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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
. E: y. i+ X, G$ G" i& L( {, R
* }0 {3 @8 s& G. |poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
+ O2 ]6 @7 G6 o# }) |0 A0 u大部分是要match  A! i7 }: ]  O, K" p! Z
Metal poly  density  不夠9 p* N1 q( _2 ]
加ㄉ那些也較 DUMMY + a/ U4 E7 p8 f
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
' S0 E8 U5 q, F! B6 ]3 ]: e: z4 p' B" ~. e+ R1 ]
" U  T- Z6 e3 W+ j& K! x' U
    感謝樓上的大大
6 K$ c1 R# W' o" P0 n  ]6 E   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
" G9 a+ m7 @( q$ H1 u
: T, O. T, u7 b' ?, ?' R% O; R& k1 ?: `7 r9 Z& t
    感謝您回覆的這麼的詳細; m0 H1 }. `5 S
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!$ _5 B; a1 f% }6 a% ?
/ R& |0 `+ a- ^1 U- \& p
不過簡單來說% U: x% k, q* Q( _  [. y3 K7 h
在製程時食刻會破壞掉你的元件9 h# L$ j) g3 v8 D3 I& U  K3 z7 p0 o& b
而特性就被損壞
4 N% _/ \7 {$ {" U' {. h; K
2 v; [( D* f6 m5 {若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
# V& P+ m" x* U' o所以蝕刻吃他最多* h' c0 x  s5 \: f0 C# x0 Z
主要部份特性就不會被破壞2 Q* |8 d3 I5 q

' w( ~  w, ^5 k' Z* M很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
" \1 G5 U" Z  ?* p所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享) S, {% S* }0 H1 J6 p( ~* d# x' Y

, j) R( o' t2 j/ |7 C又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加1 }9 ~+ P) U& d+ A& [. s
還有電容也要加: f  l. N& B) M& K
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!! v) ]3 k" V( r8 W% D9 s

4 e) ]! V8 `' ^7 {. y% r. u6 U# c5 Hand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
8 [2 ~6 h- j' r' x/ W  Jvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
, x2 m" E+ z' H  ^( a
; e8 w) @0 ~8 K8 E5 K& P. }' `

4 Y. s; @* r0 E    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
3 `" U3 E) I- F( H' z! ~; {8 v! j/ D# Q7 y6 ^% G& j
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??# |* u3 Z% h/ b8 o, N0 p4 D! n
: z! B& i. {8 n3 h/ N. Q' c4 f, v
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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