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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
$ p0 [; E+ V( \
6 G1 ?) C. P7 A5 [  z/ q$ xpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密7 q( u0 H# x* R! D  v
大部分是要match' M3 L. |9 m% {$ ]( K  X
Metal poly  density  不夠
) l1 }& d4 p" k4 G$ a8 x  O加ㄉ那些也較 DUMMY + h% l; J9 h0 w$ j2 j( @" @
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 2 \$ x/ f: A8 n

% e8 v1 J$ k' \, S4 k3 S" s% z2 c+ y" m% U5 o+ N5 @
    感謝樓上的大大
" H3 z( i7 L3 i% \' C& z   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 2 O. Y7 Y+ r: ^7 \' D* N3 v, O
" [6 _6 X2 c, n  J: O
/ |% D  c& Y2 b+ P/ U! K
    感謝您回覆的這麼的詳細( M/ O) P+ g; F% [2 _- k; T
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
6 A0 H. E, a8 e  e# @! [, W2 w! D5 y: O- r
不過簡單來說  ?1 i3 |) i) M3 M! S  G
在製程時食刻會破壞掉你的元件
0 ^* K$ k$ k( w7 ^& m0 e而特性就被損壞
( d' z5 i7 G* q5 {' y$ P2 U0 h- \$ E% Q+ f+ J- [% |
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>; S# [% C' [$ z9 O9 [- I& c1 O# C- n& @
所以蝕刻吃他最多$ S) ?/ b/ G; ?8 m4 d; p' S
主要部份特性就不會被破壞
5 n2 h  ~- n/ v0 }, g+ E9 _; H. J+ _) e4 w6 e/ \# c
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>0 ]8 V3 u  N% ]
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享; \8 ^( [, v8 n. ^" ]$ v

; @# B' Y" h8 ~% R+ K& l又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加  C: L% k3 e* d+ B
還有電容也要加/ Q! v! G8 ?) E0 ^% B+ D+ I  P6 V: W
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
! w8 N6 {% v# v! E+ ?! G& w( ]  l* m: l5 R9 N& {0 j3 F
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
& d( B/ `# c( b# a3 yvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# r/ [& b5 g; A2 w/ j
* d+ \9 ^  y0 e7 z5 z( f
! e) [8 l% u3 h0 }' c; X! I3 V    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
( U$ J( J/ Z% i
  p7 u0 e* c; Q  [: A* _如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??7 ]$ A" D, W2 p
; x* b. L8 T3 r/ G* K" h7 _" {
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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