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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
: C+ [) \1 V7 c2 \- b* }5 |% U5 f3 j2 U5 u: u
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
2 O9 e4 Z! X  |! x# Y% G大部分是要match) @7 p( h! R9 H/ x+ a0 d+ K0 x
Metal poly  density  不夠
8 L9 C8 A  }5 \: B加ㄉ那些也較 DUMMY
7 J) K+ B) r# ]! |1 h, e' _把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat + [7 F7 [1 o! E% l4 V
5 U+ _+ }" ]! N( K3 g$ K

2 u0 H) ~2 }, a" L    感謝樓上的大大) J5 n* _, c1 y% t2 x
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
$ g- E7 B% Y& }* }8 p
( J4 }; v6 {# Y8 A! `! s
) s  b- J- Z& s6 S( N& Y, @    感謝您回覆的這麼的詳細
6 g/ }+ a) Z$ }4 N# Y您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
* |/ `/ K& A1 c- S! |* v
! G( z; |2 U) ^. n# ~; B不過簡單來說
. @3 B! T+ d: O5 k+ O" E在製程時食刻會破壞掉你的元件8 u) H1 ], ]  Y: @; G
而特性就被損壞
$ [0 o* r& D; ]# }( ]
( h5 G" v5 t6 K6 f& u( g若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
1 b; C, n  o0 o: `* {所以蝕刻吃他最多2 L- {1 G. Q, n
主要部份特性就不會被破壞( V2 |+ ?: N! a& k" r0 J
' ~  g5 P5 K+ p7 P1 W
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
& X6 v  z; D' Y, f/ p* g2 l所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享+ ]: |% y0 ]' J) {  f

; ?. a. ~* A$ O8 x( l9 D( b( t又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加+ }3 n3 @# ^& \
還有電容也要加( w" A1 c4 p9 h5 Z7 E
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!9 H: {7 Q: R4 P. s: M

2 A5 a# I: d- Q2 @0 e+ a0 Gand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
* @3 h; c2 }. b( Mvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

3 F* D6 ]$ a9 |* M6 f6 h7 C8 H) R9 B, o" [& V. M
' f1 {  L" [! u6 D3 c. ~& t
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??5 q  R  i: m7 F/ m  n

$ H# H' q) h8 i( v) J/ `' S  P$ n; W如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??6 B4 W$ y5 f- r+ }$ @0 W+ e  g5 H2 x

1 d' a% E2 N  l& {0 x& ]5 o數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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