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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
& N( T& _, b1 X* |% P% m( x4 w  I+ u. B+ G% w2 X& ~/ t* Q% \; |  R5 b
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
/ c" E3 e: r) T7 v, `( n/ d: V大部分是要match& y- U# V% u/ n  m2 L9 ^
Metal poly  density  不夠4 j9 i7 D8 I2 [  f2 H
加ㄉ那些也較 DUMMY
8 I2 x+ K$ M2 t7 }2 c把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat , Y" \' C1 g! Q! r. |4 F* |
' [/ e! F2 V3 ^$ g

) x, @& \/ `: D* q9 n$ ?" v7 v0 S    感謝樓上的大大
" e* i% S2 S1 X. f   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 * t9 k- Z' {8 D% o$ H0 J& J: q
* m. i5 p7 r1 x* S, Y
7 \& ?! X; C( n+ S; o' }) w
    感謝您回覆的這麼的詳細
) S, ?* s; w$ ^% Y您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!% h) f; }/ J$ s" W6 J& u
( i5 Y' T: T* U$ u' _6 s8 X7 k
不過簡單來說, _  o: C2 j  o- b" B  S9 s; f
在製程時食刻會破壞掉你的元件/ R) M( M4 F) i
而特性就被損壞
4 ?. D& W9 d  c; R6 G6 T$ `% Y* t' c$ `$ `+ x; n/ v
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
$ X: I- h2 R1 c* y5 }& \所以蝕刻吃他最多: E. m: f( q% W. E, }  _
主要部份特性就不會被破壞
3 k0 Z2 M0 K9 d  y. a7 F* t
) V. y% h5 `1 c$ d) _+ a* X很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
: k+ x8 W' `( O" [4 X; e4 @所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
2 B8 B$ O. j2 `5 Q; z" f0 D3 b5 z7 R, N
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
4 @( p( w  }4 z$ _  n0 j還有電容也要加! Z9 J# c* p/ D
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
8 F- V( _6 J5 z( Z7 j+ y; r$ _- [; E
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
( H% B# n+ U# y6 h5 d& `9 \" Bvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
, j6 n7 J* ?3 r8 U2 n0 u
4 D. A4 @9 d% M: u+ Z

2 T9 P; ]8 Y3 D: Y, Q    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
9 s5 u" \' ]+ f7 e# `, [( B
) _# D# t4 R% U/ I) d0 ]如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
; ^* W5 c' U- n+ _2 B3 `% A9 I6 L, v. k7 x
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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