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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
/ H# D: z- S2 w( J# A/ G
0 U& }+ v$ b% \4 C: \" cpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
3 g- e( C6 Q  [9 d8 l, z0 g) s; o大部分是要match
7 S  h4 g& Y4 s, W$ \2 P9 kMetal poly  density  不夠
% |$ w& \$ d( b* u$ l% e1 C- A加ㄉ那些也較 DUMMY   I4 |, w8 H4 \8 v$ W- X% A) X
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat $ ]( Q8 [; l' I' z! i% h2 J

4 ~% C2 g; j& Y/ d. ]1 s
5 j0 k5 m8 P. `- ~2 |& o% d8 S    感謝樓上的大大
- L& y0 M6 t2 C; [   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 : d% k7 C: J( ?/ }; z0 s9 ]3 @( S4 H
$ h% e; `  Y5 O6 d" R% |
  F2 K3 y5 O- g8 j9 a5 W  n7 v
    感謝您回覆的這麼的詳細
# w' R/ ], Z! Z5 q( M2 U  X您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
- ]+ x1 U( I! V, L
2 Z3 ?% ?: u( r8 _0 ]: ~不過簡單來說
' a$ G/ y$ o+ m& X3 a在製程時食刻會破壞掉你的元件: u* E4 D1 L2 o/ b& k' O0 `
而特性就被損壞" f, g3 X. i6 i+ n+ {! ?
3 s9 ~5 X: W( O
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>; x4 \5 `, b: g, b% q, r6 v/ p! Q5 [
所以蝕刻吃他最多0 g" L) F* W8 f( z! ?& {6 `4 q
主要部份特性就不會被破壞9 d0 H+ M8 J) e  Z7 z

1 m1 {4 u, ]: S4 o很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>9 p$ f7 P5 y7 P7 {0 J
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享5 f/ e' E- z  }2 D  f  @

) s1 H2 U/ c/ s又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
2 w4 c# [. t$ E還有電容也要加
3 N/ A5 {- J7 C若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!5 L9 {3 H' S+ @! _) {9 c, q$ M

' E7 w, A5 M/ y' i4 J0 J4 qand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .... |8 E9 h* s/ `5 k1 o( @
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

/ a+ [- H0 l# p( a' F8 X0 o$ ~4 H6 \, ^) A4 ?

; [2 t) e$ O% [) g2 I3 |( P    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
( e- i2 n$ ]2 }' a" H) I& F" @
* m9 ^1 l& J; |7 G, [如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??* X& d" _* P% ]9 b
' p7 P9 h! r  {- l
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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