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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
" f2 u' a5 m4 B
5 ~+ ~3 ?3 {8 G* F" H4 D  D! qpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密" v( V" k; q2 g
大部分是要match
. F5 |- u8 z9 K. Z9 nMetal poly  density  不夠
" n7 @1 m" B  `- `9 t% R加ㄉ那些也較 DUMMY
* ]4 C2 J3 K* B( e  L+ S: d7 @' Q把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
, w( s8 S, Z9 w; w0 [, w# h/ x* R: p0 Q
0 d' \* f+ M, @  d
    感謝樓上的大大
) P" G" U( b3 ^6 b4 S, T7 R% }   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 6 o8 h7 O. Z! f8 s  \

. C0 F& |4 z" m( O' W& w* Z; z- m$ q5 K5 f; y( O# u
    感謝您回覆的這麼的詳細0 I1 S* m0 m. @# u
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!, p4 M( w* t0 j; l) V
) n- F* z+ G6 j# k/ q
不過簡單來說
, t, \4 i1 q/ E- c8 v% s' s在製程時食刻會破壞掉你的元件+ d" P; q* b  y% w) J# i
而特性就被損壞! y9 f; B, y: C2 l& h) X" f( F. `" K3 t
; G5 p5 i  |0 _3 u8 E
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
' F( E/ R$ }  B- f& C所以蝕刻吃他最多8 M) S! H0 c( c
主要部份特性就不會被破壞/ R9 ]* P: ]: x( r" M) K$ t

# C0 @% G1 J" F0 b6 o8 U; z! p很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
8 s7 ~3 U5 N' i$ b4 g; A2 h所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享: x+ e( ^+ s, l& [

$ [3 }' G9 p# s' H: x0 ~' ~* M又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
1 \# X3 h, E  S- Z, `8 A7 A0 D還有電容也要加
% ^/ r1 v+ Z8 x7 Z5 r若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!% q  Y( r( G8 }  p7 A
3 d* s  V" R. n  a# ?
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
" U% `% a3 X9 X2 L# F0 f% b1 \4 Bvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
. B. W* X% W0 F) m
, ^9 }5 z" F! h  t8 \

2 ^1 ]) P2 @" [+ R: C8 {    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
  k  a0 I( ?; I8 e1 h: @* ^# ^( k- [7 p! @* Z: H
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??9 y! g- l) [$ {1 |& P. ^

( \* |. j! D' E' v+ U  ?: _數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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