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[問題求助] 有關於hi V製程

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1#
發表於 2007-11-1 01:31:32 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位學長姐好! G' O7 U+ c  v# [& {
/ ~; Z3 R, s9 E- ]
在最近剛要踏入IC Layout 的工作,但公司屬於高壓製程,所畫的圖百分之八十也是屬於analog,但是我上的課程裡是屬於較基本,製程" m; v1 V) h7 U/ B

$ `( |4 S$ `. y" ~. r) C也是0.18,公司屬於0.6。在沒有接觸過的情形下想要先在版上先問問各位學長姐們,有沒有一些我在畫大電壓的的同時我需注意的一些地方,
, D1 j" m6 p& |7 _" b) k" t7 x3 T( ~, Z8 e: \9 D2 t+ {! D
在工作時拖累一個團隊是我最不喜歡的工作態度,所以真的要麻煩各位學長姐了,先給個方向,讓我可以先準備,投入職場時先有個準備( |! \& {% q7 Z! B" {
+ r; P: Y  e/ F" I& S
還有一個就是屬於guard ring的部份,guard ring到底是防止Latch up 還是阻絕Noise 還有板上有沒有人畫過三層guard ring的,可以. R' j# a' n. u  L

( y" j+ l) p, V" R' G說明一下三層guard ring大概的圖層嗎
, {* U4 i. m0 F% R, _
4 v. q& B% y7 p' u( }" O謝謝各位學長姐了
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2#
發表於 2007-11-1 10:01:44 | 只看該作者
我建議先把Design rule看熟,其實裡面就有許多小問題,在提出來詢問會比較有效率
* R6 C- g+ S& r1 N+ A/ z- `1 K  Y; M
guard ring 是阻絕Noise * x! k  @0 }2 I2 j5 }
+ {0 g2 A* S1 |' l8 ~
一般2層就很多了,3層你可以跟Designer討論,一般Analog部分是要跟Designer互相討論才知道需求在哪
3#
發表於 2007-11-1 14:16:56 | 只看該作者
關於guard ring,應該是防latch up跟抗雜訊都有,我聽過2個designer說法9 c; d- o& J1 P
一個的說法是,由於mos在動作時會有一些電子電洞之類的東西,游離出來
5 }/ s$ H' ^6 @1 \- w$ D,包guard ring的目的,就是以相反的型態去吸收那些電子電洞,
, ]+ U4 f$ z' a( l2 y0 X4 _一個說法是mos跟guard ring的架構,會形成一些pn介面,變成類似diode或
/ G# y- K; @+ n  t6 X9 _bjt的元件,不過它的等效電路圖,我不太會畫.
. N& i- E; n/ E! ]' A% \以上是2個designer的說法,如果有誤,還請先進指教.
4#
發表於 2007-11-1 21:06:09 | 只看該作者
这两个作用都有,
" S1 N  S7 Z, [9 c1 p4 c那个图我也不知道要用什么话,不过拉扎维的那本analog design 上好像有讲,
2 K# x, [/ u3 x$ [( }5 i4 m7 d0 z楼主如果很想知道,可以看看那本书
5#
 樓主| 發表於 2007-11-2 00:03:58 | 只看該作者
謝謝學長的回應囉,不過我也是在等工作時拿到Design Rule 拿到在來看看自己是否有什麼問題
6#
發表於 2007-11-2 10:10:14 | 只看該作者
高壓要注意NBL這個LAYER,有ISO_NMOS要特別注意畫法,1 o" U/ U6 t- [- H  l
高壓的NMOS以及低壓NMOS各有不同,06U12V嗎?建議你可
, \9 ]. R" g% ^: i  [以調你們公司以前出過相同製程的案子來做參考,這樣就不會
; V% m9 v$ u2 v那麼有疑慮了,DOUBLE GUARDRING就夠了。
3 C0 j3 z  s+ o& e+ f, j忘了說,若是非對稱的高壓DEVICE要注意製程偏移問題。
7#
 樓主| 發表於 2007-11-3 00:10:45 | 只看該作者
HI v製程有沒有可以邊畫邊學的電路,一直有人說畫OP會遇到很多的問題# w3 n. ?- B: s8 o$ l9 ?
5 v, w4 J; t, N3 A- y( r
可以在問題中學習,但是HI V 是不是也是一樣畫畫OP哩,還是有其他的電路1 y, N& L- v8 c; d  S6 @! e

+ x1 t6 k/ D5 ]  j' Y/ q* u可以邊做邊學。: M1 a0 i2 k; X8 L
" I. w0 `  S& K8 r$ X5 X/ H
謝謝學長的幫助
8#
發表於 2007-11-3 07:07:46 | 只看該作者
analog circuit不是只有OP喔,廣義而言只要是信號連續時間(非digital)的變化,就算是analog的一種。
8 s0 M! N" s/ S9 V. y" W
: b. Q- v2 `& k2 u8 C( Z8 I至於high voltage是指device(如 Capacitor、Diode、NMOS、PMON.....)為high volage製成,非只是有OP circuit。
9#
發表於 2007-11-5 19:41:14 | 只看該作者
latch up會造成等效於SCR,guard ring這些作用都有,但是是不太一樣的東西,也要製程有提供那麼多層。, K, S" q! F: g6 c) f. b
0 Q  z9 {$ F$ s% c9 O: K
mos動作的時候產生少數電子電洞這算是少數載子也就是漏電流吧?不知道是否高壓的雜訊與普通類比的相同,低頻雜訊我所知道的除了white noise以外,flick noise主要是由於電子在通道表面那邊產生的東西。圈起來主要是怕被其他地方影響到,對於該區域而言其他地方來的不明訊號就是雜訊吧?不過畫多層點至少可以防止電壓去擊穿跑到別地方去。
/ i8 R* H3 X) z8 W. W, |
2 x, s+ b: `+ [3 j[ 本帖最後由 ianme 於 2007-11-5 07:45 PM 編輯 ]
10#
發表於 2008-3-27 15:05:20 | 只看該作者
guard ring 通常用來隔絕noise ,但是如果使用在一個mos上做guard ring 又當sub點的話又可達到防止latch up4 E# B8 i7 `' o& \9 z6 Q; t/ V/ N/ ~
要看layout 時運用了,但是用太多又會佔很多面積哦,這是要考量的
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