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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias/ O7 \; Z) z, A* D* o8 q
! H+ `. P( Q) I/ S
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% ^: n7 i  N8 ^0 X' Y大部分是要match
* c" l9 w' g: S: n/ f( F7 a1 rMetal poly  density  不夠
) W. p0 c7 t& a* k+ _4 ?加ㄉ那些也較 DUMMY
8 S6 }: I  `7 ?* _把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 2 X# C+ z( `/ T5 O  r4 ^

: c/ `  j, |* U* K- X
/ I' ]6 L. W9 x, s1 |8 y$ e    感謝樓上的大大
9 H8 M- b- t% s9 T' @! k   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
; ]1 _( q" @/ U& x' b- O& K% t4 y
+ U6 D3 n# g6 }0 R4 P4 }4 A% D' F  J0 u$ a9 u9 O2 G) J
    感謝您回覆的這麼的詳細$ F9 }* q# D' s# J5 W8 }
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
$ M# m& O, l( R$ w
# Y; A5 Y7 K/ J8 s9 e不過簡單來說" A5 S" q/ y4 n" M* b" _2 m
在製程時食刻會破壞掉你的元件
  v$ ]6 T6 ^3 o而特性就被損壞
* Y5 G- c, ~$ D) h( l
0 N/ c0 Q0 ?7 J: h. j若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
" k$ ]) n$ Y  R$ K9 W" s; D& B所以蝕刻吃他最多$ Q4 {( n4 ]# P9 L; v6 Y) K- w
主要部份特性就不會被破壞3 T, S& H* T8 E) L0 p0 A
8 ?% y# ^2 h# O3 _& q2 i
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到># v9 j8 ^; Z, n
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享2 Q$ G# R0 O, b

% i+ {, O5 U5 y又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加6 P& U4 f: u, X+ o
還有電容也要加6 m! J/ b) h0 K' q9 Z: c
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
& Z9 [5 u7 C* z( f6 W. J% g
( q3 _- c: V$ i$ gand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
0 p! b1 \. f( v& `. T, Y) o' j! ^vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
5 L: m. t/ X% ]. h8 `  z9 D0 {% u
# \5 Y: Q, V1 M6 w/ Q

) ~6 u7 K7 w. ]6 \# R1 K    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
. N4 z7 b* P  S# O$ y
( z* z# h' b7 U' q5 ?9 E- @如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??" @( O9 w/ H3 P9 P

- k" L$ `( B/ h2 v* N, v) p數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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