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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias: x3 V1 F- Q4 p' V, J( Z7 X

. M3 r( k1 S7 L! z4 Z% V  a" ipoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
7 t- L% B- r7 M  V大部分是要match9 Z+ q% E/ A+ ^8 r* v) w3 t' u: f- x
Metal poly  density  不夠
  V3 X& d9 M) p7 _9 ^; z加ㄉ那些也較 DUMMY
- m" [. A! N  B4 _2 d* N. v把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
( o! x. j" R9 `$ r2 i' J' E5 P
0 |& ]9 B' y3 X( ]/ f& p, q& _) N" u% @1 }" {2 N, k
    感謝樓上的大大* H6 ^% o2 @6 a/ v. M
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 5 U. K8 R8 ?2 p8 N8 i
. O' P3 s9 e& Z

8 h/ t9 u4 |% y: O* F    感謝您回覆的這麼的詳細- Q. R* v. v% {" V; a0 ^
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!& J- Q$ J% r6 Y$ O

+ S/ Y( M& a0 m. y1 c不過簡單來說
0 ]+ J& o& o! _$ s0 H! o, k# H在製程時食刻會破壞掉你的元件
7 \  ?: p: u/ t5 b6 y  x而特性就被損壞
3 ?/ K0 X8 T+ ?5 B
3 r3 r, o+ k2 t: q5 p: d若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
8 Z& g1 I& M0 b# E  @所以蝕刻吃他最多! `* q& T0 p% \& J1 {1 s
主要部份特性就不會被破壞8 q6 i2 A+ b% ~2 C! \

: n  l: O. |/ n9 v/ E9 A8 _很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- h0 d% v$ O5 B& D1 E所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, h1 F  S) D: h7 U  s
. i( ^1 B1 s, K1 t$ j: y9 v5 D' p: x又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
' H9 w" r7 W8 y) A) e+ `3 g還有電容也要加
5 p; X# `- b. Z6 t; U% f若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
# ^6 N) M# M- k* c" i# H- k7 l
0 t8 Q  b& Y1 Cand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
4 _, u* U, T: \0 Q$ {; ?( [vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
* S. l  w7 v  _( A& G. x. g1 R* h

: U/ }  N8 T% d/ p. s$ o3 Q: `7 h7 Z6 y
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??1 F; G2 b7 E( J  k; F4 b
  P. X# N/ B) Q2 ^! I
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??+ S4 {- \- u6 v3 T' k, W% }; w
# }5 j" J: \+ Z! ^, k- {2 }: r
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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