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[問題求助] latch up

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1#
發表於 2010-10-27 17:11:25 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我想請問各位大大,+ L9 G* c' s8 p/ {! S1 W: E# Q% f% x. A
在LAYOUT時會做哪些技巧來防止latch up發生??
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2#
發表於 2010-10-28 14:19:24 | 只看該作者
關於您提到的問題
5 s9 ?6 X" V5 ?- \6 M板上先進有比較詳盡的解答了9 l" |8 P( {; p: b7 P' ^
參考這篇吧
# P4 {1 _0 P9 G' `! h, o, u9 l希望對您有幫助' A  H' P0 V6 C

$ @4 [% {+ ?# `6 `% D4 ?2 dhttp://bbs.innoing.com/frame.php ... 6extra%3Dpage%253D1
3#
發表於 2010-12-22 09:14:44 | 只看該作者
權限不夠看不到% k; p$ a# k0 @6 d/ W( {$ v
來鑽積分
4#
發表於 2011-1-18 19:16:13 | 只看該作者
權限不夠看不到
1 ^2 n* W* [  _& D來鑽積分
5#
發表於 2011-1-26 13:38:20 | 只看該作者
最簡單的方法是多打一些 ' T0 [$ j# T) _8 B4 Z' p
body contact  將低阻止& L1 [0 e, h- r* w0 k- e
來防止 latch up
6#
發表於 2011-1-27 11:19:51 | 只看該作者
多打一些contact,或者讓mos vcc跟mos vss的contact離遠一點,不要靠太近。
7#
發表於 2011-2-21 17:25:49 | 只看該作者
防 latch-up最有效的方法当然是拉开P/N mos管的距离,这个是要面积来换的。8 v: }- O1 C2 l, \& [0 F
如果你比较care面积,可以把souce段的contact往后拉,尽量使VDD与VSS的距离大一些!
8#
發表於 2011-4-1 14:19:18 | 只看該作者
DRC 的檢查都有 latchup 的項目. Pad 的部分應減少 Rwell & Rsub 阻值.
9#
發表於 2011-4-19 10:14:08 | 只看該作者
簡單來說加RING
8 @+ W1 r, q7 p) O+ k; f2 }7 Y不要造成PNPN結構,若有將距離拉開
10#
發表於 2011-5-12 11:51:38 | 只看該作者
權限不夠看不到 : t1 J9 V4 r1 o# i6 J6 l. u+ Y2 a
來鑽積分
11#
發表於 2011-5-12 14:19:27 | 只看該作者
嗯嗯...我知道的各位前輩都有說到喔....
12#
發表於 2011-5-19 15:23:12 | 只看該作者
權限不夠看不到...希望有人能分享!謝謝!!
13#
發表於 2011-5-23 16:34:39 | 只看該作者
多加地,P/NMOS间距拉大
14#
發表於 2011-5-27 17:18:46 | 只看該作者
权限不够7 m  E. }( z5 U  f1 a& W6 b
您的帖子長度不符合要求
15#
發表於 2011-6-1 19:58:19 | 只看該作者
把CMOS操作於低溫中,溫度降低BIOPLAR元件之電流增曾變小,使NPN及PNPBIOPLAR元件之電流增益乘積不易達到1。----這是我的解法之一。
16#
發表於 2011-6-2 16:05:56 | 只看該作者
我怎么又看不了.........
17#
發表於 2011-6-5 20:41:56 | 只看該作者
我也想看,可惜,權限不夠,不知道,我只好加油一點了哦,謝謝哦
18#
發表於 2011-6-7 19:38:28 | 只看該作者
動真格認真的說,產生latch up並單只有在ic layout,製程或rd設計的電路也可能latch up的狀況產生,
19#
發表於 2011-6-8 09:55:02 | 只看該作者
權限不夠看不到
, [; ~1 |6 ?( ]0 V9 y( s4 X) Y..............
20#
發表於 2011-6-22 04:45:49 | 只看該作者
權限不夠看不到 !
* l& V+ h6 b0 m1 A% L5 c來鑽積分
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