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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias! l7 `0 V# w5 Q$ D
8 _& |7 F% T* P( J2 B2 ]; M0 w4 ]9 V! M
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
3 k5 N& Y7 J8 [, E4 ~( o大部分是要match
2 W7 g7 r4 T. a# r- x% Q* ]* yMetal poly  density  不夠  _0 K) [) ~" I2 M# Z
加ㄉ那些也較 DUMMY
4 @. D% [" z# e1 ]! y7 H9 {3 }把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
! \" V6 r8 L6 `/ q; i! Q
( ?! X2 r. b5 G" @' ?
8 ]2 Y. K) L5 R/ a9 D5 s$ _    感謝樓上的大大
4 V; W, C3 ?# ~+ U3 T$ A   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 7 k: n: g0 M4 z) P0 x! P

: l# h' a( M4 e# s( |
" }( ]$ I2 o9 t' A    感謝您回覆的這麼的詳細
) z+ |: |( ^, ]- v/ u3 l3 ~您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!* |  }# Q' a: E3 o- f1 r6 F

1 t* W. n3 |* e0 x( u% [不過簡單來說
7 Y# B" N; K0 c& P1 [5 k5 c在製程時食刻會破壞掉你的元件
* Y8 f' e8 N+ e  a; f6 T! \0 i9 R1 c' B而特性就被損壞
# e9 ]1 |' K) S% e3 ~# q- L- a
2 L  N, b- d1 l  S若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
! ~7 A( B; H8 U6 |所以蝕刻吃他最多8 |( P" ^, M4 _6 \1 {
主要部份特性就不會被破壞
# x% t9 D  s! _4 X& S0 E* {) c1 s: j* W% Y. B& c+ Y9 i
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>9 E! x  i# w+ u/ e
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享  q5 O% u6 X$ k6 u3 h
3 m) g: z7 J) P' Q5 [% a
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
9 t1 e  C# }' S還有電容也要加
, [- _+ `) K' I( }1 a若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!6 v( B0 p* A+ G, [' v
% B5 m3 n% |0 O7 x7 e
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...$ B# K. p  r+ h' \( l, q2 ~
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

( V, H3 ^( S+ Q, t8 L! ~) ^% s0 V8 I* I7 C+ l0 V
( E8 I6 B+ M5 A2 p  |( p0 l1 E
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??: C+ w. B* b" Z1 g2 J8 O

& q& j# ?. Y3 N  f& A如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??% m# b8 p# W- b( D4 ]# q3 U& R

" v; W5 L+ H2 K5 ~$ K數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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