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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
1 ?9 x' N8 \( r) ?5 E
2 |# v$ m% n4 H8 u: A) A) N/ w& ipoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
6 f. K/ Y1 X  W- D大部分是要match) p% q8 W3 a' C  i+ f/ Z: }
Metal poly  density  不夠
  C( }/ w% y- b5 L5 o加ㄉ那些也較 DUMMY % u- M) k! l, m9 z
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ! _# ^1 F0 l/ Q" e  G( e; t2 ^$ s

4 W$ e9 {- G  R% ?- Z+ q
& T. O+ p- v& e) `    感謝樓上的大大
) F( G0 J1 @5 B+ l1 H1 u) g! i' W   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 . }% m9 ~% w4 O, K. Y4 u) i

+ }: U% L( p" D" Y+ s0 O& P# R2 l$ s: i/ a+ |* p" Y& y% t. O* D( n
    感謝您回覆的這麼的詳細
# i+ u9 ?7 a1 E6 R, d您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
2 W; P% F( ]. _! `
" m: Q+ P1 o5 r( W* b' ~( H: v& y不過簡單來說& T. s" D2 _. W/ P' W( D# L6 s2 ]
在製程時食刻會破壞掉你的元件
) ?  h3 W+ x' `; ~4 I0 W2 X而特性就被損壞! g9 r- {. q& `5 d% A0 z

9 _# |; |7 }$ B, n若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
2 I" }4 P4 f3 R& p2 P+ c, H; u所以蝕刻吃他最多# ]$ d) Y1 V7 l' Z' s
主要部份特性就不會被破壞
% C+ ^3 f" E  }2 L3 H0 ^& U+ ?+ \; x2 z# R7 T, B% a, W
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>" M3 o1 p9 V' C$ S$ p' g1 f7 R' O
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
' E: S/ q, ~5 U" D4 p) H" X6 w
' t# m1 A/ Z8 D7 @又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
% \' e3 f; j- F; c/ M0 Q2 C還有電容也要加+ }; r) o0 m/ W5 R' ~
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!5 }( F) w% P' l% r. b
" T8 x- L! f9 f6 N
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .../ W" f% r5 R: t" h; @8 b! c
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
$ ~" ~7 N; N- D! x8 i4 ?
8 u  ]; S, ]! ~/ r

, [* \, `9 P7 c1 T    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??0 p1 g9 M$ ^  u
& B1 _8 ~6 k  q/ u+ `: ^7 f
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
! L) \( d# I3 p3 c) `+ @" N( t0 f  S7 ^& \
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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