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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias# `7 L; x0 z  v# T$ N/ ?/ e9 T

8 x8 M0 d' M4 [, w; E) e$ R% f8 ?poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
3 q3 ^9 v, L& V' v  `$ I: g0 N& U5 H大部分是要match
  q  ]# K, {8 `( hMetal poly  density  不夠0 C1 u' f0 Y& R
加ㄉ那些也較 DUMMY
+ t9 d8 W% T8 z! ]; F; x9 w6 T把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 6 t( P9 O- B; J+ G9 h
7 ~6 b5 A" g. c# W) U# _
, k- c% L* B# ?* w' b7 h# y$ X
    感謝樓上的大大
$ t( L6 q" t3 p' T  D# G% O8 r) O   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
2 |7 \9 B0 ?* z7 |
) g' U' q$ M+ ~* D  a8 n
- v- K7 m( e" U; S    感謝您回覆的這麼的詳細
- T  M% D/ N( `8 n8 d" {5 H您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
7 ?: t9 w9 v" ^8 X0 T. m$ ?4 a# P# H- S* T
不過簡單來說
* @( j+ G. Z: F9 B+ B在製程時食刻會破壞掉你的元件- a3 N0 f+ Z# M+ q+ ]  I" O
而特性就被損壞* D6 a* v% ~: _2 |/ n

* P/ f* I+ }/ P9 N" n若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>8 H5 ~( N; U# c( D* p
所以蝕刻吃他最多9 Q% Z+ C: ~) `
主要部份特性就不會被破壞! H8 P4 {. @6 {7 s7 ~
" h3 c: E+ z% C
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>& V: H; Z0 v; v) Q3 n
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享9 P; w4 W1 Y& Y" v8 y! Q& \' Q% h( T

! g: E- f' L2 e又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加5 J. a0 \* _; T3 u0 ~. }* G4 ^2 t" k8 U" r
還有電容也要加
2 q( s8 e) s; E若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
; R8 h  ]8 _' ^5 \, s9 d( x7 |/ G  o
& q3 @8 p9 O. ]# _9 Y( c) K3 Kand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
+ L4 D: S9 a* v$ }5 T2 m' i- Kvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
2 q8 }! {8 i$ x3 T1 |1 ?' J

" w+ e6 [- j' s, C+ s7 S5 s4 L
2 G0 R) m- z, Y+ s* z$ M  S7 W3 g    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??" e+ @, P2 H* x  L6 j; X/ z' D
/ n0 ]3 n4 r$ ?
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
; t1 |* X3 K2 l3 ^3 s. ~& D
4 ^3 Z6 j: _( ]3 x數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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