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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias: f/ k9 p6 p' n& o. K
+ _  k! w5 H) ^! F6 ^
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密2 q. q5 v0 F5 B# v: W8 i( v- Y
大部分是要match
5 o: g2 o" _$ x# \6 u$ g) uMetal poly  density  不夠
2 i& y* u1 D& H$ C& V% T+ T! T加ㄉ那些也較 DUMMY
" h( }3 M# o8 D1 \! d- v- B8 R把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
( ^/ y! [$ Y; G4 \1 N4 @
( z$ u6 K1 I8 g1 L, u7 I  r; v
$ |% S4 F- k! `    感謝樓上的大大
+ a' }- ^* K$ w0 F3 F% I+ e$ C   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 : w* [1 H1 ^* S- p
3 j# k, {: l% @, R% i1 o

  D* i8 q* E3 E* `" l7 V" S    感謝您回覆的這麼的詳細
. Z- U  f- _8 O7 M您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
7 `$ x" t) h, a# l8 m$ |) [* V8 U7 o9 @# I* o, {" Q
不過簡單來說
! o  F+ {9 l- S3 ^9 w在製程時食刻會破壞掉你的元件! q7 F/ U' A/ _$ G' \
而特性就被損壞
% p9 s& x7 l) a4 f) q
) h/ u6 S1 ~) f" m若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>  O1 m+ K3 ^5 ^9 }: Z$ A0 Z
所以蝕刻吃他最多- f5 ^! v. K% W# a1 g" r4 ~5 l
主要部份特性就不會被破壞
1 q5 F8 o( c$ h) P+ z4 j4 _# D) |- r& z
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
9 o' a$ t* e; i$ e+ v, s+ t所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享6 w: q5 B6 G4 Y: j; C+ @- T$ T
& O. u+ l3 X% B
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
$ K* d! D7 K. ]# t# g/ g還有電容也要加8 v8 ~- X& n' W8 v+ ?" l' F" U7 `
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!" @3 A, [4 ^& u5 d
7 \: d9 R# _- o" ?
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
3 C  l' U' m+ n8 N7 d; _/ Bvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
& \5 U1 l" @2 N8 y

2 m1 U% _7 X7 j+ e# x! x1 Y  D7 ?$ Y6 l
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
; d1 Y$ z; |7 q0 t5 t- G9 Q4 S
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
- i+ x& I1 U& k( ^' W6 G
; m+ @$ g! p1 p- [數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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