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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
: I# k. d& i( M9 `" S% J, E' p! ~, J: {9 _
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
- e9 x9 X- ?# C2 e7 }2 A" z大部分是要match) z4 y" m6 c, g3 T* S) y8 |
Metal poly  density  不夠
0 u" w; m0 ]/ h. u5 ], ]. o  P加ㄉ那些也較 DUMMY " W  I0 @2 Z, j7 D7 {0 L3 }& L
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat / \( c. K$ h  j# b& N! u

$ X# G) Q$ s& o9 L4 o- p/ b4 x
7 E, J2 `3 O8 l2 a    感謝樓上的大大
' M9 F- N: ?+ y) C: l/ \- @0 ^   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
5 a1 D/ a7 o; a! Z/ l5 i5 K
5 X1 C8 g. m1 {# }  s5 v% u. U& R0 W* e2 ^6 I4 }, y; G# q
    感謝您回覆的這麼的詳細
- i6 [/ \2 _+ h9 K. M, g% `% Y# z您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
) A) x9 F/ L6 l+ E  u' j+ f* Z4 j9 |; h
不過簡單來說
- `3 g5 T) L( x- b3 H在製程時食刻會破壞掉你的元件
" r" k. b. G. j0 L/ }而特性就被損壞
7 B2 C& A( Z, ^9 E5 z
) T. |6 l, a3 [# V- }若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>: X9 z9 X- @( K, \! F* D: X
所以蝕刻吃他最多
* N8 l9 u8 ?6 \& I. W% O% _/ G主要部份特性就不會被破壞  P: n8 s6 H& S. ?

3 x6 }  Z$ f' Y; m, {& W很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
* O4 c( d: I  f+ k) T, R所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享$ F5 C7 a# Z% W# ?; C+ T
" }( ^" O) \8 Z# O! C; o
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加2 F; h5 W3 I) g- y+ h# D
還有電容也要加
( n8 h; J' @6 C( ]$ ?9 P若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!' m6 ]9 X3 y! h, a" w
: r0 o6 h7 j- p, Y6 q
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...- i5 `& [  e0 h1 R
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

8 j7 r7 A/ P4 ]3 \% M7 R9 y7 M
3 V$ B9 A2 [9 `& [( N/ X" a! m) H  K1 U$ @! X
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
& _9 q; k( A! r# W% |% i8 a7 }7 x5 p/ h
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
! I: C! B; `. }, f+ ^4 M. w" B
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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