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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
# s! _% O6 H/ L8 j5 r  T* M0 {. `, D
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% E+ l  \: e0 r1 M- f大部分是要match
+ O( I, ~7 N: s, ?# \3 ^. ]Metal poly  density  不夠
  e9 E+ N5 V  y; r) H0 \; [6 t加ㄉ那些也較 DUMMY
5 F; s2 o. o3 E% g- p: X2 ?把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
5 E' r/ X7 p. `9 o, E4 b! H' T& M8 p" \7 `: O
* _& }% S. c9 Q. M
    感謝樓上的大大
0 B0 }  {/ |. U% ~' G5 _) S   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
+ h; d4 Y4 G1 f3 C9 y! {+ A
- Z8 b1 H5 b; s2 K, ?0 v! ?& a5 D* B2 _+ U" u
    感謝您回覆的這麼的詳細  w6 c; z2 a* i/ X3 f4 {, Q. Y
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
$ k& t0 m; v" q5 |- ?( ~! H4 p1 n* g: _8 C& W% y
不過簡單來說
$ V& }9 k; g1 T2 p# K* x在製程時食刻會破壞掉你的元件" D5 }2 p1 K) D3 `  b
而特性就被損壞
; a& \& \7 b; f! y; g" W: ~3 Z
7 m' O% f1 G- z/ d0 @若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
6 ?3 |9 @3 u! E. H所以蝕刻吃他最多$ ~3 s: Q* v& O/ M. a
主要部份特性就不會被破壞, w) J! X7 g, H, u3 `2 h* g

4 y8 @$ v5 c. L: \( [7 Z1 S很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
$ o5 N3 D4 |0 O* ~4 j& y3 e0 |+ y所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享" X4 C2 i9 D, V) C: J- i* [
; }6 D, }1 Y$ j
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加$ u$ k* z/ k. Q: @- r# E2 X
還有電容也要加
7 I3 v' b$ Q0 d( ?若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!- R6 n/ `2 [, e& [5 j8 S3 s
0 k( F2 ^2 f, o# \7 C
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...4 q3 `/ A) q3 K/ Y2 H
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
5 p9 n8 A& D' Z+ N- o

" x  H' \9 }' m$ S/ F+ ^  ~
1 a1 t7 u; {1 C& \' e7 {5 P$ A    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
. O8 F( T& @0 t" |& r
: O; D: x5 X4 r& r1 f$ N% M如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
/ v7 i1 C' y2 Q5 l* v/ `7 x* n! `* M
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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