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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias. m$ }1 H8 v; Q, z7 ]* X- e) Z$ R
% [, P$ \5 j0 z
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密& u$ q/ r1 W& P' k0 t% I
大部分是要match
1 d9 w  _" s& v: B: kMetal poly  density  不夠
8 m0 a$ P, m; A8 E加ㄉ那些也較 DUMMY
" f; z% ~/ N4 r4 f$ A! a把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
2 M0 Q% `& _0 M: R1 `" A
1 v# R4 Y/ B/ L/ u+ Y) T( r
8 ]9 u8 Q4 p4 x9 j    感謝樓上的大大
) v9 ^: x1 k/ F: R  l) G   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 2 u* Z" _% s+ V' w
' `, x) R( x$ _. k) T

! C+ v. H( @4 K2 Q3 Y- h; Z0 {    感謝您回覆的這麼的詳細
" L+ g  U, V/ x6 @+ m% m您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
$ j9 m4 c* o8 h
2 n# ~* }+ f( j' M- @不過簡單來說0 l* M0 U4 h' I- n6 o- t0 D
在製程時食刻會破壞掉你的元件6 @- B, n/ G9 }7 ?$ W  q/ }5 ?7 s
而特性就被損壞
% ]$ E8 D+ }4 D7 N: y7 y$ X2 g6 @- V- }$ }( g, b
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
( ?) h+ E2 |2 W$ W; D所以蝕刻吃他最多& f( \5 N. S" d7 X6 I9 T+ m( {
主要部份特性就不會被破壞
# c& a: z( k; N+ s
. v- I% f( u- C( n1 j  _很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>* ^/ E+ P4 I, {( S6 Z2 B; _* e
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享- ]# O9 k8 z: u6 o# c
$ @) `! C3 h2 e4 m7 a# v, V
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
+ d; J7 X1 J8 S5 Z2 `  }還有電容也要加, h; Y( q: Y+ K/ i- B
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!3 s# M; D$ b9 M# @
3 \- T5 @6 e6 G% d6 W; S
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
- B0 C' Q; O! J6 fvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

. }6 k, K& `) T; h( k) }5 a% y5 y. x' T
0 j7 f" z1 u4 h" l0 L, n
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??" X; I% g3 R' n# V; |' h& M& S
2 ~# }- `' z' O5 R& |  z
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
) i6 ?$ w' a6 F6 ~( j
2 Q' w5 `' h) s3 @: N數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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