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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias* f& E9 h' L% w5 p' }5 k
9 B3 ]9 r7 A4 [7 W' Y9 P
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密0 |, M6 ~0 ^. @5 ]
大部分是要match
* S% g# U+ R4 I: Q4 a9 aMetal poly  density  不夠! O! m/ T' c# n
加ㄉ那些也較 DUMMY
3 D- x9 C! X: |7 t把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
, w( C8 s% x1 o, K5 Z# p
( w2 F0 q" D/ D: g2 v, K4 t& T. S- N0 L, s
    感謝樓上的大大
3 u" ?. E! Q# \7 a* D   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
3 P3 Q3 p+ d# d- |  i! _- R6 x% z  g
6 J6 N5 g6 u9 m( L4 `
    感謝您回覆的這麼的詳細( M) L, \) _- }  ]
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
; v8 c, R6 j6 H' m+ b0 M2 ?" \' u' P
% s1 f) ~; ^, Z, M不過簡單來說) ?. {1 v, u' r5 d5 o; q7 H2 l
在製程時食刻會破壞掉你的元件" n7 `1 v, e' Q! a/ C# a; P
而特性就被損壞7 z4 _7 p# ]' |+ [
+ [9 s0 Z9 b6 U
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>& |9 ?6 j# Z: c3 L7 S% F$ u6 ]
所以蝕刻吃他最多
& Q5 d) X- n! B# `. `主要部份特性就不會被破壞
/ X5 `1 H2 Y% j( M* f' E! }9 X- C9 S1 e# Z& s- L  c& l5 u
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
, c/ c% @8 A( P所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享- ?% }' `/ e6 N; E; O: _& v

9 G' I  X4 _$ H: B- \又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加$ I! I& t2 p: o7 l3 D
還有電容也要加# i0 M! o% V& e. D! E" b4 K
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
# P! p4 K4 h9 `3 T4 J" V: \! R
% J; X* G& k' n1 a$ V9 ?and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
( D( J: u7 y0 j5 T7 evincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

6 ~5 U0 T% E, B, W- g, @+ E# w6 B* I* @. q2 e8 \7 f: C

, [- m1 X7 }0 @2 G; R6 w    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
- `1 O% n% r0 `, o$ p/ ]  A- d/ L4 c( r, Z
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
" O6 r( o1 Z" Y8 s3 e! |$ p/ K% W6 w+ i1 C5 G+ I
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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