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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
6 n  B9 y7 j# O5 i: o1 n6 Z" X8 E6 g% Q! R7 T
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
: |  u! k; o* C& q1 ]! P( d大部分是要match/ N8 K# D; v) a$ [8 ?
Metal poly  density  不夠7 V, H+ S7 z6 k- `( z' |7 J5 |
加ㄉ那些也較 DUMMY
/ u+ q: i! `/ k% x1 m把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
: {0 g- c9 F" X: z6 x0 s( C- U( f* h- y% G3 L
0 t/ o. z% v1 w: U9 S. o
    感謝樓上的大大2 J/ s' G3 F& X$ ^
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 3 b7 f+ N3 D; g9 @# t
$ C3 L! A: y+ U- o# X1 g& j
' o' }: ^/ V1 j/ t
    感謝您回覆的這麼的詳細# _. g: `3 P6 u4 o0 H' t* y. N  m7 q
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
0 X4 a' x* U7 @# O, O8 c  N5 o  l# P! O
不過簡單來說& i7 I: s3 S8 A2 K) ]
在製程時食刻會破壞掉你的元件5 n; s& T/ C, N. b6 g; g
而特性就被損壞
9 U; a4 k8 P- C& S
5 l3 ~& T9 @5 s3 a若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>0 D3 d4 ~6 |6 R5 r
所以蝕刻吃他最多7 ~9 }) C9 c0 z
主要部份特性就不會被破壞
8 S% [9 D. E4 H  {& M( ?- J" j; J; Y0 V% P; [  q$ W
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>( L; f3 o3 q. h2 F9 H7 o
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享  J0 a1 t9 c" N0 k) [/ J! x
. \2 z$ j& S8 g
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加+ \! [) F: z  E9 H+ ?) \' p  q
還有電容也要加
( \2 G- C. U7 O- g0 @& s0 G8 H若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!( s3 z, P4 T" F2 G
2 A5 j1 O% s& J( {' p4 P
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...$ h- R0 a+ D' q
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

6 o/ k. R) A: }2 B, o4 p7 A* ~; G& S' Z+ T& N0 W
! t  W- n5 L- n% W
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??# g+ E0 l) ~/ ^8 s
; l! L5 b7 c; F0 o
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
, j# H# w5 ]9 `8 d# _5 }# v  |* u2 y4 ^+ f0 o$ L
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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