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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias8 h7 b* E) D- F' A5 S( w( O* G
0 g/ ?$ F/ \3 U/ ^/ N3 v
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
3 _" C( M% H. W+ P7 R. N: V大部分是要match
5 _6 t6 a' m: {( QMetal poly  density  不夠
1 a* S/ ^; t/ o加ㄉ那些也較 DUMMY
3 [  `; }/ q0 o把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 4 X/ l1 k& k# X" E: Q7 ^  |) l
0 c4 K) f0 M1 u3 Q

+ S. u# |) @# N0 A$ W! f    感謝樓上的大大
8 X) u; t1 q) M. C/ z; \' _   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
6 t6 v6 G8 x* ~3 n2 W5 @
  ~# w+ Q% p$ Q# d" Q* `% e2 ^
0 U# ~  e, K! [/ S! r4 {    感謝您回覆的這麼的詳細
5 @. G- ~) x" c% n8 _3 s8 F5 ^您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
$ ]2 V- S) l& b/ [5 \$ |1 s6 n4 F1 x; V
不過簡單來說& r3 ?# f. M/ e
在製程時食刻會破壞掉你的元件
4 u) n  v/ r# ?! g8 ?. e7 l( s( E- Y而特性就被損壞
. _" d9 E1 H! H! L& b# O4 \; N, e! h8 X; _$ b# t
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>5 [4 j( p$ ^( S
所以蝕刻吃他最多. e$ o7 O; a7 }5 ~, f  j" O
主要部份特性就不會被破壞( P- h1 D1 {- a* t/ b
2 r# t0 a% t+ @" X4 ?0 a
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>" _1 h# V0 \8 |  K* e% A
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享1 k  F9 h$ `9 a7 @: A
4 k1 i1 F: x$ E1 B5 a. f
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
% a+ @( u$ s1 R$ N* E) i! i( z還有電容也要加% B$ @* E0 K3 W8 S: E$ g) X$ D4 M
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
& l- c5 k8 P8 R7 f; K) m1 U! d& q! O1 `) Z+ m5 w4 Q8 v$ i
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
& w0 E3 u! b" |+ N* yvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
: U; p3 I$ F8 v; A
0 z$ U. A; Z( \9 t6 r; x9 {) p

6 I( Y$ Z+ A5 Y# l$ y' f" u3 X    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
' k5 W+ F* g& T- e% ]! Z+ t: J' |8 f/ p% Z. z; B. A
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??, o* X) r7 p# y) W- x& a' A

/ Y. `# F! C2 @數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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