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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
/ s1 O- R* F) R
) e5 c5 c2 d3 I5 c( M. fpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密" D% i( X5 d6 O+ Z. K# h. g: g+ M
大部分是要match
* k' q3 b0 S5 w/ _+ r7 T: bMetal poly  density  不夠+ L& P! Y; q  }8 l  O! y
加ㄉ那些也較 DUMMY
& J7 o7 e9 n0 y0 q把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
! n/ t/ R& H$ [* `
# O) A* `6 B0 S$ G* b6 p) X5 Y; L8 z3 w& k6 N" g4 r" }* ~6 L
    感謝樓上的大大
: F! K$ U( }$ R# J   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 3 D$ q: Y9 x  I; c6 R5 t: \
! w. k# I) M. F9 c5 _
( A3 D9 F1 o  s& ^" s
    感謝您回覆的這麼的詳細
0 m, a8 h" M5 T您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
0 _; @8 z0 Q3 U7 a) ^4 k, u
  ^. J4 ?+ B. G- F! s. U不過簡單來說+ ]" c' _: l# D, d
在製程時食刻會破壞掉你的元件
- r6 ]8 l2 a! U9 ?1 X% X$ J& u. L而特性就被損壞5 F: F; {" m+ |/ o& n

! _- G- A& L# _6 M. j若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>4 l+ S) c# L! b% [1 i; i
所以蝕刻吃他最多
: |9 C  j' t! A/ k% i6 W主要部份特性就不會被破壞* M+ n6 C8 k  ^$ U9 J

; q  R2 j# S% z* {很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>$ z! }! f' K8 \% i5 ~; p$ r
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享. {. U$ g  @% _, F# j- f) d" a

7 G% Q; h' ?2 a  J又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加/ x8 v5 t, r0 C6 n
還有電容也要加
  c6 I* B. [# K若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!/ s. C: N1 p0 L( g+ K. G
* @( w# J/ s+ o6 l- _3 `
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
' o2 s7 i6 |$ R1 l/ tvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

: o" n  v( C9 b$ m2 `8 U$ l, N; ~

8 u9 D; x, Z9 B0 {2 ?/ g3 S    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??& x8 S7 a( s. X) G- }1 ~4 q; p
8 A( w/ ]1 K% L$ \
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??; u& h$ W2 B  o0 I1 r
/ G8 W0 J5 h1 X6 A- b5 M7 Z3 X" |
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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