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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
8 n+ m2 C( _2 r* \; r& n: @% g; ^& ?6 F& X( T& U7 n. n
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密/ f+ k3 a, A  P  ^8 M
大部分是要match
3 W* G0 W# |# N/ F2 p/ X8 T$ i4 rMetal poly  density  不夠
" c, {$ W# G5 Q, p$ I加ㄉ那些也較 DUMMY
" f' `* V# Q( s4 w8 k把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
$ f  |- L( y( }6 J' i% H9 l7 \
5 F+ t. f  Y( `6 q& J4 [+ n
2 j+ j  U: Q" }) Y! S5 O; e; e! ?3 a    感謝樓上的大大
8 k' r; u4 \* m7 P7 N6 i0 k   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
7 [( K" }8 l$ z$ K/ C
; \, _/ h  t& t3 q' Y6 s
7 o' @. R5 w$ ]4 n    感謝您回覆的這麼的詳細
# h5 \5 u; k) k! p* g8 T$ U7 ~) x; d% `您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
( n: Y6 N9 @; ]# e, h1 \8 g: }/ c8 H8 b: z
不過簡單來說
  ^/ I1 A# i( s6 V在製程時食刻會破壞掉你的元件2 j5 |7 S# Q7 W( e1 S* b
而特性就被損壞
7 W6 e7 a% B0 ?1 f0 B& a# }
+ {7 E/ E/ A7 C& N若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>" T  S. h0 @2 ?/ t# B* W1 p% C# C
所以蝕刻吃他最多6 Y3 J5 ]6 }2 L2 D  Q
主要部份特性就不會被破壞( w1 c/ {. N0 u

3 H8 N3 y0 v' A很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>2 e* W$ U" N% u  r
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享6 Y+ i" e* ]$ ~

; N7 `1 r! S) W; r- ?又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
) U0 G  S$ J" z還有電容也要加
2 v% J4 j7 l0 w/ u若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
' a  z4 n: F" e  H
( f8 s* [+ D! K: Q- O/ sand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
0 t+ \1 _! I$ ]: _' c) @3 {vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
7 ]3 e" Y$ ^( x: `

6 x" p+ u6 Z) l5 J: f. K7 K5 d9 y, f. n
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??1 ]* K5 Z5 R0 o/ `% X7 A" u. a
4 b2 G) m9 x- X$ ]4 _
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
, C+ r$ _- h, m- V% \  v* Z
5 ?; l" W; h8 h; U9 L+ z數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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