Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 55153|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
+ ^2 i7 n! x1 K: S) E" [$ I' m1 n' J/ y( c
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密/ |$ e* h! l2 k1 g$ {1 a. l/ w0 J
大部分是要match. `- p1 A" u& u$ y7 @( C
Metal poly  density  不夠
, {& N8 |$ h: O- x加ㄉ那些也較 DUMMY
1 V  J0 ?- f* o+ `; d! W) [9 g把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat $ j; E& P0 E( `8 c
) E; `5 N) |9 x1 U
6 u3 s$ P! ~8 q+ S* G% N
    感謝樓上的大大
9 [* B& \4 M9 z# X- N   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 - X( n( p7 G9 Z( o* I# Y

1 z- t# Y7 z8 q/ K4 ]* s" {0 K9 ~) D1 u: }
    感謝您回覆的這麼的詳細
4 ?3 v% l+ I8 ?1 }) O* {# V7 v- ~您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!6 r/ P5 w' j. [2 |; |1 t" z
, N5 x/ H0 P8 m2 @. R+ i
不過簡單來說
  _9 ^, s( E7 z# c% z  w在製程時食刻會破壞掉你的元件8 u: Q* [. q) B% a( Z! _0 N
而特性就被損壞
+ O. b3 a" F0 t+ P
/ A) b! G' C) M, j# F$ ]6 d若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>- _( v  L" }0 }) h
所以蝕刻吃他最多
% m% h! ]: j3 f( }主要部份特性就不會被破壞
+ m6 J6 m& a3 i2 M& k
6 w  D5 `! @) n& q6 j5 C很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到># P) y# h  K' y/ M
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享( {0 z0 C3 @. `$ m& g
7 f% W0 f: k0 y% Z+ A
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加) b9 S/ z9 l, R8 O! Q1 e2 @7 g
還有電容也要加
: \$ d* l8 b, J/ c若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
" p+ K3 I1 ?' W/ w: ^5 _, _1 `
3 @9 E) R- M2 Aand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...: V  L& d2 g- t1 L! G3 x
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

! r( a8 F7 L5 }* U  P6 ^. [5 s
) Y8 `3 y6 Y( ]
, P1 C/ T5 K; |1 V7 |& G/ X1 ~    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
" H3 i& l5 |' I# y6 @
- A5 F' h. [6 N5 [: u. J* a4 G8 N如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
; b% B2 U7 p4 n
# ~9 Y6 H, c/ W; Q% h數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-9 03:12 PM , Processed in 0.182010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表