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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias8 y, ]. A" e- n3 ^

6 l! E0 w- b0 z" K* m* gpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密. V6 O! o$ j" q4 M  ]# t
大部分是要match
  b" l4 [; t3 J8 E6 zMetal poly  density  不夠
( }# U- I1 Y' H5 ?加ㄉ那些也較 DUMMY
+ {0 R4 Y" G+ k; \/ H2 i把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
7 S/ S* _1 p' A/ B8 C9 B, Z! ?- `+ u: P* [! O* k6 a
/ {9 X2 ^6 A1 U" G
    感謝樓上的大大
7 M7 j; c2 |0 v& ]5 h1 l% o0 e   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593   w5 r- z  }1 y' I; ~

) X4 c# X  P7 S" H+ M0 \/ m) {
- W! k: s" {1 U5 p9 ?: c+ O1 O    感謝您回覆的這麼的詳細8 H) K3 C9 s$ d5 l' ?
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!4 k0 X( s9 s4 Z/ @
! y* X6 Q4 K* n+ W/ j
不過簡單來說
& g* v6 B& n  J在製程時食刻會破壞掉你的元件
* T- F$ v2 ?. V' E; E' J而特性就被損壞! y' z& m1 g) @

; T0 _: ]/ @/ X8 K% A% `若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
0 C9 p9 _+ t7 l! O5 R所以蝕刻吃他最多+ p  q% R. t. T6 J
主要部份特性就不會被破壞5 o4 U4 q5 a* b; Z  E. k* P$ e

" p& c  V+ s: A* R, J! a很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>8 z4 z1 c8 \, }- T: y3 n+ ?9 J
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享% n! e& Q) M: A" C. j6 r6 d

6 B0 X" ^% C& l1 u2 d; a/ d2 d' f又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
8 x0 ~5 g5 B6 L* E還有電容也要加
! D: B. c, }( D/ t) |若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!; R# u$ l4 N: ]* {" k, ]0 x. h
' M) C1 q; r9 g9 G5 R
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...5 U2 V9 ?! r4 P, ~
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
6 F1 b$ \! S5 x

& `# a* k9 t- ^3 r3 |7 g8 @. F0 B/ @0 o) ?' Z
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
! p9 p8 H( |0 o  u1 N: ^0 {, J+ }
, L& t" C1 d7 f% s6 d% j如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
1 u, s7 _8 o  _/ Z2 x4 m9 p
- m6 b) \% u$ |5 U( g數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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