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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
$ h' x% Y' t3 d8 q3 M: p# n3 P  Q
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% W, x; @6 D# F2 S; c- W( Y大部分是要match' q6 ^3 r" C$ Q$ A
Metal poly  density  不夠' e9 F' L' T4 c3 c* k, P
加ㄉ那些也較 DUMMY / @6 D( q5 m0 t) d) q
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat # v! ~9 @2 A- {2 X+ J6 R) j; \
0 g& l5 R2 `$ I' \8 c, X; O

/ O: L, N" Q6 L    感謝樓上的大大& h$ ?- q% |; j9 o
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
5 T( w4 I5 v! N$ P! C
; |1 r# t* e) V! D) R% n# Z8 F& g# l' z* k* |# k' Q( i# A5 D2 w
    感謝您回覆的這麼的詳細" `) O+ z' G' s# {5 o
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
, N3 g  |- g. c6 b7 l( c6 O0 p) w- h+ w2 c/ o
不過簡單來說
) f8 w, W# t$ f* f在製程時食刻會破壞掉你的元件- M0 V" V/ ?6 W! J+ ?3 C; M
而特性就被損壞1 p; i; m. B7 P' u! @

" O5 {1 i4 t6 ^5 T' f$ o若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>8 Q7 {* ~6 o7 J1 l0 G
所以蝕刻吃他最多& N6 ^  ~6 Q1 F6 c
主要部份特性就不會被破壞2 v- z- n4 t( k4 ]( S

7 D. B1 N3 T- ~3 \( F1 d很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>$ v/ o- R6 n& d% u8 S( N! O  A( L' u1 x
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享# ]9 k. |6 @8 T1 X/ S+ B. U3 y
0 Y8 N! ?# u; R8 [4 ~5 f& a8 D+ {. C
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加% c- P+ N" ~& s4 y8 m  Q
還有電容也要加
  v  C' F+ Z% V3 U0 Q若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
4 y6 V; Q1 y7 c5 e+ i3 H
! s" s- a& P* ~8 F; {8 ^and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...% m8 j8 v" V- `/ `
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
: K8 }4 G2 T6 l' n
) Y8 S: \4 d) p% d/ D/ O

2 N/ Y3 S" z, F$ ~0 t8 Q' t    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
; H' ^  h8 _* i! ^) t6 Q* P
' {% x0 c# X, i% c( m$ B0 b如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??+ m: a4 K; i* S5 M7 ?
$ k# j6 n0 E. s4 }8 J: M- k
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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