Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54575|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias* ~& [* q1 P) E, C' v
4 D' e0 W' y, |3 o) ]3 w
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密1 }) Z' s. S- B5 p. X! G4 o9 f( ~
大部分是要match( G" R/ C3 J! p% O; y
Metal poly  density  不夠! q. ?4 n  [* g  Q  e* V
加ㄉ那些也較 DUMMY 4 U. e# o* i1 {% K  l! {
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
$ U; Z: S& l9 x3 ^3 q5 x4 |) a7 S

# M! S! ]9 p& v: Q  a# v+ h$ R# C    感謝樓上的大大4 f6 L+ e2 R; Q! `2 I1 V
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 8 L9 C, u; j3 L, q  b
, F# o2 G0 b1 k6 ]/ X# n3 D# g

+ N! ?' C, W, c* b0 D    感謝您回覆的這麼的詳細
+ p# r2 T, `: @5 k6 T6 s您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!/ ^5 Z/ a7 b/ H' m) c
! v% G& ?: V# D* a
不過簡單來說
' e: J/ P. l6 [. f; E2 j; }在製程時食刻會破壞掉你的元件5 b( Z- K  F1 G* w) a' u
而特性就被損壞8 x+ i) r% B( x; E
* @! x) I) ^- L: F4 {
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>- I8 F9 {+ K. V
所以蝕刻吃他最多  d% B/ ^* X9 E& C  a# v
主要部份特性就不會被破壞% I2 a  l; _$ a/ a/ y. P
4 _3 y" g. T! Y- F# y) U, L
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
: S* m! F7 ~8 [1 F# ~所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
3 B* t7 u' O; O% L1 [
0 `1 _9 b$ B) x1 g- T( h8 w9 f又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加! f' ^# Y( O4 r
還有電容也要加
2 e8 ]8 m5 P9 q/ |/ C3 Y若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!/ H0 p4 y0 h1 I4 Q

6 u( {4 M  R/ p/ e7 m  Sand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...' I" c4 ?6 W$ j' w) V4 p
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

  U; u# G# R$ A) |4 P
8 Q5 l# x0 c5 Z* V6 @: v4 g
! B' y9 Y( P3 F+ C; W    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
- \8 a# y" X" y+ J) h- Q" R5 w
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
) i! k1 h0 Y# q) F% }2 N+ X7 X/ t: X$ N5 h' n
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-6 08:13 AM , Processed in 0.187011 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表