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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
6 |& ~5 v/ K" e" V! q, P3 {: y6 K2 t0 S2 l# u/ A
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密9 u6 ?6 d1 y2 @2 |
大部分是要match
4 N' i/ u$ e3 Q! eMetal poly  density  不夠5 ]& H5 O, g2 ^' t4 A+ C
加ㄉ那些也較 DUMMY
" Q! i' S/ Y9 ?5 o) g/ M& A5 t! A/ m把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
# ?8 n' d, z2 A2 C) X
) @5 _1 h0 E$ U# v4 w9 r/ s' M/ t* {  m- P( |4 e' f: m
    感謝樓上的大大
5 w1 z7 Q! w: W2 F* r   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
: j, K$ r- S4 O
% y. A, Q* b) C' [- v( ~3 T+ x: x1 n6 O1 O! o4 c+ {
    感謝您回覆的這麼的詳細
" }8 v3 _. r  F您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
* A( G4 g& E! n/ o2 B! @! k  G9 b. c: g( b0 t
不過簡單來說
6 `# p  x' m7 C/ W在製程時食刻會破壞掉你的元件
- P5 P! y. V. r/ K9 ]而特性就被損壞' E0 C, Q) e: F1 {0 m
0 Y& M4 J9 |: i% _$ J
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
6 s  r' V  O- v2 _7 I所以蝕刻吃他最多
0 ?7 M+ Y! m' @; _0 e主要部份特性就不會被破壞
, s2 |) V: |! P. |# s9 m
3 `- M  v; ?2 |+ p, l( h. p  k很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
; M( F7 n& {) n1 B% }所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
7 m. _8 r( }1 d9 f5 ^
  S8 R8 f. i( d# U. |" `又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
/ z% P- W! k/ l5 x& Z- x1 `/ X還有電容也要加( ~8 X, l$ S3 q; l1 W
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!$ j, ~) S8 }% S0 T( j6 ?  {

$ x- ]7 X$ L1 Q# g2 ^7 V1 q3 aand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
% y. E6 ^. A. @5 Y2 |% y5 Z0 A7 vvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
; w: K4 j0 O& i$ q. \. k; h' `, S2 A
; @" v% f( S9 ~" h
8 \' b' ]) P' E2 o5 @# f' X
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??; X  T: k3 A0 K3 p

) i8 M0 D- Z( L& h如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??" j8 ], b* v3 c7 A9 ?% z0 R2 I; u
" S/ A& P1 G6 L8 J/ \
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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