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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
- E% Y' U+ ^& x( k, a# P; [3 J: m9 _4 D( B; l
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密% n4 C3 w8 F( |
大部分是要match
  e: g+ e# A  h3 F+ pMetal poly  density  不夠
- K  C% E+ j& Y0 m, l加ㄉ那些也較 DUMMY & Q8 W. S$ O. b0 H
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ) Q" s9 W9 [2 D8 v2 O/ N

5 {; l3 Y; i% B5 u# f3 `) P9 N' o
0 Z7 D5 \- a, ~    感謝樓上的大大# @9 }! T# s8 G' U( n$ J0 A
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 6 ~0 X  h4 j' e8 W3 P8 f
6 j* q6 S' y' B3 w

/ I; a5 X+ n1 e/ b2 s9 r  }# |$ J    感謝您回覆的這麼的詳細' T# f4 x1 c6 O. l
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
# q# j0 n, Y; I3 S) h/ `0 L9 g
/ U, A* }+ y; e% @不過簡單來說$ g$ [/ R5 K5 ~5 h: D5 X3 |
在製程時食刻會破壞掉你的元件: `- F; ?. V5 g) |; H' j" r
而特性就被損壞9 g8 E: g. A5 p/ U* D5 v3 F/ ~

- S4 P" j: J) N% N+ W若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
( x0 p/ \. Y+ H7 {3 \+ V" B所以蝕刻吃他最多
8 d* t6 d, w4 P, @4 X主要部份特性就不會被破壞, f" R+ a0 Z( D8 Y6 m
$ m% F1 j/ ?0 f0 C+ Z. M8 w- c4 Y0 ?
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>7 x* i# b! p7 `$ a7 b
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
+ h% j9 ]& H( v( ^
& \0 b# H) [3 s) D* p% |; @又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加8 o) b" s$ z  c7 v! e
還有電容也要加' V& @( o8 t8 U( h) Y
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!- d+ d% `! f# D8 F' K6 A$ a+ b2 ^
" J$ ^. X3 D. Y# U. d
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...% T( _7 e& w2 ?) l( I4 Y# A6 a) i- ~
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

/ Z! [* }. Z  e4 D- I4 D7 ^3 [0 z" V* c3 L
) H5 m2 h2 I0 Y" ^0 g- B4 S
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
# L5 ^) s$ y. \4 U- f. X0 X" F3 g7 b9 y: n: F$ U# ?8 M) r/ M* ?. }" \( B3 p3 I
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
( O8 X* G! x" N0 o+ O. ]5 `
" v( Y/ q7 b# m8 G1 X, I: A4 p; l2 O* m2 X數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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