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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
5 N1 Z& D- j, c9 W- [
! v- O( F9 ]  w: Gpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
5 R/ A3 k$ \) h  G/ B9 @大部分是要match
2 b7 b" X+ E4 |, m, Y" b! uMetal poly  density  不夠
( K, M0 K* C7 ?3 }加ㄉ那些也較 DUMMY
2 i! x; d5 f* Y0 e把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
. }! R/ n8 ^( R& k' y+ s# C: j2 T8 C5 \" M: J( F9 C, p
0 S5 E- C% n7 ^5 \! E
    感謝樓上的大大/ K& J+ j6 N1 `$ {' |
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593   ?1 H: O7 o& V/ d: k
' i) d  U' o3 ^  w) C+ y- k' Z

; d! c2 X1 U  d/ G! l9 M: F9 V# m    感謝您回覆的這麼的詳細' |- _! T3 G9 e+ w* t) U9 \
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
9 Z7 M/ P! H* O* U3 s. R$ r0 P9 p; S0 D4 p
不過簡單來說
7 d/ A( I- ~0 ]' J在製程時食刻會破壞掉你的元件+ A/ a- A! A# _6 @" Z% L" \1 k
而特性就被損壞
0 F/ c1 S- `9 F, b' T$ ]/ q! A3 e+ r' W2 V2 v& W: K
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>; s' K: z5 {' b
所以蝕刻吃他最多1 h$ g( ^' s* t$ P- T: z3 p
主要部份特性就不會被破壞
8 K6 F0 Q: D8 V( W/ N# Y( J3 Z6 `& B- i! E
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>9 C2 j/ w9 B, O3 N, u* a
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享+ ^2 a$ G2 O# H9 J; u' v

! W; \& s& R* F# y. s% ?2 p又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加! Y& \2 E  D+ {- B/ E, d
還有電容也要加
  @6 Y' ]) h/ t& f& h9 p若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!. B: ]( j6 c1 V6 U7 Y  p% O& p

, H7 s4 M  _; F* o- Qand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...# ]1 w1 K6 s" e4 B% o4 X
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
/ V; H" q9 I$ p# T; c! j
) O; `+ v/ y2 ]4 [$ N
6 [4 I* Q$ ]$ E% m  A
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
- O8 P% j. a' w8 j
* w! W1 Q( }4 T/ g( [+ f  U如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??' f+ R& s+ g9 V9 P, H* o1 [$ f; }

4 e8 Y. N2 ^0 A" n( W& ?' l數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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