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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias5 C* Z6 K) N& M  F3 m; R) e6 B* P2 R
2 }+ E5 L8 A+ f! X* B2 y8 R
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
2 |& j; g# c/ \8 ?7 P0 l$ T大部分是要match0 L. T6 k/ e4 W  n* u( k
Metal poly  density  不夠3 U! h* ^1 i9 b. Z& D9 ~
加ㄉ那些也較 DUMMY 9 K% o7 Q7 i6 o3 M' u4 a0 M
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 5 d5 J* k7 C  I, ~

+ g# c$ k# h9 F8 q) y- b7 k/ Z: [: L. s; y4 h- e% k
    感謝樓上的大大
. a7 b; A" A4 k   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 9 c! @; l3 F5 f" x2 }1 T, U/ c

3 x7 G: N7 a; \; Y+ M9 `- I3 a, x" s* M' y
    感謝您回覆的這麼的詳細- T5 d2 Y) H4 s' r9 c
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!! e9 q" D# P: G' R7 V  X5 R5 z0 L

4 R/ Y" r6 N3 x! R$ E, t" T不過簡單來說- P( r: w) a( G& g
在製程時食刻會破壞掉你的元件
8 Q1 Q$ D' f6 J+ C而特性就被損壞
9 N% i5 z  r1 J: A9 {
8 N! ?) J4 g. d* F若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>$ M8 G" h* ?  P: B! F
所以蝕刻吃他最多- L1 [: k" a+ m$ C
主要部份特性就不會被破壞
! x' |* A6 E/ g8 a5 O3 z
8 a8 w: E& t* k; T5 S/ b* }# D很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
1 A& u# T& i$ q% b& B- d所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享  ~" i  x  H) [5 u+ N( f( m
" b1 `/ `# F( Y$ C8 h
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" ]$ {2 v( |5 \& M+ U; q' W4 A2 N
還有電容也要加9 v0 d, j" t+ H/ X' X# H
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!" ^- d! t- n! `9 ~( ^9 T

$ i8 X2 d6 Y: c- x2 zand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
2 _: m+ z( @4 {5 M; E) uvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
) p6 `; {" V$ d

6 O4 t- W% q* Q' t, T2 W8 j
! s, H1 V7 w- d; K( R+ ^& ?    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
5 c$ k: a" y! R+ N7 Q+ ~8 p. }0 Q6 w" l- A1 `9 r, O5 y
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??* T* G6 Q( {/ d" g& E" s  P- \4 r

3 {" y  k- s( W: d4 H7 _數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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