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[問題求助] VOLTAGE REFERENCES

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1#
發表於 2007-11-8 17:30:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問一下, b  x" J, q8 ]7 b$ O$ T
在VOLTAGE REFERENCES使用 運算放大器+電晶體來做: `- w! ?# S" X2 j0 i
運算放大器就使用Folded cascode op( o0 Q, A* q, [& O
- F( G$ \6 }9 c* ^8 W' j. C2 N, F# M
我的問題是 要如何調整所要的VOLTAGE REFERENCES大小?, ~3 C, s1 S* H- j4 R3 D

- a2 O8 @0 E% M$ W# H還有就是如何在標準 CMOS製程中實現BJT?
0 @7 S0 N! @9 w
4 N% ^* |9 Y7 I另外想再問一下1 }1 \% ]  Z( E: g4 k* `
HSPICE中  有五種Corner(TT、FF、FS、SS、SF)6 r4 {/ Y- }4 L1 L. }1 U3 G  Q
請問這幾種有什麼差別呢
2 Y8 L- p: Y/ L% a% l& h小聲問(ppm是什麼的單位), S5 m: H0 u" j4 Y* X5 R
謝謝各位了
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2#
發表於 2007-11-9 11:15:51 | 只看該作者
A CMOS bandgap reference circuit with sub-1-V operation
  y! F  q  @2 e/ C/ P1999 JSCC
) q' U# w. w7 g, F! B( ^看一下這篇論文吧
3#
發表於 2007-11-14 16:39:36 | 只看該作者
VBG(1.25V)+Voltage Buffer(OP+回授電阻分壓)就可以調出你要的電壓了
* h1 b- n+ A7 f1 B  f
% b! I+ N' {  L- A! X; LPPM是指百萬分之一: t4 [/ Q9 N4 b& p+ j# H; u2 V( C
: b, v5 o1 A; u* N
TT FF FS SS SF 是說PMOS跟NMOS是快的還是慢的 F是快 S是慢 T是Typical
1 p0 d8 f& J! F) |5 J9 H' V快跟慢主要是因為製程的變異造成Vth不同 Vth越小 MOS速度越快% i; W1 I$ o* y5 S$ A
一般設計電路這些corner都會模擬一遍 以保證電路在製程變異下 還是可以運作
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