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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
1 R6 L& ~, b1 l7 t3 K5 |9 k" [+ j6 g: k2 _& ~# ]8 \" }
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密$ _. O* s/ i( g" Q" O) }6 ]6 l
大部分是要match3 I3 c6 `7 `6 K; p8 h
Metal poly  density  不夠0 f. T9 n! p7 `6 z
加ㄉ那些也較 DUMMY ! R$ r5 K/ G' P9 I) p. D
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 3 z' I8 _' a! `+ I# k( S
0 e# U) ]% T- ^

1 @5 a8 I" e+ w' E9 s' j0 t( Y% S6 O' B    感謝樓上的大大2 X- E+ L# [) F
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 2 Y8 P+ t1 @. a0 V
5 |  \3 v6 T1 z: p* y4 M

5 t9 q3 @4 @3 T' |    感謝您回覆的這麼的詳細7 U6 [' z% `) f( T7 K+ B
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
! X, o9 k7 c; d% C' Q% s, L1 V- W9 T3 w1 y& m
不過簡單來說( O4 Y; Y! V* H; d! X/ D
在製程時食刻會破壞掉你的元件# k0 E9 G9 b, y6 w( x8 y
而特性就被損壞) ]" b% K2 N% X4 o

( s, ^) ~0 o6 X- j1 ?  ?若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
3 e8 c- i' }" C所以蝕刻吃他最多
9 ^" W4 A5 T3 y( \2 R主要部份特性就不會被破壞
( }/ P$ i' P3 Q; V/ d8 H# o; G1 p) U7 C+ H/ I
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
2 z3 Z: b. S! h3 @6 g所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
3 K& `! _7 i; E4 {" h: X0 x& n, ~9 ^# h. W
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" n, f2 O3 x* v2 d9 z2 O8 S% i
還有電容也要加  R2 U" l- x' i) g! n$ C) t
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
, P( \* C# }7 {! M
3 N' D- G6 {" v$ n! O4 Band i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...9 K5 N$ [* ?3 R
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

6 y. {. e- L4 b0 y5 K0 V% m7 [( b( E
3 a& [6 ~8 ]4 I' d% S. a- H
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??/ m9 O% }% g8 y

/ B2 Q2 z: D4 Y4 D. L  Y如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??" v3 i; U# F3 G, I% n

4 U+ u: t4 q% J0 c4 }  K數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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