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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
) m+ `' D* U+ H* ^7 f4 I8 V+ E7 l$ v. D9 w: r: o
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密! v# A+ G) Z' u! p( n3 r6 d! O. R
大部分是要match6 v1 r9 s* p! c% j* T: w" c0 l
Metal poly  density  不夠  s; N* }6 H1 u$ ?
加ㄉ那些也較 DUMMY
& L) a" E4 Y. W* k* S1 |' w把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ! y. U5 |- g$ g
1 a: t+ N: P, q

" O+ V- b# ]5 o0 `5 k% ]; A    感謝樓上的大大) N1 J$ ]+ |( M1 V7 K; |- e
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 7 p5 G2 ?1 R& o& K6 ]: r

# b% i" @0 g( C/ r
$ Y) G5 e, C7 C7 B& x0 B( T    感謝您回覆的這麼的詳細
/ l1 V0 f2 r  r$ Z您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
) o- M0 Q, O  y1 y" `: E" o7 U; Y' K9 u% ?
不過簡單來說
; t  U' u  \4 H# }. u& p3 w4 J在製程時食刻會破壞掉你的元件
  A9 Z; M5 {- d, L' G" c7 A0 z而特性就被損壞
( L) u( b/ a9 N( \/ x
3 O- W/ p9 |, ?7 V7 i+ |若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
0 N2 a; d3 }: {所以蝕刻吃他最多# o/ x  Q$ X4 J- y; d
主要部份特性就不會被破壞
/ ^9 _" e" i5 }5 `* |5 H7 Q9 B/ _* W5 m9 y' G
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
  Z+ m/ t- U  ], g" _. O所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享% }) L- |) J# f' M& e! V

2 C" B# d" v6 W6 i: y: F6 ?9 e% Z又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
) W: ]  G8 w& i6 Q" D! N還有電容也要加
7 C5 \# U+ ?* |4 x" V若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!+ ~/ R0 S) Q" ?9 K
0 q) g2 j/ U, v# r
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...9 l5 ~+ }0 K0 V0 I$ i1 X' ^
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
( \& m8 @& s) K1 P0 j  V
) r" {4 q; U3 k' r

7 o! ?5 `3 e# E$ g/ t: Z7 _    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
0 c* A3 F9 X( R$ Q5 I- Q. u$ F6 K* p$ Y+ M, ]1 ~) p/ n/ A- e  @
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
; k$ r+ f7 d7 e) i8 ^, u5 y3 u# O8 O2 b% F5 ]
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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