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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
6 r( d& O: W/ R/ U2 I% @2 r! y* O" Q# h4 C; I
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密; Y! g9 U7 [# f6 ]3 P7 w2 ~
大部分是要match
* |/ x+ n1 z* Y! _) C5 S6 X* mMetal poly  density  不夠) ]' {( J& x9 l4 ?7 W
加ㄉ那些也較 DUMMY
% g8 _- x, c8 t1 \0 N+ i) i( u把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ( g: c2 y5 c. k; w

3 @2 N" \) R6 ]) q% ]5 }6 E: }$ Y% w# |+ q* {8 V
    感謝樓上的大大
0 k' W2 F, m3 W) B   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 0 {- N% K) b. Q: E
" I6 E& P. E1 b. ^4 f. o4 T

9 Z( u- ]4 W) \# C2 ]5 c% K    感謝您回覆的這麼的詳細
4 o# W# H2 I% ]) Y5 U您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!, {, ?7 e; ?2 ~( _

9 j0 O5 k, [' ~- m4 g不過簡單來說* S; o; v  e# E3 M8 r- d/ ^
在製程時食刻會破壞掉你的元件
1 p' k$ R: }, k& ^而特性就被損壞
8 `1 q4 Y/ Z) q9 Z5 w" L
# s0 `) U- y7 a5 ^若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
% H" |1 a0 o$ E4 |) l. E, r8 q3 O所以蝕刻吃他最多
2 C- B5 Z6 P/ z9 h9 I% L主要部份特性就不會被破壞) T/ v  V. [; D; N1 d+ W

4 X% Z0 }+ ~( }, a2 z0 d. ]很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>  t" E$ S  A! }8 B' b7 v
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享. g+ M( x- K6 K$ l4 [6 b

2 \6 z+ r0 q! G  I: I% T又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
. y$ t" v' ^1 s9 x還有電容也要加1 d! W- ?- \$ P2 ~7 r; G( }
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!5 D1 u3 }% x! Z% B
' i2 ?$ S% [9 G
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
  P  E" B- _( S. _, G! hvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
6 j+ n2 E  ~# _5 {# D7 O! O

  S7 m5 b3 v( [. y: O# ^! ?1 s; {2 S2 [* C6 F
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??! A1 H% _) i8 `- W6 \% l

- O, P+ E: l" @: [. |9 {# ^3 L如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
1 ]2 `0 m$ o( X! W9 m6 t$ N/ }# Q  M4 u' e0 f& H0 z" Z
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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