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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias1 w0 ~1 s3 y, L2 B, ?. {% g$ d2 h

; w$ B3 A6 F" ]/ a% s& U* X3 W7 `poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密; {2 m+ |# _9 y1 P/ o/ s1 C, y8 |
大部分是要match
) A; L3 T6 L" Z) C- ZMetal poly  density  不夠
: x) u. m- @) r6 b# }9 I: U加ㄉ那些也較 DUMMY
/ G! d. {7 }- H5 S0 O2 h把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 8 h$ M* M6 w' L% B* S$ I1 s

1 q1 h- i8 v& `, N! H# D. ^, t; P4 l2 H# }' ]1 f
    感謝樓上的大大3 {. K* D' U: x4 }
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 / N7 P/ t8 ^: g0 B

; B0 B! B! ^7 `, r6 ]
/ I" n7 n- b  X( ~/ s% \    感謝您回覆的這麼的詳細
! M! L' G" p8 E; J; q7 K您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
) m: N  u8 y; V% Y6 Q& S6 ~3 ?. h6 d" K  g" P
不過簡單來說
; k$ R# M9 d2 v( S' ^在製程時食刻會破壞掉你的元件
6 A7 z' H- ?. G$ w. O6 H而特性就被損壞
5 A3 R& z! N/ L' s0 l2 t/ \; g& _8 J- I) W) z
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
2 a: ^+ L: r- o: D! l5 i% [所以蝕刻吃他最多
7 R& m; p( s8 d6 J- K. `主要部份特性就不會被破壞
6 w& Z- N) Y2 ^  d* G" z' r% g! L8 T- B/ Q
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>! H) U- A3 Z/ |4 c
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享2 P$ T6 B, g0 @0 n& ]# X

( ~5 E9 b- Q4 I: t) L2 B& O! w4 r& _又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加8 z3 k5 o  y1 P' b' d
還有電容也要加2 }4 s# W9 d7 d7 M3 O
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
8 q* }& x) ~2 e9 q4 L
  N/ `3 u2 {1 N" V6 g$ land i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
" G* B3 F* q' M# G& A0 hvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 A$ H- x7 @" F+ e/ R7 i4 t3 \! N, x" i1 x/ U9 N
+ J% ^  w6 z& P; H( F$ g4 ?
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
" D- P( A* a' {1 L: W% _& V- o) X  l& N7 U3 K* z1 T' P6 g
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??5 k$ U/ J5 f# l# q4 ^9 W% r

# I- d0 c$ o$ z. C數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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