Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54825|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
5 i3 d* S" n  `$ ]2 b
* c5 f0 T8 b: @) Cpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密- h" v  ?) i6 k
大部分是要match0 C% G6 g; {2 i0 Z" d
Metal poly  density  不夠
* n/ u; a: b; M3 O加ㄉ那些也較 DUMMY + }2 n: G( e* n: d
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
$ s; q/ `% d) c: y/ F2 o: a! Q; q  }
- D! X0 _1 _3 O8 q: |* k
    感謝樓上的大大
- q7 Z3 M7 y5 P) o8 n   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
- h( Y; O5 i: F, [% B; ?" ?; c! i5 a1 V/ l$ n5 W" w! f7 t0 m

; ]8 V0 b7 B' S+ Z& q8 ]  w* M# d    感謝您回覆的這麼的詳細
- }# E" N, L9 e# w您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
) D6 T! e4 t2 Q1 B( I. `  }% h
# \! G) E4 @5 v# I不過簡單來說
7 }' G7 @& q& a- b- k在製程時食刻會破壞掉你的元件
3 Q* Y# Y: X) }' s' T' q而特性就被損壞
1 k. e+ e5 G8 b
  l8 D0 K" g* g: B若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>7 d+ ]5 j: Y4 X6 M5 M: u( h6 C
所以蝕刻吃他最多: ?; j3 ?9 u2 ]* W' r; V! r: M/ B, p
主要部份特性就不會被破壞% B9 @4 p$ C8 u1 ]2 r1 \7 d" r
; ^% O3 r) S; i  r4 `8 S
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
% F' k! N) R$ b5 Q. K. a" ^( ^所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
6 I7 G! F& Z: s. i/ \% g9 Y5 U8 x5 [. V
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
( R" d  g' \% E* c還有電容也要加
, H8 |* b; a1 J3 x' D若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!9 t$ n% O* ^: m! ^1 ?

5 p5 w8 K  ~" T% gand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
! ^3 ^) L/ s( p0 ?vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
9 Q9 M0 E* r* c
) e: Z' K. Y+ k$ P
  w5 Q; n/ }/ P; o/ S9 j/ m8 p9 B! r
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
- e) D3 w) L3 C& y$ R1 ]7 P7 @- d; o% i
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
, R6 j- W" @, p- |% f% g' Y- l" R; v8 n0 _, `$ m
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-7 06:13 PM , Processed in 0.180010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表