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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
6 G! N& T4 s4 b: r; f" J+ U4 o' p# X
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
- u+ `3 {9 y6 i. E5 |( G, r大部分是要match4 A' d) C/ S% d1 q7 g9 b" G# j
Metal poly  density  不夠5 o2 S# A% Y" u2 h4 W
加ㄉ那些也較 DUMMY
# l. Y3 G) W* Q把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ) }/ v- ^9 p6 n3 k) B, N4 H

& d. H! w7 N( R  X- y' C$ [6 o- Y8 `
1 r& M2 T- J+ N: i: S    感謝樓上的大大
/ G! b3 D. t! g- E, D/ I   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
' R) r1 a: F7 E: u; g. K, v7 ]$ O4 g  u( u& O
) T3 |: `! P4 Q5 v  {& W- o5 M4 t* p% o
    感謝您回覆的這麼的詳細$ ^: q) A$ t+ E1 H  |0 `6 s
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!7 Y- v8 [( |7 L; F: c6 u+ E  \- u
) \; o- U3 n2 e8 d( g
不過簡單來說
% h$ ~4 H) P4 W) \在製程時食刻會破壞掉你的元件
0 i& A+ s& ~$ E* R而特性就被損壞" g* S; W# K/ X6 m- i) w
; J5 c4 [& O9 V. N" v, v2 W
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
3 e# X. g( W$ m% \% {8 o$ e所以蝕刻吃他最多
* K! N/ M* B( s6 u0 R8 F6 I主要部份特性就不會被破壞
$ g! L( g: r7 o8 k# W/ V( b0 M$ Z$ |9 [+ X" ~* r8 t/ t
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>6 e& ?- r8 O  y6 n
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享1 K. d) T9 S$ s% q

2 n3 R( w( ^, U9 L, |7 I又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加7 B" e, _! Z2 P# }8 t0 _% c
還有電容也要加
" k+ Q% n# ?; _1 z, d若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!" a/ L: _; C1 G' W4 F, ?/ Y  x

! c/ O5 j2 P8 a, |- yand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
% a6 J6 e, Q0 ~, N% qvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
" k/ p% N5 `) y
! Q3 w, X: p" P% K2 H+ c4 b+ \
, d2 T! _( ~& w& `
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??9 w6 \  ?. {  q' h  V! D$ ?

- Z! d2 o* E# N' S! a0 A2 u如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
. M. l3 S& ~. J- l+ i1 ^$ m0 k
$ Q7 S# a( o- y, T2 B" j: Y數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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