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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias- |/ W/ _9 [& J
( ~& F- N6 O  e; Q' F5 `
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密  c) U* ]% k! s4 y! F( G& K$ G
大部分是要match
" Y8 N9 i  `5 }: y5 M, t, K: Z8 t+ `Metal poly  density  不夠
/ N' e& F% E3 {" n加ㄉ那些也較 DUMMY 4 t$ H) L" X- ~7 \1 P* |+ V
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat + a2 m: E4 Y4 s7 x7 n
9 d/ r6 @3 Z$ f- @' f" Q+ h0 U
5 ?8 c0 S# S; Q! c
    感謝樓上的大大/ K. c0 G0 {6 E: I+ n
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
* A- f6 x( E& v. a2 n
( ^% J4 O4 I9 Q& m" f3 \
. z( I( F4 j3 r; D( ]    感謝您回覆的這麼的詳細& ~, @1 T* t/ J# c
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
. }' H1 R/ X( G# M! D7 V2 X# s  i4 v. [- u9 O
不過簡單來說) h6 o' \) `6 d; O1 [; A7 |
在製程時食刻會破壞掉你的元件
5 t! m; A' L% i而特性就被損壞6 N: T4 C& [0 Z6 t6 Y$ Q, K

& v- \% ]% ^$ {/ Q) b, L若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
) g( Y' r. W/ [, j* i/ f: V所以蝕刻吃他最多) w3 Z  {! A3 @* F7 Q
主要部份特性就不會被破壞4 W+ l2 c7 O: Y0 [8 {; k

0 ~5 p& ?- Z# K8 R- x很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
2 ]2 }- B4 w9 ^" L/ {% p1 m3 K) S所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享- a$ ?  N$ T3 C$ W

! v$ S( Y) N1 s9 P又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加  `2 E# e, b3 q$ V
還有電容也要加
$ N# O. N' ~. g+ O8 g; X4 `1 \/ m2 s$ ]若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!) f7 [8 H& O, l* e- E+ I
% k! _2 B: o3 R' @$ A
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
( a+ r5 n: N2 q- f# K9 G$ C" `vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
( k$ A$ b5 E5 {4 m6 d8 B7 a
; ~% z& r2 k$ Q7 }5 l+ s* h

) Y  z! N6 r) a6 q, O: x% A6 R3 s    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
5 n) c2 T8 z; K5 `5 G
6 ~8 U5 r/ R, n6 ~( B如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
# ~& Q3 E" }: |/ [5 d) Z1 V# q0 ^1 @
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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