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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
& Q7 G. U* {/ y. V3 e" K" R$ @6 u8 R9 A
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
5 k5 Q, J( y6 h. W$ {+ F( Z大部分是要match3 M3 z9 o6 o4 q4 M! x- L" y" W
Metal poly  density  不夠
2 U3 @$ u, J) n$ ^# z加ㄉ那些也較 DUMMY ! F: h# x: }4 b9 o
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
: _6 q- ~. ]6 u' P9 w: D3 \$ U/ @- l$ A: B4 T
" A2 @/ l0 x0 u
    感謝樓上的大大7 W! d& r6 c0 Y( y( Q; t
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 . E0 X: o, B. Z. V9 R0 \
7 q7 U, d6 G' U! ?

0 k: Y. v% [# A    感謝您回覆的這麼的詳細
' ]7 x) g0 r1 q5 e0 x2 g; y+ \您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
  ?2 D2 ]1 G4 K: g+ P: N. h  j! h( ~! w: i
不過簡單來說
# i. C* j5 n2 X9 z4 V在製程時食刻會破壞掉你的元件
2 |% h6 w4 G/ U! f' C1 ^" {: C而特性就被損壞0 _, g2 u  E  C5 X3 I& P% u

2 m. q) S- W: X  O' O, j- x% h若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
) }, B) @9 E" Y% ?/ {  c所以蝕刻吃他最多
& L3 p- N" x1 h( s. p% ]主要部份特性就不會被破壞/ V4 e0 `( p% m+ W8 F2 ~5 u
% }; h$ ]1 q5 j/ y$ d8 }# p" E. u
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
% G- S1 {- L3 N" F" \所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
& y+ c" \" m3 n* E+ [2 @" J5 M$ `3 N: p
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加/ g$ A4 L" J' e2 {0 P& a/ V: _+ I
還有電容也要加
/ P0 g0 p6 A8 {1 W1 S  d" O若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!) t6 B6 f7 {  c4 I/ X# M

6 e: F1 g  u  z) c& x4 Z. f% Yand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
& B) }& E) a9 H, t! Rvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
9 ^2 i( B/ [& S( z0 U& u: `9 s

! E+ b3 y, ]9 o: }3 a: T, w0 e3 m8 A% }# R
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??, }, Z2 m9 E. j' ?% z

# w1 ^0 y8 W, y  G, \如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??- u/ e9 x# f( [$ M* N( I" r
6 N3 @% c" ?# Y/ n
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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