how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.
$ G! r/ L3 O9 C0 R

& r4 w* o5 ?# j% Gin the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?

thx
; m- b* u) U, }6 {4 p
[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
7 s; u/ E9 k* z2 ?如果要用精準的話那建議採取poly電阻

- e7 r" r# a/ ?8 f* L以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  

參考看看囉~~

laurence

What do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
GCNMOS not look like your picture circuit...
& V7 `1 q% R- q* k- ?  IGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Normally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.

For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...

BTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
+ G: R& Q% L2 X; j3 w9 yDoes GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
! b# y5 Q' w4 @We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
4 ?3 ~, V, Y' K" n- lAny idea to exchange?

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
大面積的話  GCNMOS 比較好
! b/ q' `* U7 {3 y但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.

是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
3 @- u7 M* ^) p# p$ e* P: d! o那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.

是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
# i/ b9 @+ I/ L1 i那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

5 c$ P: |! Q" _2 B* }8 r7 |6 j
$ _4 }/ y7 M4 ~是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
What do you want to know???
' _3 o9 z" o: y1 X8 ]8 vGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
( t7 c6 U# G# o5 c( e1 EGCNMOS not look like your picture circuit...
% l$ Q, G+ X, S1 {GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
0 ]! E' n, R: A; C/ @, MNor ...

8 V8 P  c  |- t( K, k' c$ t' b
" B& V' B. ~& W3 F. h不知道你使用的是什么工艺？
& i7 o* H* N& k, d! U/ w4 A我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？
7 E: `! S& w( s8 j
是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！

7 @# `7 m, Y# R! @/ Y延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！