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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
2 D8 p6 B$ A$ {! O8 V
1 b) N/ A1 E% Y9 h  h! r4 opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
+ g+ Z  h  F$ A" a" ^$ H6 q5 v8 R4 [大部分是要match- r' J: V" \6 t
Metal poly  density  不夠
$ \; t: [1 }: a2 e8 L& B( z) h加ㄉ那些也較 DUMMY 7 _) e" n) W! q0 v7 Z3 f. L
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ) C3 b% Z4 ?5 {" M; V

& Y6 d( f$ r/ {% E; Z9 n7 ^7 M$ D, c' D' M; y
    感謝樓上的大大
; M( [9 A* s' @* Y( |   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
, O, `8 ^; ^8 w5 H- d: {
% V/ \( f, I/ f' U0 ^
) W+ e# H/ [" R) J9 _    感謝您回覆的這麼的詳細4 _0 F$ ?$ c/ q/ K- R! T
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!1 L4 ~# j* d; I0 H7 n$ @

' d4 g4 \, P9 D" ?  U: `+ i  M不過簡單來說
# i# l3 a7 e1 V- t0 F0 }在製程時食刻會破壞掉你的元件; z* `) d9 F$ K
而特性就被損壞8 f' u! y& w; B' G

1 z/ o$ I: Z. K6 }; E若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
5 J" P2 c4 P/ \) ]- D# T所以蝕刻吃他最多
5 O7 \" S/ L+ B* M( a主要部份特性就不會被破壞
$ Z6 [/ Z# e1 o' e- l9 ^& [! {8 S, d# d* v
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
: V+ _9 Q# ]/ R' w- i+ D2 y9 R& z0 e9 U* f所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享5 j3 P& z; X! L$ B# [
6 Q2 _$ |2 }2 s1 x1 m
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加, B* K$ j6 X: H- Y( a9 E8 u
還有電容也要加
' G9 r* v- U: d6 |若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
8 a* u! ^6 R9 k; r
9 x% \7 v* Y8 v4 I1 aand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...& B( w2 D, c; w6 o* `0 ^% p
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

, Z6 V2 e( e4 K2 f  k, Y, Q
1 F* c9 w- O* K( m+ t# ~2 A6 P; ^  }% o) h4 Q) U- `, O
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
! I4 L$ s: J$ p+ @4 Q. \) G6 H; x& h+ v; f' D) U
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
& O) k2 u1 ?- b  B! T
7 c2 T+ `2 v& N1 G( K, t+ s數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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