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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' V! j  ~' \* a/ ~' r7 z2 X( N: M0 s& l7 r8 j. F
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
7 ?7 z2 k6 Y+ J大部分是要match. C+ W; f# x& L; y) |6 |9 s
Metal poly  density  不夠
5 W: c5 N! Y, T+ g; k加ㄉ那些也較 DUMMY
9 ?6 x! a# a- `1 V把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
& _- f; c9 b" b# P' {% j+ ]- R- Y$ f9 h* ]% D) v: L* m5 o
5 g' X+ [4 P6 R# D- j
    感謝樓上的大大7 [2 F5 X1 s" g3 @5 f0 ]# u
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 4 X9 S+ ?9 v& ^3 c9 j% j
" X) ^1 k9 g: d& C
% Q3 F2 @' s% x! z
    感謝您回覆的這麼的詳細7 H! G8 H6 ~5 D3 C, N& X
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!' r7 J, A, V8 b

! U0 V4 w. H$ r8 p不過簡單來說' Z9 C) Q5 O8 @7 {
在製程時食刻會破壞掉你的元件" A3 x. n0 G& y; x
而特性就被損壞
# G8 S! }1 g- d( l5 ]5 j
1 X8 @3 O3 }+ t, v* X若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
( D) J2 f. ~0 ^9 a所以蝕刻吃他最多
) O+ B3 `! i3 g: M! _主要部份特性就不會被破壞0 H! D7 o! G6 o  C2 t

8 p" O; Q7 H) m& L! @3 P" P很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>$ P) R/ E, X+ w+ M
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
. X+ c) r' A9 m0 {' i2 {
: K( }) w4 R( c' G/ k又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
$ J* K* d+ [  y# }! z8 u* F. K還有電容也要加
. \0 g' ]0 c. ?0 X8 Y若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!; o( I7 ~( [$ [4 {. i

/ c0 I2 S3 Y( P& ~- Land i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...( e2 _: r, g4 o/ v6 n/ l) J1 y  e
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
- Z0 w$ g  S0 K) V) W2 S: M

! p# U& _2 h' ^4 |& e5 e/ D
, L9 E+ `) K- Q. \. E0 U7 b) p    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??% F: W5 s/ Z( `+ f* W( E, j
# k; I# v: u6 ~
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
- y3 W3 B! A: [  ~, u5 g  o# f' ?. D' `/ A2 h
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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