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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias- O2 X7 S: h/ \1 F

  m( U( z) i) v; M7 U2 ipoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密; ?* b9 C& v& f5 O$ r, z9 p
大部分是要match2 y- y- F. }& T% d9 P- Z
Metal poly  density  不夠: P$ Z2 K* C( m, s1 _: u" j- j# {
加ㄉ那些也較 DUMMY 0 ~/ J' u2 l0 ?7 M. {
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat % K( I# R2 j7 L' P7 R+ D. X! m
/ q3 g# B' @- w- G1 d' v

% s6 x2 x4 Q1 w) A( w5 R, a    感謝樓上的大大
1 W" l! Z  x# g* A   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 , i* O+ S/ n% b3 \5 S  [

- I0 m6 v9 R$ x8 G8 @
1 {$ Y* y! @% s: J3 D& {- S# p. ^" J    感謝您回覆的這麼的詳細
) A% D4 p5 h# }6 V, l' c: }7 ?) }9 T您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!& y3 i- V6 ~+ s& n2 ~* k) Y
9 Q: ~; A* l0 w! R8 b; d
不過簡單來說
& Z6 G+ g$ y$ [. Y! s" x1 D+ n在製程時食刻會破壞掉你的元件, S% u7 u4 W. Q- F$ l1 ~7 @
而特性就被損壞$ ]5 R6 ^" m9 h8 F
/ f; Y6 v" J* W3 D
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>4 P. r8 T9 W' E( |7 Y$ `7 U
所以蝕刻吃他最多
4 _) i! Y3 T) {2 T: o主要部份特性就不會被破壞
6 E7 u% F( X: S7 v
9 G1 _, M" T2 v很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
: C! @2 w" U3 l所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
3 i3 ~8 e1 g7 B$ P. J3 J+ J  r' H: z% Z8 y6 m, d
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
1 W+ F) O! z, W還有電容也要加; ~. Q- S8 c' w4 O& [) d
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
, Q6 p9 K9 m- \- \
) \, K5 }. N2 B0 X* h5 M" sand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
9 \; |* D" _) ?+ Mvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
+ m/ W- j. T7 V* z; b; `
: [8 }, g; Z4 q3 f
* A7 @: A3 @7 I9 R8 |
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
  O, C/ _% p  A8 y$ Y) T1 b: o+ }: g$ \9 y7 w
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
9 [3 }( Q! d2 M+ i3 B. i+ q
; c3 H2 a. a* {* M: `$ `' B* F數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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