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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias8 Z9 V) j: o% {$ M7 @! a+ ?3 j
& U2 ]7 a" Z# Q( S! E- _
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密% d( Q; a& r, s8 G1 A
大部分是要match
4 v* E2 s% u; P$ ~9 F* HMetal poly  density  不夠
) a, ^( i5 |% s) E4 ]加ㄉ那些也較 DUMMY 7 m& U' h# z( |9 z
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat " ~1 d0 A$ m3 h2 A; Z; W7 E
. z. z& f& M4 h

, n5 p# i1 {: F4 @- t    感謝樓上的大大1 Q4 w8 I" b* y7 w# J2 B
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 5 @$ x! h( {  x( j6 d

- R. s1 o* d  n# G  T, w5 a. x" D6 U; {4 s  f. F
    感謝您回覆的這麼的詳細
8 l8 r' R% ?! J" b) c% c您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!% W5 ?- l2 v) M4 I

7 x, v" p( t- q4 P不過簡單來說8 Z$ J9 n0 A7 v4 J
在製程時食刻會破壞掉你的元件6 B4 O( g7 b: F% g) F) }
而特性就被損壞
$ J# |+ `+ }. t# v4 u, E
0 _  o# y- l7 l7 c若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
% F" Z- ~8 b1 S/ \0 h5 _所以蝕刻吃他最多
" s5 X" @6 o( U8 s主要部份特性就不會被破壞# \3 X/ m/ h6 L
, U/ _: ?. c1 k6 h
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
8 z6 y$ K( L8 O: O所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享6 Z2 C; ~# f  ^" s! h

" ?+ h/ [; u# @又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加  d3 s, T0 l* z! ^
還有電容也要加
3 _% J- ?+ S; M2 `3 Z若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!. ^3 M1 s: K# I5 l% I* l
  Q& D8 s/ o2 b0 y' z$ |( e: P
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..." `! q. s' g0 M- f2 O9 l+ ?
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

4 ]% U1 H$ J2 n, ~% c$ \% o2 v% t3 ]$ b7 h1 w1 ~
7 [. z" [) _1 V2 T( }5 g
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
2 Y0 Z5 M8 n& i* W" o: ?/ E
/ W& W8 U  B3 g/ Q1 z9 o* u' H如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??& B0 U, l5 V9 ]. w& T7 i) H

2 v. G. s: y* d5 j0 V數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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