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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias+ r* A) y- }8 M; O5 T. S
. W+ x+ ~7 Q( c
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
, o6 Z% u- ~( g4 B8 X" E/ }9 [4 c大部分是要match
: Q. h8 G7 l( }7 UMetal poly  density  不夠* [$ b# Q1 p' p5 @! t' ]2 s; Z
加ㄉ那些也較 DUMMY : Z7 ?0 U5 s8 m; j4 ?/ G
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
3 ^- s+ o7 {% x; J: f0 \, x2 d7 y, `. U# k
) f. [6 g4 s. o8 R
    感謝樓上的大大
: d3 ^/ }7 L( k+ G6 Q   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 - z3 L' J* Q  w/ D6 B$ G
# _* _$ \# }& L' l% h

( G! g  p8 M, a) s8 l1 S1 j    感謝您回覆的這麼的詳細8 B+ A# ^: ~1 S6 a
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!, L3 Q; ]. x9 b
' _. G: {' W8 H+ g
不過簡單來說
* M+ D" g  a9 M2 G5 Q* d在製程時食刻會破壞掉你的元件; f" P. d, I* s  @
而特性就被損壞
+ f" u8 k( L2 t. R+ t: V( g9 S
' D3 }! G, A; }  {8 K2 c0 r% f# {; {& b) ?若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
1 l2 V6 L, r! [1 I, l7 `4 n# v所以蝕刻吃他最多, {9 N& G; ?. k9 j- B( X
主要部份特性就不會被破壞: l2 n  O/ N" r1 C
: `9 d* k1 j+ J/ }
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
6 x4 W0 E5 R2 c% Q所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
3 _- ?1 m7 g5 ^4 \1 y, Z1 \2 o, e, @/ M* v( u
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加, y4 d" R5 @6 g6 D: v! X0 m
還有電容也要加- L: z: p6 e$ `# c: H& Q2 j) ^
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
. E7 o- B4 h$ N) V  i% L
: q; L9 Y% A' T: v0 h9 X* z( Kand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
1 m( I. s7 e9 v8 O) [: [/ hvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

8 B+ P2 z7 l% v
# n: E: I3 [3 O: h4 x" o& p
1 _) T" |, u* D* W& c    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
: R8 I3 }3 S: B  _8 o) E" C8 Z0 i
! B+ k4 H* s  j0 N0 F0 m5 }如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??: \; P' @1 s- [+ ~8 u% m
+ I4 G1 F' P" o, L+ ?3 H
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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