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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias- e* a- b" P8 T  g$ Y
* S  J) J& M6 h) N% s
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
2 j7 g1 r  G6 V; h" }' w8 F大部分是要match
# l! ?* W1 @9 R+ O% \8 `Metal poly  density  不夠( B2 Z8 |, `1 F0 T' `
加ㄉ那些也較 DUMMY
/ ]: M/ X" c9 K把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat   ?! o# a" R" ]' [8 T. @! }  s0 z
" Z" H7 I, Y8 D, _! H# x. S5 g
" E. x2 f0 J7 g$ v( |5 b2 y! o6 F8 |
    感謝樓上的大大
% p+ I5 M- h* Z% R   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
7 M9 h, i: `0 O1 p" e8 d% B; p; t! t2 R4 K# _, j
5 w: P' r, _7 Z5 W0 A
    感謝您回覆的這麼的詳細( l3 n, i+ b, s
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
9 o+ p- {! n, a& q) U% a4 q
6 _0 p1 e3 M4 O5 v不過簡單來說
* d6 N/ Y8 `$ D* S# G/ g在製程時食刻會破壞掉你的元件
8 v2 V- l- s+ g3 f: m而特性就被損壞  \& _) \/ M- a1 Y5 ]- T5 W

8 W* b5 ]# l9 b4 ]若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>; E, \7 v3 \) O3 Y' _" y+ P$ Z# B
所以蝕刻吃他最多1 \0 y/ A: a6 P
主要部份特性就不會被破壞5 X) @' o: p2 }  m% a' v/ V

$ h3 {2 x- R# U很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>3 _1 `6 x& I% v0 ]9 r: n- m
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
& l3 j6 g3 A6 N9 f9 {8 r) |; |- M: T6 ~% S( D- U( W. W2 e
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
% Z# o  C* F3 S- c2 `& _7 x3 `還有電容也要加! y% w; p5 C/ C) ]4 U
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
- }7 x7 c' d2 ~. P% N2 f# E* g3 a; s7 J% K. ?+ \) t& T8 I* r
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
& N: a8 Y: l; y- R, e' d2 {" P$ p0 ~vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
9 V& Z3 l, L; G1 j. q4 U( ?, W& B! j
& u( L$ l4 c% p* _! E/ D

6 Q: r* ]+ [2 L$ K3 U8 u) K4 h1 R: U    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??0 T4 ~8 U4 h" E2 w
; a* J6 A( X8 `- k0 ?2 ?
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??" _; A3 R, s7 q# R% e
6 S6 Y) r( X7 o6 e) w) h
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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