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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias2 Y3 t" Z  ?+ F! J! p; H

% s/ S: D, [% Opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密. a1 U' A, m8 z: E# U7 ~; n5 `
大部分是要match
: }0 X2 H; B$ iMetal poly  density  不夠
- u$ D  N$ ~; o" T加ㄉ那些也較 DUMMY
( h8 f: W9 g  B2 ~, Z( j  M, ~把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 2 o( s" _6 v* e* q$ j

' @9 S0 e/ {/ d  u6 c* D* s! g  T: f
    感謝樓上的大大
9 w6 [2 |5 j( q8 m   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
# S  X% a, U9 n2 `3 @; S
  h# c) M7 @2 Z2 J! j
5 u8 k; [7 b/ r    感謝您回覆的這麼的詳細
: f1 W4 D: g( W; j! n0 S: G; `: b您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
4 {4 S' V. Q3 o6 }# K+ v9 L$ Q% @0 f1 l: m
不過簡單來說1 w. ~- v8 E+ h  e9 x9 c% v
在製程時食刻會破壞掉你的元件. m# Y  G' l* B. A! P4 y) E5 N" ^
而特性就被損壞
! }; _! E4 r1 a  f. C0 r. |9 F: r& I
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
6 z* W# Y6 H8 U所以蝕刻吃他最多5 A3 g2 u; N) I$ `: c
主要部份特性就不會被破壞
6 C( N" j+ _$ A! m  q5 N
# e3 |, C1 ^5 X7 s' H; X很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>0 V( |3 A! P2 O  e6 M6 N
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享6 g& f" t% |2 {
- r, P2 o3 i: _; R) N0 o6 Y6 v3 `7 n
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
! _: ?* g1 N% I: a* O# w/ m% E還有電容也要加3 o* Y! ~: z0 {( p
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!' d5 r  I/ h" N1 \' J6 n$ O
/ k. H& M; G* b. j0 g
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
% r4 j: l  a5 j# Z$ Z5 l; t( T% d, f: zvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

) f7 ~: L  a& L+ \
4 ~+ W% d! q" ]. D# P( r3 |4 D
1 A" X* H, N2 b1 w    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
( n% m8 i9 }) |2 q6 a- b0 ]9 L
/ ?4 S$ C- L& y( w* r* S  o; o如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??& A3 b1 H. m, r. @4 |( @
, _9 Y; ]+ t7 r2 k5 l/ [
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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