美光公司推出業界密度最高的DDR3晶片和模組

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新推出的2Gb晶片最高可支援16GB伺服器記憶體模組和4GB臺式機及筆記本電腦記憶體模組

美國商業資訊2007年10月30日艾奧瓦州博伊西消息-- 美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.，紐約證券交易所：MU）在其DRAM技術創新成果的基礎上，今天宣佈推出業界首款2吉位元組（Gb）雙數據率（DDR）3晶片。美光公司最新推出的這款DRAM創新產品是市場上密度最高的DDR3晶片。

9 A+ h  Q- _2 ~; `1 M# v; x) {& A& m* N9 E利用2Gb晶片，美光公司可實現用於伺服器的8吉位元組（GB）和16GB模組，還可實現用於臺式機和筆記本電腦的4GB模組。這些模組的密度達到業界現有DDR3模組的最高水準。如今的作業系統要佔用大量記憶體，而記憶體密度的增加最有利於這些作業系統的優化。美光公司目前推出基於2Gb DDR3晶片的模組試用產品，用於伺服器、臺式機和筆記本電腦。該產品計畫於2008年第一季度正式上市，投入商用。
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/ ^7 R+ |  N; B+ m6 [IDC公司計算、組網和存儲半導體市場計畫總監Shane Rau說，“當今的新型作業系統之中設計了密集的圖形特色功能，這就需要在優化水準下運行更多的記憶體。據IDC公司預計，到2008年第四季度，臺式機平均會容納近2.1GB的DRAM，可擕式電腦平均容納1.8GB的DRAM，x86伺服器平均容納11.2GB以上的DRAM。”
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& H$ p6 ~8 I1 _/ E4 w* S採用美光公司的78納米（nm）2Gb DDR3記憶體技術，速度最高可達每秒1333兆比特（Mbps），系統和圖形的性能都會改善，能為用戶帶來互動性更強的使用體驗。例如，在最高性能水準運行時，一秒左右的時間內，DDR3就可以傳輸一個100000頁的檔。美光的2Gb DDR3的電源電壓從1.8伏降低到1.5伏，因此，與DDR2技術相比，其記憶體功耗減少了20%-30%。減少模組上部件的數量，記憶體功耗也會進一步降低，根據模組的尺寸規格不同，大約可以減少40%-50%的功耗。記憶體功耗降低後，資料中心伺服器系統的冷卻成本減少了，筆記本電腦的電池壽命也得以延長。
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4 ~6 y* h- {9 t/ u& }- f  G7 |美光公司記憶體事業部副總裁Brian Shirley說，“我們去年推出1Gb DDR3晶片，一時引領市場潮流，今年我們新推出了2Gb 晶片，再次走到市場前沿。功耗一直是技術行業關注的首要問題，在這種情況下，美光公司在記憶體節能運動中保持領先地位。重要的是，我們要讓客戶知道，他們有機會降低記憶體功耗。除了DDR3核心電壓降低之外，採用我們新推出的2Gb晶片，客戶在模組上就可以使用更少的晶片，從而降低整體系統的記憶體功耗。”

關於美光公司
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% w& r, B  |. `0 d& F$ c8 J) v美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導體解決方案的全球領先供應商之一。通過全球化的運營，美光公司製造並向市場推出DRAM、NAND快閃記憶體、CMOS圖像感測器、其他半導體元件以及記憶體模組，用於前沿計算、消費品、網路和移動便攜產品。美光公司普通股代碼為MU，在紐約證券交易所交易（NYSE）。如需瞭解美光科技有限公司的詳細情況，請訪問： www.micron.com 。