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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
1 S8 V; ~% A$ T1 H. \; O* s+ s3 n3 y# V3 e' x* i. E1 F
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
- c1 o1 n% q# M4 o7 f! I# ^大部分是要match: B! j9 v$ A, C8 B# j% L0 B
Metal poly  density  不夠. S! `3 T* d- s3 q/ x
加ㄉ那些也較 DUMMY
5 q* l! m/ e8 I  [* y1 G把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
' a7 `7 l' G5 h+ K  w' n" m  t/ V8 L: {+ q

3 I( f/ ?. n+ p/ J& _    感謝樓上的大大
% a) X# S" l# O9 ]4 }   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ' @* G# [3 {7 M( u: H
# @' Z8 A, I2 z/ {) F& r
' |4 ^0 d3 L; P' }$ h% ]
    感謝您回覆的這麼的詳細
3 h6 E( e; f" z9 q  \0 ~: q  v您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!, R  a) H7 E1 a+ ~

. f7 }/ N/ t/ E, I1 }; ~不過簡單來說5 G8 V+ Z* c7 ?
在製程時食刻會破壞掉你的元件  f  G0 `" W% b: F) V/ S7 G/ s
而特性就被損壞
2 d6 @7 o& z) u; k+ _
5 N- p3 O! j$ }. V; @若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>* _  C" N1 x* L6 k7 c( L. p& B$ W
所以蝕刻吃他最多
1 ?5 P7 g! S1 P# i主要部份特性就不會被破壞
# C% }$ Y" A  G' ^& l/ |, T, i3 h" h2 n1 x  ^
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>% \) |7 `, T! _* U* B
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
. H& D2 ]+ W" T+ j, S2 M
& \) Y1 ?3 u; V  w- o3 V又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
" Q8 [/ F& [( a' J- w$ S3 X- Y. _還有電容也要加
& h9 }6 {* n, o若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!+ V, a, D8 p5 D3 ~+ a& C, w% w6 Z
- e. c+ H5 Y8 O' W/ P6 j' T
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
. r# ^# E& s0 p, evincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
7 \6 o: l. S0 M- k
5 }2 @% O% E- Z3 v$ X& D6 }

+ t3 b1 w$ D9 f4 }7 G    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
0 w5 T. X+ s  S/ e( ], \' m' ?# D+ }( Y/ x
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??7 J' y" o; e$ \& D
# `" {7 j0 N2 d+ _$ U( P% B
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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