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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias3 X9 Q8 b$ c. L3 T

/ P- `% x1 @0 Z; j+ lpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% {! J! w, T& P1 b  I9 x大部分是要match3 v1 }1 Z7 [1 v# D6 E
Metal poly  density  不夠( c, K' _& Z# I: K
加ㄉ那些也較 DUMMY ( @, x1 n) n: E, f# J% O) P9 U
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat " h4 E+ C! K9 B3 N% r4 E- M/ J0 p

& \6 ~4 L. w2 y+ A' K7 R4 |
) z: w' l  P8 g* o, {7 E0 [    感謝樓上的大大+ O' m2 q# y0 Q5 n. [$ O6 H
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 % [0 |5 m8 H( k' r
# M9 }* R8 f, g% j" [7 U9 v
2 D- \5 Z! j6 Q* c4 `' l- n. V
    感謝您回覆的這麼的詳細8 j. ~  d) D* h" Y* q; O
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
! B/ L& n$ o4 T+ ?& Q) U+ ~3 }. x# W4 f% S9 d" x: @, o8 M
不過簡單來說, q" n' Z2 E+ |% [2 Q
在製程時食刻會破壞掉你的元件0 C6 Y8 b* r- `/ }, i0 z
而特性就被損壞# a- ]! A1 M- [, i" g( ^
; U' w( F- o  U' |# n+ s5 G
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>, g  C! ]3 U5 S' h) R! m: l4 k4 @
所以蝕刻吃他最多
6 ~: |- F$ m" c9 r( k* j6 p主要部份特性就不會被破壞
+ q! m; I. I1 Y) X5 o! y" c  U4 ^7 r, T; l; u0 f
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>0 X- ~& x+ O1 _# X' S
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享2 Z& `5 e# I7 k$ r) C

1 G( }; u/ K. H0 g$ t又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
/ p9 N2 ~( {( e6 s) q, ?. p8 Q% m還有電容也要加5 E5 A" ?( j  H8 H% h
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!* B: h( J* t$ o$ J1 Q5 E6 A

+ D+ Q0 A: T- ~* j3 }8 J  i, Zand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .... D8 ?6 U0 `. H3 T; M& S
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

7 ^$ J2 R# k( c
9 U/ u! }. G: W& O: \! t
* O5 P) G9 x/ J. y( U    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
" u7 E; O( C. V& N1 L
# V% g( c! A; E; P如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??; J+ P' R0 d/ `) R1 i

9 I- f7 E* @8 ?; @8 v數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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