Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 55262|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias0 J  m0 u' w! ?5 A
1 A& v( y  [- Q5 ?+ ]& J- m
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
/ `$ h% N1 y5 P8 n5 ^大部分是要match
1 N9 r: v* Q1 t8 R) O  S8 TMetal poly  density  不夠0 F$ S/ h9 F* K/ ?( m$ l+ C* J! I
加ㄉ那些也較 DUMMY
# y0 j( T; A5 q2 @2 ~8 }把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat + r7 \8 f4 H" {2 J, u

% m5 P9 Z* G, Q1 t. S- N
4 Q' b0 X6 U4 y- W- D    感謝樓上的大大
+ x  x: B: b( x6 Y, w% X   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 5 y, P6 l3 s' P9 q' |  _
5 i$ {4 O6 H0 \' J; _' {
7 H! \: O; b2 u: w& G( v
    感謝您回覆的這麼的詳細. @1 P% L9 c3 F1 `/ T& F
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!1 }  {3 {7 l" L7 `9 @9 G! |! X

; v/ `; c9 Q/ l" F/ g不過簡單來說6 b* F3 O& }2 a* e1 c( y
在製程時食刻會破壞掉你的元件* s1 _  Y* R# N( |) @" H3 G1 w
而特性就被損壞3 v3 M8 \, s" T) h. t/ }

8 I4 t- k+ ?6 F. R; H若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
7 y/ ^/ Q8 F6 N所以蝕刻吃他最多# f. ]1 X4 N! @& a) c" f
主要部份特性就不會被破壞; o3 t/ D; L# _/ h: F6 o* t, j: w
9 ?3 {5 ]9 b# F* k) K
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
1 A2 [! u! M/ X' c所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
! _$ ~5 k0 J' X. ~) A: b% r0 u( b( @9 V9 K3 R
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加, V: o: i! K" i
還有電容也要加9 q) ]5 @( G) p: E
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!' Z! N- f5 Z# t8 Y# J: S
8 {' V( N5 j( R4 }" ^
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...6 Z5 f! T5 F, _) v! F" X; w$ \
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

" f  Y, ?3 g) z3 C
/ f& }3 k4 g6 s# X1 a( o* ~. p, b* v) Z; a
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
3 Q6 m2 N+ i$ ?- G: S
& Q$ M4 f! k/ Y/ g9 y1 ?如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
3 j$ U7 g% ~% J) H+ \+ Q- e
) P: \9 s1 S0 z( G7 H) D0 g數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-10 06:48 AM , Processed in 0.191010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表