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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias* ?4 ?, S% N  }8 E1 H

& P% t9 |. j# N9 o% Hpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密* r8 ]) w7 r3 Z6 I+ n1 w
大部分是要match
" ]" O+ i0 y: y. ^) uMetal poly  density  不夠
" P( V) j. V& p; Q& c  Y2 w加ㄉ那些也較 DUMMY
+ U" H+ h8 B( e0 c8 F把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
5 `5 X, [; t, \& \% ~5 w& _9 p( ?1 }4 h& m, _; S+ Z/ S4 d
5 I4 D/ t' Q/ Z  H$ j
    感謝樓上的大大
/ g+ ^9 ~4 b' @  l; v   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 0 f) X/ ~1 n0 T  U; o9 g$ c, Q
/ h4 p5 l7 ~# ~$ i. Q& E

+ }% ]; f" \( U9 Y0 M0 x# P    感謝您回覆的這麼的詳細) ~( f* `  p( n% g6 D6 a* e, C
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!3 Y- j- f: e5 q1 g1 i2 h; ]9 e

2 T! k% w* M6 ~( i8 T8 p, ~不過簡單來說1 J/ L0 I' P) S" l# \
在製程時食刻會破壞掉你的元件
# [* r+ y) p4 ~. _6 f( X1 ]7 u而特性就被損壞1 ^" P* r0 {: G& V# e% s

) {% [: h" g4 b若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
2 v0 Z- M1 v" m) r* B6 y所以蝕刻吃他最多5 J5 i8 j8 U: e: K2 G* d) F
主要部份特性就不會被破壞) a' B1 Q8 n; V5 W4 j
5 z8 A# ~% R! `4 N/ S
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- E9 ?* O# O2 c$ v所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
( n+ U$ z' |1 P
0 K+ Z" M6 O! Y5 Y, d% L又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
: G: {( R, O8 k1 ~! B5 l還有電容也要加
# r3 S7 c7 ]7 }' ?1 m) @  D8 x) o5 `若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
! d1 [5 f& b0 L. ?
$ F" R' I9 Y/ Q) J3 Uand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
, p. ~/ e2 Q% @3 _vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
: I0 j4 k; L9 f/ F! i4 O1 P' z5 A9 o

- a: h+ e. R+ h7 @0 V2 c: p, ^) _8 h9 R1 h6 m$ s
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
- }& Y) A6 ~3 W# J6 p; z' Y, c( A& Y
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??! U# K1 }. x0 X
5 G: {/ y- P+ c
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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