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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias7 f* Q' i3 `% q8 W+ H

  X+ x" C' T9 l$ h; z3 s. F/ vpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
$ m( z3 u+ K9 u/ J& d7 [大部分是要match3 M+ c: j3 w/ M
Metal poly  density  不夠" `0 V4 e# V$ v4 X
加ㄉ那些也較 DUMMY ; @+ J9 ]4 w6 q8 `$ Z, U
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ( O( [  A( G6 l$ x( t" \

8 N4 e9 t- ?7 }
* j  d5 U8 i1 j' a& |    感謝樓上的大大& p" ~6 B8 c  |# `
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 0 [" E4 z# Y) @' w0 w% _

, _, F$ K( R2 ?2 _2 H3 E5 J5 N% Z3 G1 C
    感謝您回覆的這麼的詳細
* H! ?2 F* k2 p$ `" y; R1 {您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
. a8 a9 V& X5 U' ?( B( a; ]  s& _
( }6 G/ ^$ ?( _7 u+ D, T. y不過簡單來說
7 `2 K/ V- u# ~. i9 A在製程時食刻會破壞掉你的元件
1 f' T$ ~3 |/ \7 x- H: g8 Y7 Z而特性就被損壞( {7 K* i5 w0 n8 v+ \% H9 C' B. b

7 q& e3 t" ~6 K/ H* u若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
2 v, z) y1 W5 s  `所以蝕刻吃他最多
; P( c& R& C9 b  @主要部份特性就不會被破壞
" ]" e5 R5 a' l$ F8 x4 X3 b, c& J- l: N5 a7 {% `/ `9 `
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
2 s& r" w' e  v" \所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
; |) o' g, {2 n* \0 r/ [; M( d! |1 X. h. i# |' P
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加1 i) G" [6 e6 Y
還有電容也要加! x4 p( }' l0 v
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
* B( }8 _8 l( `' j7 r0 i  J
6 o0 N+ \' W6 i, Uand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...  z# F/ u% H, v9 H
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

, _7 [8 }- h: N
; B2 d" w* I8 t5 q" Y4 K/ s, K6 Y4 |# ~5 t4 L6 P5 T/ H: A/ a/ X3 {
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??" ], J% g' P* a+ e

# z# ?! q2 A$ N+ @7 @+ t- d如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??; Y' h! ]* I  A) E
$ l" p" g- p+ E0 A' O9 K! R5 p
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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