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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎
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[問題求助] 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎

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samgu
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1#
發表於 2010-5-17 10:19:20 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我的layout工作，主要就是在畫POWERMOS
/ X" U0 m. A+ T5 o8 s& X工作這幾年間嘗試很多做法，但是一直無法找到
6 V% X( t7 H' u9 M8 A) l一個最佳的layout,也可能因為我迷失了，希望可以透過大家的經驗，
9 `; x( G2 b) J2 ^, ^) x激盪出一些新的想法，請大家賜教，謝謝3 \- P3 P; N& k2 P5 y/ e6 R
& K* }1 `; O) |2 t
簡單說一下我的心得，& d6 V4 [" Z' P9 P0 f
1.若用MIN的RULE來畫MOS，相同的面積可以得到最大的width，最佳的Ron，最大的電流
! H+ l1 x: S: U' L  s   但是必須承受ESD是否會對MOS造成破壞，因為DCG為 MIN RULE
+ j/ |& {2 N$ U2 Y2.若為了兼顧ESD則會浪費面積，犧牲Ron* l7 z* Q. e( ?) g4 P4 ~; t2 u
3.若要兩者兼顧，面臨的問題則是 1.ESD rule 要放多大，2.butting contact and source contact 不足
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pph_cq
2#
發表於 2010-5-17 10:33:12 | 只看該作者
我们一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly是0.4，我们可能会取1，如果觉得太浪费面积，可以用bent gate或waffle结构节省面积。
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shangyi
3#
發表於 2010-5-18 01:20:31 | 只看該作者
看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法) k+ L: a9 B) Z- K# k- H

- ?7 }3 g  W+ E( l$ k( F那種比較好... 我也不清楚哩!
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腳踏
4#
發表於 2010-5-18 10:29:04 | 只看該作者
看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法2 D% N+ |) \4 I" h. K! `

" |1 Z* H" i) t' ?8 _那種比較好... 我也不清楚哩!
. [% f* y- G2 |2 W9 t% `+ @3 a9 Cshangyi 發表於 2010-5-18 01:20 AM

+ c; g% a2 \8 X, A. ?! t& U5 ~* t# l4 V

$ ~% v! _: Q" y2 v/ e) f6 `  k    我也想知道那一個比較好5 v- V3 M( T5 A6 s! s# M$ m& ^
   有人知道嗎
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shmiyi
5#
發表於 2010-5-18 13:52:57 | 只看該作者
要從製程上研究MOS的變化~~
! c0 R8 j. e+ i# t) D5 l相同製程不家的MOS的參數變化不一~8 g( L4 I% l" [5 d3 t0 R6 T
即代表I-V CURRENT
& c3 _8 n) }) ~) S! }, {所以我覺得好像不是看畫法7 o3 G, Y3 I! l% `
要從看MOS的特性去研究~~
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6#
發表於 2010-5-19 14:15:49 | 只看該作者
感謝你們的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
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yuany
7#
發表於 2010-6-9 01:23:25 | 只看該作者
学习一下～～～~~~~( L8 }1 s+ D7 X' ?

  O1 E, H# {* v呵呵
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8#
發表於 2010-8-7 09:10:44 | 只看該作者
Nmos放两列cont比较好，Pmos单列就ok啊，如果W比较小还可以另外做ESD
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9#
發表於 2010-8-9 10:20:23 | 只看該作者
回復 8# junxingyu
0 g3 e$ R6 J. r/ P( A- o( z( ?2 Z, Y) ]" y
這個說法倒是不了解！請問是經驗嗎？
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10#
發表於 2010-8-9 10:21:34 | 只看該作者
其實最有效（area最小）的是waffle, 井型, 六角形等，但是要process支持，還要留片驗證！
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11#
發表於 2012-3-1 20:27:54 | 只看該作者
感謝分享感謝分享感謝分享感謝分享
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photoss
12#
發表於 2012-4-9 20:27:53 | 只看該作者
最近正在研究powermos的畫法,挺受用的,感謝大大分享
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13#
發表於 2012-4-9 20:54:36 | 只看該作者
finger,井型, 六角形的畫法,再搭配ESD rule以1:4畫法,
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14#
發表於 2012-4-10 10:35:52 | 只看該作者
各位的这些方法请问有图片作参考吗？？没花过POWERMOS的表示很无奈啊= =
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photoss
15#
發表於 2012-4-10 17:17:21 | 只看該作者
现在急寻power mos画法现在急寻power mos画法
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930709
16#
發表於 2012-5-12 21:40:35 | 只看該作者
看是面積還是效能阿!!" P2 h* @& x# t! ~& [" P! |  w! x
可以給我一些不同的意見嗎?
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17#
發表於 2012-8-28 22:57:30 | 只看該作者
正學習POWERMOS的畫法，感謝分享！
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alex13
18#
發表於 2013-2-13 10:44:30 | 只看該作者
回復 10# semico_ljj " ?3 s$ i3 t, l8 D1 [; _4 S7 ~

+ l" Z: ?: x: L* o0 C
8 X. Z6 _$ p4 E; Q  K" @    小弟問一個蠢問題，Area最小是指Ron相同的前提下嗎?6 j  \" f5 r0 C1 `9 N+ D/ }
感謝先進不吝指點，多謝!
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19#
發表於 2013-3-5 15:17:46 | 只看該作者
看不懂。我想只是PowerMos應該考慮的是散熱及最大電流吧。最大電流與線寬直接相關，散熱與面積直接相關，應該都有規格表可以参考吧。
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20#
發表於 2013-3-21 22:52:54 | 只看該作者
一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly
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