Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54477|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
0 v- h: Y+ P1 _
9 J  E: x$ C- Q7 M  Tpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
' A7 X1 v, e! H6 I大部分是要match
0 Q0 o6 L+ K& q# V' Q" hMetal poly  density  不夠+ ?) i  G  o! s+ M
加ㄉ那些也較 DUMMY
9 Z4 k3 _2 t+ t- H- j- M把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 1 }3 y( l# I3 S+ p: q
. k9 k5 P$ `3 p, e* A5 Q

4 |* d, ~0 K. P    感謝樓上的大大
# x# q3 [5 D: s/ v# I1 C& P   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 % c2 I1 s) [8 D* h: N

. m! q' Q% j! Z6 ^
7 @5 w- v9 a! `$ W    感謝您回覆的這麼的詳細
6 S% ^8 ]. E7 n. v/ f您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!$ ?9 K" M4 z* d( p/ H9 f

; G  c  p% ?) B" u5 h0 D6 ~- K不過簡單來說
2 n! T7 [4 C  W9 D" K! I1 p! w3 a在製程時食刻會破壞掉你的元件
( O7 p: g6 d- W# o* N, o而特性就被損壞
, i% z0 b: R9 U  ]2 q4 H- x) k. K( d" C7 b5 W: u
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>5 d" I1 {2 N; |9 U. [
所以蝕刻吃他最多
# o2 i+ _" a8 h% R% c7 E; E主要部份特性就不會被破壞
1 ~. C7 D3 K! Z" w8 E! @5 C7 \: P2 T; ~6 X, ]' [% l
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>9 s  q) F6 V7 t" l  e  h( _
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享3 K/ w6 i" n  X7 _9 c

! s: n+ e0 J( Y6 K; u9 {  p又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
7 ?# q+ }8 j- b7 _還有電容也要加
, u/ B2 s) Z! e- L若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!0 Z, Y9 E( K$ v' |* E9 F! A" B
' d7 \1 b- ?; ]  @; F
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...; }, {: O7 \% M3 H8 [) l2 H( o
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 k' V$ t4 u% P" P0 Z1 ?3 a' K; A) D2 s3 T. w) r% S* a  X

( }1 b7 W7 E( d( B6 p    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
/ u9 B: T% ^& J
7 b) _3 ?% b8 p, Z2 T如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??" s8 F! P6 d2 l/ o+ [# v

/ t( k1 `, Z) x/ e! f* [% P數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-5 05:16 PM , Processed in 0.176010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表