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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
/ s. H, U- p! [! i0 f
6 l0 L6 V+ ]9 d# opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
! N1 D) u" g* y大部分是要match9 q- ~& i5 `9 i
Metal poly  density  不夠
' g' L) v# x6 f! [) C# Y1 P加ㄉ那些也較 DUMMY $ Z( K( f4 }$ b8 v* T( N  f; B+ q3 q# j
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
' X6 d' Y/ }  N3 C8 u, ]0 d$ s2 [, @3 j: S  N; a4 }

0 j( S6 e# c# ~    感謝樓上的大大% ^8 ]. X% Y# R0 y: C
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 # Q4 A# [8 l& D# ^' e3 H
' |% {- s5 V( K3 g2 v7 L
  C* |7 \7 |- D
    感謝您回覆的這麼的詳細
# k1 w9 ?& i! d) q. @您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!+ _  [8 I& u+ [2 _' S: }: N! C

% D" k: G9 H; ~1 P0 f* s4 c4 S$ Y# x不過簡單來說
6 E& Q7 @& R  f7 A( T在製程時食刻會破壞掉你的元件- k8 K1 F2 ^' @
而特性就被損壞
+ S# V4 n5 v% T  R2 h% h- O7 N0 x2 @" c6 C$ n
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>0 K0 b2 Z. W0 J2 Y0 g. |% |
所以蝕刻吃他最多
  H. P5 s0 i0 J2 n主要部份特性就不會被破壞# T8 D: b5 ^+ Y

* Y5 o: r) D% {+ @4 I+ B* [很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
! E6 I8 Z, M( W  _7 c/ [所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
! @3 j$ Z" N7 L
" d3 X2 F4 S. r. v& C1 x又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加' n, w* c9 q  _) Y- z+ G) ~0 Z
還有電容也要加
) o( J! g. O6 h1 U2 F" D若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!& T4 C8 L3 Y  o! ^# A1 d& M2 N
5 C& S# Q/ R0 T6 Z, C; P7 A+ _% h
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .../ Z7 Q+ z  S. a
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

: p6 B" `5 n$ o5 k
1 c$ M- |3 q; @! D5 U8 M
* o, J# ?3 @, ]- Z/ P! n% q5 b    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
* d( q1 `6 h$ h- C3 A" _' u
) l' p2 X$ E% k7 f! U如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
' ^5 D2 {1 C# R& V& P( b3 J& d# B( Y
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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