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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
! z/ L3 Y% W7 n4 Q' }5 S% W& Q9 A0 N: _4 M; H  b
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
. q! x' A: b- r3 _8 B" }8 y大部分是要match1 O# c+ V8 \4 M0 I8 Z3 t
Metal poly  density  不夠
+ w6 o8 ]( P6 ~( k( K3 W. e1 h加ㄉ那些也較 DUMMY 8 D) X$ W8 |) I8 F6 y" s5 A
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
% U" {' \$ }) n# |6 [
1 G1 n  Y, C" V+ L$ C' t
9 g% l8 Q. [. b5 q; [3 K    感謝樓上的大大
* `9 d* l  J6 j9 k- e3 p, }8 t   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
5 x/ \* L: v9 U& R+ u7 D- R
6 S* }$ F6 w( p  h! r
* ?/ ~3 t" j- d1 v0 d4 J/ J: A4 J    感謝您回覆的這麼的詳細
6 b- k1 D- h9 Z" K8 k8 I2 T% w+ Z/ q您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!% v: [1 o% q! e0 L% L6 o$ O6 d

+ j  s4 j! {" z# s5 F$ I! R; t8 X不過簡單來說: s& ^6 {) E. y0 g! s  V( x
在製程時食刻會破壞掉你的元件) H- r5 |( `7 t  S- Y" q$ i  G
而特性就被損壞5 u) R" s9 V7 ]& |6 B9 I& D

: _7 l- s7 M' J( S/ g若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
, ?6 _% L. X. ^所以蝕刻吃他最多& T6 a% q$ S1 I$ ?# |
主要部份特性就不會被破壞
& I" y( C" K% U8 \, Z& Z, h& O8 c8 R2 X
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>9 R) I! w. q) i
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享( Z0 b) M( a; u& a: ]

4 O; c  x; S; ~& `- s* E  C0 e又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
1 a' d; I) b4 X8 @1 S1 m還有電容也要加* |) \2 \+ A" L
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!9 ?' ]7 z6 [" ]) U

# L. Y: ]/ ]9 l* A" K& Y' {and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
1 U  i3 J" h# l: Ivincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
' k! c6 [$ e4 Y) w% Z7 a1 K0 t
% ]6 i* F9 s4 z6 \% o

9 P/ |9 k4 y% d2 C1 Q( H4 Y; `8 j) ]    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
+ R+ z8 j/ U5 t
) U: X* ^+ M7 ]1 i: d) E" G如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??- s8 z8 g8 a! P- x( E

; f$ R1 B7 m! z! b  x$ Y9 W數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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