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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias4 y# J* v' Y% T6 w# M  W/ V- W

4 P9 ^3 m  }, g' A3 Apoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密; ]5 _& z- q" ]- s0 T
大部分是要match
1 m+ v5 ?# l2 j% Q2 V6 wMetal poly  density  不夠
- r- X2 h, n5 W/ v* e3 G2 Z% Q* V加ㄉ那些也較 DUMMY : B* P8 D7 i! a' x& V. V
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat : {) @8 W0 s3 E2 N- m" x# i' C
' c7 K+ n& B, c) J( `' L, ?

/ ?1 v7 o8 A0 x4 x    感謝樓上的大大% E6 W9 J. d/ D/ |
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 9 z7 i' S0 y- Q% A# i2 b* W
# m: Z) t: E0 @  Y) @
6 e. _7 D9 u* x
    感謝您回覆的這麼的詳細
" |& z+ a$ A! x; ]& T! G9 G! Z) ]您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
9 v: A: m0 I+ h
% ^0 x5 {% t2 p' X& G3 ~不過簡單來說
  t0 a% V1 g! z6 Y) z% W2 `: c在製程時食刻會破壞掉你的元件# \- ]- c& U. m/ b. }  O4 V  W
而特性就被損壞
: u6 @# q) v: U$ b3 ], t
, c; P4 h+ t! s3 h2 Q- O5 _3 ~若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
7 z5 I: O  s" {. R& X所以蝕刻吃他最多
1 W2 b4 ]7 [+ O3 N( _+ P& J主要部份特性就不會被破壞, F6 D3 f  a* i% @" X

3 O6 o8 q8 z, x2 `; |& L4 W: \很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
$ X) p( d! C0 w: R所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
  R# R( e! _( S$ _; \
# i- w- n+ \6 i, c! C又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
* ~+ L' o) N& f7 h! K& \+ d6 {還有電容也要加
! |, r) e& [) U# g, R- z( z若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!+ N# ?* C4 r. b& A2 z

) ~7 n( ?2 K9 J4 ]and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...# z; \) f! E5 Y6 U2 @
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
6 X2 w/ I9 A- @
' q% H5 j2 }. h+ N8 n

. E: U( T5 b; s2 o    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??+ @* q3 \+ e6 g. ?5 x8 ?4 _
, M; L# U9 y3 T# l6 \
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??" C- b; t5 D  |7 |; B
; s  r0 u. O$ n
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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