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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias4 e0 P8 P! R5 W, ^* n8 }
( f2 P; m5 a/ s' d  z4 u. I
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密8 n3 d' J$ s6 F! h2 h
大部分是要match# Z- }+ X. D- [/ `3 [
Metal poly  density  不夠
* E& Y  |) G" }3 A8 ]( w4 H9 }" T0 M/ W3 V加ㄉ那些也較 DUMMY 2 j, c; A0 G4 ]
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
  O6 H8 h$ z' d' X. f' Z$ Y) d1 g# e: ^6 X6 v7 ]9 D2 c# ~

7 d5 ?/ J8 v: d. A# _    感謝樓上的大大
( E+ S3 F$ C' c  D' S; `   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
2 F6 ~# A0 u2 f7 Q
) Z: h$ a8 Y5 ]: A9 F3 E. w+ @. d) b  p2 }) l
    感謝您回覆的這麼的詳細1 q, r# q. S7 T/ n. a, Q$ t
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
8 N2 @8 @4 t. F
/ m$ v& e2 v  C9 M不過簡單來說& X: \! U: p8 l- I  N
在製程時食刻會破壞掉你的元件6 U/ @& M6 i  L0 c4 d  q
而特性就被損壞
/ \% r- _6 X" J  p
. N+ A( b' N7 o3 w若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
% d0 D$ D* G/ _+ P* f$ A4 ?* i5 b$ x4 n所以蝕刻吃他最多
7 R. u5 \3 s* X  N3 K3 i主要部份特性就不會被破壞
' c" d/ ?. V# {2 |2 ~" ?# m! p5 i+ M! t: ]; b
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>) h& H0 k0 i5 ]& B3 n! q
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
9 h& L( @, B* t/ @6 n
. q6 k0 ?- U8 H3 {8 D* P# f9 E# Y又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
5 Z8 Z5 \0 w. F+ m還有電容也要加
1 R' V9 u. d6 w. h7 x1 w/ l8 Q, v若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
( j# A5 a) p) X& T: [1 `/ y
- ?7 G! Q; v& T2 j! Tand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...# o/ S1 ]! a+ q% l: b6 {" f
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

0 H7 M, j7 ~2 ]  D' J, t; y6 j
5 r, p2 S/ h9 K+ Y& u
9 F2 p# Z  m& I; q2 @8 h- @8 T8 X    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
: R' [8 g9 k* ]( j% w+ W3 i& T0 q6 G# u. z
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
# Q: y7 c1 K' f. D. s- q
6 X1 ]+ |5 v- u  f  w數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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