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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
# D9 h, ?  X% u, ~" e9 @4 U1 f, w/ M$ `: X1 ~9 S% }' \
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
! I+ d$ Y% g; |" |大部分是要match
& I5 I7 J; k; q7 JMetal poly  density  不夠
' D4 Z( e' Q) m# i# X% v加ㄉ那些也較 DUMMY
9 z0 p: I5 z) n8 \2 K& v: O把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 9 H% h3 |$ ^" T" a. W, h2 r
2 \: G% q2 u& g) ]

5 H+ K9 ~8 |1 T9 Q* z. P8 A    感謝樓上的大大
. u; \4 j' y6 E/ y* |& L) {   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
  B: ~5 t+ e4 W: ~/ O: }/ k% C
! k% M: Y$ ]) D5 `; u0 D) m
7 ?! N$ W# m$ B& P3 p9 z7 f    感謝您回覆的這麼的詳細' I& H6 |' v1 y1 O, Z
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!6 i# P0 F* g0 q! D6 W0 o9 Y
. @: t# V2 e2 E1 N5 U; J
不過簡單來說9 d9 g& Y. m' k# Q
在製程時食刻會破壞掉你的元件8 Y/ u  x) E& ^' g+ N% L; j: B- H
而特性就被損壞  A# m; }# L5 ~  o* h# Q5 H0 i; x
  J. g, T- k$ I- |! ~) H
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
# n% w  t5 K/ P4 ~& u, |所以蝕刻吃他最多
" z) s5 M5 [# m4 c- I5 X主要部份特性就不會被破壞$ b9 o1 r/ R: t  n8 E7 G8 P5 U

; E0 ]1 |% Y6 F+ l. _很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>8 ~) L+ x# R: x5 s# A$ E
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
+ w  F% M1 Y  \: n/ ]
* |0 F) w; m/ J4 z1 p又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加- P! T, |6 g+ |% `; J& B
還有電容也要加: e: x! r- [, w" g
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
- i' S5 w3 [% k. b# l; Y% `3 X# F) N5 e! [" y$ ]2 c6 s5 l
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...6 p8 c, Q$ o7 W, u
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

; P0 F) }  B, b! _8 G& w; z" g  E2 W+ X4 h/ q- A& ~
" w3 F3 Q. j0 H) Q8 D' z9 ~
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
/ E9 h; E; f9 k% |
8 g- m! e* V  e! f  _+ a3 x% ~如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
' Q4 S% \" ]: I' q+ [5 Z6 Z9 {4 v9 R3 M; I
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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