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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
4 q4 i4 v  \& p1 i1 P. k3 q: Y) {5 t! C8 [8 {
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
4 k& ?$ H0 j' t- S2 O4 e大部分是要match
8 T4 y+ n6 ~) f1 v6 L7 V6 |Metal poly  density  不夠  ?6 z% P6 I4 ]7 f  `8 d3 W
加ㄉ那些也較 DUMMY 8 d; M' D0 b$ l! ^  C
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
1 Y. B1 i. j' _  z2 l- ?; E5 Y. h& {7 X* o% T; C
8 Z0 b6 @5 w8 }2 V0 o5 E
    感謝樓上的大大
. T, G1 g8 j3 i3 _4 j% J0 A   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 . Q2 c5 \8 k; t' c; l
; r2 H$ f3 n- H3 h  V6 g& X4 O
4 l; }3 Q$ p! i  s" b6 M
    感謝您回覆的這麼的詳細; w/ M6 C* [) n5 v/ S3 v
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
% g$ }7 \$ K7 T! Q* b1 r
, E+ l  w( J( z" y. E0 @2 t( W不過簡單來說4 M8 H' T# q! R; }! T' ?
在製程時食刻會破壞掉你的元件$ I( k2 S; M$ ?* {; Q
而特性就被損壞, N' v; Z7 U- Y* e- m3 b
; H) y( V+ N1 y% F3 n+ x
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
. b% [5 k; t1 A所以蝕刻吃他最多
! e, q$ _& ~/ A, `主要部份特性就不會被破壞
1 b' s. H0 j# {+ Z$ W
3 s# P7 _$ F' Z0 q+ m8 ]$ q很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
2 Z+ K% l, B. K1 j5 y6 ?8 d  k所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
6 u. B* Q  O; d) U2 f$ g' j% _
1 T4 Y3 T* W( L( V又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
8 W9 W# ]5 g4 f) ^( Z  ~還有電容也要加3 l) V. n( R0 F
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!1 [2 N8 z6 I  r* b3 F

; e$ j0 t+ u3 ^9 ~2 r2 A1 r2 ^and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
. a$ d6 d3 j  C6 lvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

6 [, m9 I. w% ?
8 w# z# L2 X! \" }% `5 e/ X0 I
- c/ l5 @' }9 I! z/ O    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
0 T3 H* C! |! K
+ M  J- w) B5 I" o# c; h如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
* n) O. d% O2 ]
$ x% t( X! Z# ^. e. z" C( R$ m# O數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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