2007-11-19 17:34:48 | 只看該作者
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,
! Q9 X: D9 l3 w& y$ E0 _4 R卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.! D: u# M' B0 r" i: Z
所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file9 x/ F  J8 c$ p, t% ]- S: `
不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion9 O3 }4 @$ j% r" `$ c. G6 i
guard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,
8 A9 T* B% P( H" C" Z# [9 G. y" x而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos  X8 V3 N( F) N5 t- k8 r& t8 ?  `; K
的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓
' s& e3 o9 `' i4 y* ~7 ~command去認它.
5#
 樓主| 發表於 2007-11-20 12:01:43 | 只看該作者
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的
9 f: s5 Q& X' k4 `; G東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring
* h* k% m. ~0 @; y. T是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個1 P5 f: `: W2 k/ S( s) D* ~% R: I
東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.
- e, o/ f9 x, Z另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的4 U/ X4 X/ \6 t# c/ j7 v7 Z- @5 D1 k
人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態5 t0 Q7 q) S0 r  r: M+ T
所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
6#
發表於 2007-11-20 15:47:30 | 只看該作者
原則上  這個電容是可以用的!!
2 v1 f' S8 Z; e  q3 Q6 }% U加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!
" B0 b7 ]6 j' Z4 k$ m; ]這個電容有許多人用過!!/ C4 L6 V8 C  i8 A6 m+ `
早期沒有 Double poly 電容的時候!!  有相當多的人在用!!
7#
 樓主| 發表於 2007-11-21 10:33:05 | 只看該作者
基本上command flie的描述是這樣  L* h/ h7 g. S, r+ Y0 H$ l
* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY& `- G/ Q0 ^' ~+ `) T
nmoscap        1.8V NMOS Varactor      (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1)
4 I$ M' c5 q- Q  D這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用8 J5 _. m) g; d; d
"nmoscap",這樣是否可以.
" k; z$ |+ I/ E' n9 T; k+ X我在netlist file上這樣描述,3 V! _  K4 B. i
XMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=1
: z1 f! n& _) f6 v. M0 b然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式
9 j( {1 ~3 K$ r' C這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
8#
 樓主| 發表於 2007-11-22 14:00:20 | 只看該作者
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決" T/ S- }5 R' B* t) E
這個問題.
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