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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias' A2 t# k" l( t% l
, n- c2 ?# `# t9 F" x+ [( n. l
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密8 V$ S7 u) J% E& b$ X) ^8 s& C8 N7 Z
大部分是要match2 X+ m, Z: j9 d% D( y( B) {; g
Metal poly  density  不夠  m0 V$ Q6 x5 i7 q
加ㄉ那些也較 DUMMY 2 C* d8 k5 ?) Y) E
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat / y, T( c& W. @) M' R

2 a, l- @# Y3 p- B# f, d# x1 k+ ]/ b4 c+ h. Z1 _
    感謝樓上的大大# V) i* I9 Y/ G/ L6 z6 V
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
5 A7 G- _: d! r' e# ^# ~2 g' f0 {. i6 [- Z" i2 v3 r( F; W

6 w/ p& j" }- `+ {. u    感謝您回覆的這麼的詳細
- W' J1 l) r. Q. n$ R8 i, r您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!9 n8 J7 L, j  }- Q$ Z

5 f8 |, r8 J/ D' n  ?5 i不過簡單來說
5 D) P6 k, `+ j: `在製程時食刻會破壞掉你的元件( k5 {6 v6 M5 @% m3 L2 A3 n& N+ |3 c
而特性就被損壞
& t: g1 A5 n& y7 x0 v0 k5 |8 W5 M. e7 C/ w' A/ g$ @; O' E
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>0 [9 G" H; I% D4 Q: J8 E2 ^" _# H% O
所以蝕刻吃他最多
" ~$ M& H5 ~, U1 |* S8 G主要部份特性就不會被破壞! y, S- n; m$ y4 l, P) q1 b2 a
7 J8 e( }7 ~" B) o# e
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
5 s1 w5 ~: K8 K( j1 H8 @所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
3 d5 c, j* A3 q0 q8 T& Y0 f/ ?
3 }/ ]9 x/ e+ |4 w0 q, n又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
* d- `  l1 }) L' ^$ t; t* g0 u4 r還有電容也要加
. U9 Q* Q( a: m) U# J  k若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!# z1 o) l! L9 v0 h0 O/ }8 _

+ o5 X) X& ~! Z2 @and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
% b  r3 j) P- M+ R: d1 ?; ~vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
3 z7 q# {3 y4 o% |2 y# p2 R2 c2 J

$ e2 m. `3 ?, E- H( c5 S/ Q; c( d
! R6 e' B# Y  x    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
5 }( z6 G- g# b1 Q; ~% k# P  {5 W0 J8 t. _% l
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
$ H( a9 V! L2 p7 e
9 D/ \" e, I- {5 r) H0 h, R數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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