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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias( d' E* i) w; G- E5 T* Z, ?. O; G
9 `; {9 _: d0 J6 m
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
# \, m" l& ^7 Q. u大部分是要match
& }8 V& x) @! n! a7 F+ y6 Z) q9 wMetal poly  density  不夠4 v5 Q5 t0 [7 q9 z: Q
加ㄉ那些也較 DUMMY 3 Y3 e$ ^1 D9 K/ a0 J5 [
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
9 v. Q! n& t! f
2 O6 @  z0 h3 o7 L% U
* E+ b4 g$ a# ^, Q3 p: Z3 F  Y    感謝樓上的大大7 k- g; t  B! p5 J1 c
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 % a# X* t/ F9 `; Y: Q. C: V
2 d; B' z9 e' R8 {4 J' c
; t# t" U* X3 O, O: [. w5 B
    感謝您回覆的這麼的詳細
  `0 `& t8 J8 I+ h. l8 r. O您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
0 d3 Z0 |+ R4 D% D9 v  E7 _! k0 k/ w
不過簡單來說
( _' C- x6 [2 s" @. b+ q: d在製程時食刻會破壞掉你的元件, ^/ q0 g  G- Y5 R: I$ I  z" p
而特性就被損壞
7 L! A6 y5 Y+ p0 k* [6 W' ^8 r
% u8 B* b$ k* B- |( N& h若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
: {6 g1 ?. c% b$ z6 y" t所以蝕刻吃他最多
+ _, ^& k$ {/ r, u8 g$ X主要部份特性就不會被破壞
  Z/ G, U& ~7 n; T( x2 Y
5 ^$ P; K( v& i; n( \3 K/ y很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>3 F* s6 B' Q2 p
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享8 v: A6 J! z8 ?- I5 d: l3 `9 n. u

' Z- Q+ r2 n/ h2 M9 s$ ^+ W* I又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加( m4 X2 _  h+ ~+ ]
還有電容也要加, Y% D- ^7 |2 s8 \$ L
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
4 Z3 d- Z( J. c# v6 s, m
  h6 k0 J# Y) \2 t& x6 Q' F& i% tand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
, Z' Z  S( X$ [vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
* J2 j+ g3 w* {8 b* B

+ R7 B8 t- M( S5 ~8 o1 Z7 i4 R, d
9 p. @! ~  q* {$ X. V    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??3 f! K4 `0 o2 d1 }; f0 }
  P7 D; p. {. W: }! q
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??1 g( d: J- w& ^% L4 `" P& C$ y

# x4 o) e5 W' O8 o/ B& E數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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