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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias  j& t# M% p) b1 D' |
0 g0 \6 }0 d& e
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密5 G3 y2 o# T' t. p* f% c
大部分是要match: n5 r8 A/ c( a; F
Metal poly  density  不夠
' [5 l! D! a8 {4 r$ [# L! O加ㄉ那些也較 DUMMY ) }) n  v8 l) j, r7 z1 z
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat - F6 Q" d  J) ~
) Z: }0 Z7 _6 _$ W4 E9 p6 u
" G1 v, o4 X& r. D8 d( x1 M
    感謝樓上的大大/ E$ W7 s- J9 {  Z  Q+ c
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ( u. g- M/ ^% ]2 b1 H/ {) s  `

1 F7 X( p" ^: \6 i4 @1 o# h( ~  ]- u- p( c* j' w' Y2 D& h4 l; A
    感謝您回覆的這麼的詳細, _7 i: d  A% _; a8 M/ _* k5 x
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
' h8 q2 d8 @9 i' N' u0 h
+ X, P: q3 \- K3 q0 K4 d不過簡單來說
8 r9 a3 b( t8 y/ {- s* N6 |在製程時食刻會破壞掉你的元件
" X8 E3 A& Y* R2 Y& X& z而特性就被損壞
6 b! d$ f  \* C+ ?/ X" |. P0 b4 a6 k  y) |+ }4 \1 q( k0 a
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
9 P) J, N6 v1 l. T% }所以蝕刻吃他最多6 W9 b& g( G8 B" d3 D& s
主要部份特性就不會被破壞  L$ q4 p+ [& n& {, P, Q2 I8 P

. G! E: b6 u  |8 m很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>  T. c6 R. U0 f
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
$ s4 b( [1 b8 `6 q# _& b. N
' q* S  K# ]* X& k9 N又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
1 D, N7 d% c, C  m4 ~$ S還有電容也要加
1 `1 `$ }* d: F2 L若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
& v. E5 r1 `* w/ R8 d' x  h/ w6 J9 J$ c, i2 o( z
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...4 u) C8 M# U) }, e0 \6 O; B! S
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
9 n, M6 @" Y5 _! ^' V
' f% h7 f" Z4 f: L: j& o' d* W0 d
! N# ]0 u6 A5 J, b5 o
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
0 S" s- ?- s' }7 p* T8 L. h: J7 P" m+ K$ M% [7 ^" m. g, Y
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??* _5 T$ c) Z) w

7 t, |/ y/ P  x數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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