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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
& p2 O3 ~% {- J0 H$ w1 ^8 m. t; t: j6 v0 e4 A* b
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密, o; [1 g+ f8 _0 D$ b; H
大部分是要match
+ }' Y/ V, f- [Metal poly  density  不夠
& {: f" @7 W2 X% n1 ^加ㄉ那些也較 DUMMY
& U' t& t6 Y0 E8 H+ l$ s把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat $ f( o. C0 P, U& O: a! H
/ d/ k7 ]6 o" \7 e8 r+ s

# T3 ?) x. X3 t$ }. a1 P    感謝樓上的大大
$ p. ~2 x/ s3 e7 a1 W6 `. D   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ( d" S0 f3 Q0 ]5 ^( u

$ t, V+ [$ p- a1 e# M$ l6 n8 w9 h" B$ |$ n# V. u; k) x
    感謝您回覆的這麼的詳細/ r, s5 {; x  P# z5 c) N# i
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
* ?1 Q4 `+ G/ T* B
( k2 N3 D) k. n; T, G不過簡單來說  W  U; i7 d% }
在製程時食刻會破壞掉你的元件) `: D; Q3 {  ]5 P
而特性就被損壞
* ~$ k' q7 Z9 c6 [% F
% P' _7 A2 o- P若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
4 _) s9 J) L1 r8 f  K- J, u所以蝕刻吃他最多7 V+ _5 c5 {; r, s5 P+ m6 w% M
主要部份特性就不會被破壞4 |" E0 q. b- g  c' S+ m
0 ~+ \6 I* Q2 f3 `+ e
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- w3 f; ]2 ~. m所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, D& ?( M. }6 \2 `, P
! T9 z8 F+ |& r) ~又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
; f# X/ X. }( J( o6 @1 u, y還有電容也要加
3 p- v0 F+ T6 o/ t7 ]! y若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
0 b* ]$ p6 }, s  B9 K1 G# z- c5 n# G% i
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...; b4 ?7 @# T; c& [* R
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

7 D5 F0 S4 p' `, y
1 O, T0 T$ c  H8 V) m
, r3 e$ C# v9 ^* v5 @9 w3 s    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??: g; C( ]5 i7 G0 M

$ p: G0 r$ a6 @1 |. q+ k如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
1 Q, z  k" F, E2 Z% s" `3 Q2 m2 N. Z; Y* G
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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