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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
; W5 ~  C; y- H
# R( V* g% G9 j  `( wpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
* W9 V9 Y  i. E+ G3 h' [  \大部分是要match
9 e  M$ `# b- y2 _. ?& }9 LMetal poly  density  不夠
) j( Z! x9 _) M1 ^. I加ㄉ那些也較 DUMMY
" m4 x5 B5 U8 q, v  Q! B把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
1 Z3 O  N1 Y/ D# ?' f9 I  E" X0 k; T+ z' V1 A" b. f

2 L# N4 K. U4 c1 h9 n  I1 S+ H    感謝樓上的大大
" [5 o& q. @- e   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
( K/ ?% f) g/ }0 g% A1 i2 b, Z. n: w+ a/ }1 F& x+ `. p3 X
  c4 ^8 N9 W6 o. U$ c$ W
    感謝您回覆的這麼的詳細
, f* q1 l/ A2 R2 i* |4 R6 w) l您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
9 a7 o5 B9 m. _# ^1 R8 m# d3 i3 I5 c5 J8 r- d6 [; _
不過簡單來說
7 W/ Z$ `2 |, t9 E' _在製程時食刻會破壞掉你的元件
0 ]5 q$ p" Z9 |. P9 z( N) g9 `而特性就被損壞
# C4 `; o# _2 @- w' \! O3 ~& l4 I. W* }+ O  t
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
* K: U# V7 I+ o0 X6 R  ]3 P所以蝕刻吃他最多* E; \- Z( J0 q- K
主要部份特性就不會被破壞
1 s7 Q6 q0 A8 y. }3 T7 |  `
8 M1 G. @1 M# M0 C; E  h很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
* U4 C* \2 ^% o- M4 B0 g/ w所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
) f) d4 e- r& k% P2 }: v% i1 `" k2 f# F6 }$ A" z
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
& h+ w* N- j9 s9 j* R還有電容也要加
9 t5 X- G" q! ]. E# p  i" l- A若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
) ?5 Q1 i/ E/ \: B% @  I  M) z. J$ E) ~: F$ H& \
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...7 W; X- \7 c0 m2 ?) Y, r  y4 r
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
, T% ~# c4 D4 \/ [+ t  q

; o  y- V$ O6 F& _& B( R9 c; _( ^' o" |0 }2 Z; }& r3 y# g
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
: H1 p3 ^4 e. O6 i( g+ S1 V
4 f8 l7 I: _" x8 p如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
( z9 ?. `  d0 X" r! W+ [
" M/ `4 O3 g* B數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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