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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias: K! d" `$ v! X0 B! [; J

1 [- c: Y8 y. ppoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密$ A/ Y/ v6 o, A$ E' Y- R
大部分是要match
( M+ o& b7 Q2 c4 ^Metal poly  density  不夠% A7 C7 [# T$ f4 ?! R4 u. g, |5 X
加ㄉ那些也較 DUMMY
2 Z- x8 X3 O0 e; {1 y' ]$ [1 f把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 0 M/ z$ W; b' V6 b
& T" ?$ ~+ _/ ^# _

9 {% i8 R3 ~3 T. l) B9 |' ?    感謝樓上的大大
$ i: ?# {& z+ s, V5 [1 a   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 $ A  S- ]  U9 }
' U& h/ y4 _' K6 @1 |5 h
! V. ^+ }2 s+ j% r, @. t
    感謝您回覆的這麼的詳細
- i* @) i: }: p' m7 D您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
0 r0 Q8 V6 c* w
5 A6 P- L: D. X# g不過簡單來說
& c* |: L1 Y  Q2 [, T' F& h$ P在製程時食刻會破壞掉你的元件- H! l0 N6 f0 F! L8 ]! A$ K
而特性就被損壞
' I2 q9 X; `0 M2 S& W" C5 k7 X) H+ T$ E5 O' P) v
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
! N- n+ t7 H9 h& O: y: w0 d所以蝕刻吃他最多6 q4 b4 N- D4 I( I) v
主要部份特性就不會被破壞
/ g* ~2 P  Z/ |5 v. P$ D/ N' `+ R' `; d( c% y
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>2 x% G2 M# u/ a. S& W' u3 @6 r
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
: A4 D: G% l( p* i0 z3 {% \" J$ _8 \
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加% O- x9 A  e- q/ Y
還有電容也要加. z1 F+ ~4 @' |
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
; \. Q5 ?2 I8 K  L: T8 w2 a9 t8 L" E* R, z8 Z" G' v
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...* B* H# {& Y3 n! b2 m, q
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

& }2 v# P% w; R1 `* W' O3 L9 a% q6 X, e( n

# x/ h7 r) ?' U1 @& S% k  \    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
8 v0 j; u1 g' ]* ~& d7 v' k$ e' d- Q4 a/ N
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??+ f" v$ u! y% |" n

& L+ H* ]. Y3 r  F% z& _, C+ g數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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