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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias' f  F  C" B" t
' l2 A1 i' V) U  A/ {' a$ s0 Q
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
" U/ A0 z* F: E1 }  N2 }( Z大部分是要match1 d& V$ Y6 _! ?0 P
Metal poly  density  不夠
" B' n/ g- w4 ?$ r$ O加ㄉ那些也較 DUMMY
) V* P1 F2 v# K把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat . z4 B5 D1 z; T6 X# u
! W% o, w8 C# X1 t$ W( C

! X. i* Z, }" }! j# D    感謝樓上的大大
4 d' }! p$ k: M* ]$ s8 B   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ' X6 ]$ v9 l9 ]2 `( p

$ M; q3 m/ x: y2 j. }  G
  I. c2 _2 x, M) H1 _2 b7 G    感謝您回覆的這麼的詳細3 Q/ o1 M3 h. {, T4 \7 C
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!6 y  f/ B4 _1 j" @- s
  {; r1 D6 o0 h
不過簡單來說
' M8 R2 V; ^  j, b9 @; F! L在製程時食刻會破壞掉你的元件
3 W7 s$ C' r1 S% E1 j3 r而特性就被損壞
! x* k  F4 O8 Q3 X8 l$ c- V. {3 W) T4 j
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>; O  j- t. H% l" N3 [1 w% H
所以蝕刻吃他最多
) m5 ?5 M: ^: B' Y, u* q6 A( z主要部份特性就不會被破壞  C- f2 V" D/ Z& l
! z- j. _4 e9 r
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>( u+ ~& }$ ^% R' h) t* N; N2 Z
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
+ g6 c# u- ~) q8 e7 O. |7 l6 U# I# X' A( ~
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
; z! o5 q4 b. ?4 L& E還有電容也要加
" l& H- c- r- b4 x  Y若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!$ }* G  i& a' ?2 k+ ]6 }4 @
1 c7 T( V9 J  F, K2 ?* p
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
; r4 m# v+ y# e# a6 xvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
. I3 e. G- {: P! y" F3 |

% \; p: z$ G2 P. ^" R. _9 i6 Q. T/ k# G* B7 N5 W) o
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??  S. o' A9 K. L7 W
; U6 \8 S3 ?0 j+ @8 q
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
% ^! C& ~9 Y2 P$ P& r# O# y3 P- L, t, L
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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