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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias% R& X* P+ n8 f% T

& n8 i+ [/ s  ipoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
) [7 T4 \8 k% z, I6 H4 A大部分是要match
) x9 P2 {* P8 y% s+ cMetal poly  density  不夠
* D" H" l1 A+ t加ㄉ那些也較 DUMMY
3 o5 \8 a7 T: K) q0 Z6 g把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 9 W! B3 [: E' l- [. s  a" F

, C# o; I- m& |8 i! ]& p+ y& n7 F+ h+ v# f# X4 f2 }2 z% j2 r) A
    感謝樓上的大大% o6 `; u( j; a! M- x
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 0 E/ o$ \8 v# M/ @/ ~4 {2 a
7 n8 i. E; b( b' R$ x; S

4 S) {1 k/ A' a    感謝您回覆的這麼的詳細/ \( ], X2 _) a
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!" K5 i6 L$ t7 l' t8 H
9 \8 E+ [2 g1 z7 x! {) G! R3 p) y* H
不過簡單來說
% O8 l2 P- a: {0 Q$ H2 M在製程時食刻會破壞掉你的元件% R- L2 X, n2 e) K3 X0 T* i
而特性就被損壞
- t  V  F% E8 D+ Z! M, u" l. A
0 {/ S$ K! r1 B: p# b+ @; h9 `0 A若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
0 @4 {$ H8 S/ ]5 X) }6 f& ^) l所以蝕刻吃他最多$ Q4 p" P7 K" y- P) A/ J
主要部份特性就不會被破壞& p' p$ t- N+ p  y0 s8 n& _$ e3 X

6 }/ n9 D# m5 |& J0 q+ w很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>9 n9 r  q: W3 ~  e1 v
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
: |" {. f9 H3 [; s
( U& M' @& z8 K3 w8 \! ^% I3 N3 ^又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加  I: y( R. c' B6 p; n, \
還有電容也要加
  j- c$ `- S1 h若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!/ R$ P& c. \9 B: ?$ p0 m" w4 U
+ }: @: j; c# z9 Z2 M$ @
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
8 `4 c% h2 t% e% s6 l" ~" Uvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
$ n6 H, S& ~0 S$ N" H0 \# n, C8 b
5 U+ Y0 x' u) r5 u" L9 ~

% ^6 A) ]3 ?6 S5 A' @, y    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??1 I8 e" \6 I9 P* L; J* G& B' a& N
2 B' n# X, n' m) E
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
$ o1 N% z3 b* Q# @/ w% q) V. {( h. d8 b; J
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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