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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
* p* s' Y" M* E5 l  j2 \0 J: ?3 L2 M/ k' v
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密& I/ D; Y5 ]! U/ j+ R+ X3 ?. i
大部分是要match
# Y4 q) r) u( D: C+ _, lMetal poly  density  不夠! @* g. P* F4 B$ A, V" H8 Y/ j
加ㄉ那些也較 DUMMY 4 S8 U9 C  W* |) K! d/ K3 P0 ^
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
# z9 H2 `9 u# F5 t5 s. q9 A# ~
0 k: b* S+ W2 |5 u) @  g$ v. F5 ^2 R" w& q
    感謝樓上的大大
% e% _+ T) C( _' h4 J, c   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 0 _  P" _$ N9 a" u6 x+ A
: [& ?2 U, ~) x6 N

# C1 B3 D: C4 x9 g3 _    感謝您回覆的這麼的詳細4 {0 m+ }$ `9 M" e
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
' R4 j+ d$ z7 G3 g
8 S2 V$ _, q( \! K9 `$ e不過簡單來說
+ I* Y- i/ x! X9 ]- b" U; p* E5 [' O在製程時食刻會破壞掉你的元件
+ F3 W$ K/ U$ s0 O; [) O而特性就被損壞
- ?9 {/ ~- W5 P  N$ R# C9 @3 i& a7 v8 g9 E" j; s1 s9 w2 J
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
' S, v4 \6 g6 _, e0 t& ^; m7 U所以蝕刻吃他最多8 I) P1 }# [- y) I/ X6 t8 T% p
主要部份特性就不會被破壞8 u& c7 s( l+ G* o
1 s+ c0 @0 {! N5 s
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
8 B$ c. z, ?# r% Z6 K所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
" f6 X* A! Q! h* J9 K" f0 V2 p5 s
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加; X/ [* s/ w* z! I  |% P+ O. A4 I; p6 o# m
還有電容也要加+ B8 a# L7 i  s$ [+ ]( [
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!2 z5 T& w; w0 \$ I% t
# a2 G# Y( a+ o8 ^3 W+ {
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...7 N( T, L  L( J0 Z
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 U1 Y& s9 g! ~4 {/ M: z, }+ ]7 ]2 H. {1 j

$ |7 W" Q7 F1 J! q4 S) ?    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
- c2 y% P9 I" d! G7 t& C8 E* h
3 ~1 O5 k# p' s% h- w, Y如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
* H  g1 a' h/ g, j
, K7 a1 k8 `; N5 M0 `  G$ w0 U% y數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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