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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' I8 ]* c7 I3 P0 Q" A: |0 e( b* {7 ~
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密$ U0 j9 K" c! U: Q: j  C
大部分是要match8 M+ Z& A) ?( Y
Metal poly  density  不夠
" S+ h: @8 R( h3 W1 O( s5 ~8 e加ㄉ那些也較 DUMMY & @& C, P5 r4 L( d1 d) T. F3 B
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 0 g, `+ M6 m* z

. L- z' k3 b( }# m( A
7 D7 v; z9 ]$ q9 V- |) e% L    感謝樓上的大大  N4 I' w5 e' F$ N' ]4 X
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 $ G% h/ j7 s; U8 K7 \  u- V1 G
1 u# [/ q3 _  {$ I4 I% @

8 t! ~5 h7 ?8 f, q    感謝您回覆的這麼的詳細* B4 A; t( I6 d0 C+ j/ E
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!) A+ \: k% E# q8 R2 w
, W( U/ C- H+ e+ i' e  X2 h  Q
不過簡單來說
5 D( k/ x0 _" ~+ M1 i6 L在製程時食刻會破壞掉你的元件
# w' Q. w9 ^4 T- U- d, b* I而特性就被損壞" l# ^; L  P+ J1 Y  S( u4 C6 G! q
9 J) W4 q% H0 `  L4 f& Z1 t; P
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>- P& |- M* @0 G8 \6 }6 i$ q4 E: k
所以蝕刻吃他最多
+ v0 a; B! u6 A+ u+ y% G% v) N9 F主要部份特性就不會被破壞
- k. B! y% L9 r! F. O4 K, s+ J8 {  ?* {9 b: _4 f& Y4 h
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>  m" N( j5 n( r/ E9 c1 F- v* s# |4 e
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享" ]- D+ D$ E" \
! r6 t3 H0 W1 u" y$ h
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加  R; t+ E  o+ D  a! Z
還有電容也要加' Y0 g. i8 W- O
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
, a3 V+ X; A  q
7 ]" M# x5 Q# |  e5 c& aand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...$ v) W( v7 l' m1 ]. O, e
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

; x8 ~7 R: \. O; u# ^* l
" @8 r8 v, x  D9 ~8 y- T0 `7 s' o8 Q" |
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??0 A9 M1 e/ I! j' G' v7 C
& J9 r8 I+ k& k7 Q7 l
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??  w* {0 e3 {8 S+ ]; l( }3 l
! L; x0 j# j9 u" ?
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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