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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
) T! ^" e9 f4 [/ y" D" N, y- C# f8 ?
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
+ t& p* Y& i7 L大部分是要match) W2 b' ?% |1 R6 D$ H. [) X  E1 ]# M
Metal poly  density  不夠; F* p1 j8 r. g' M+ y
加ㄉ那些也較 DUMMY
& J9 u. M8 @9 \1 p4 J& A. u) d' P& A把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
% {1 y: v. C' g3 j- [- b; v+ a' N; D4 S( r

! b$ q3 v8 R, @+ t) \    感謝樓上的大大
9 L8 n: N5 @. ]2 L- d! O   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 : @9 I/ i: h% @/ g; c

, k$ F& V& k) U  x% @3 ?  S: ~
# P- ?* d2 t# Z3 h* y: y    感謝您回覆的這麼的詳細
$ n- f6 n; l2 D! n您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!* k* P, x9 o8 @$ ?  F+ F. m

8 L. r$ R1 c( g/ R$ ^' F. J7 i不過簡單來說& V% w( P5 w7 O8 Q) _
在製程時食刻會破壞掉你的元件, g# r7 f5 O' e6 z4 Q* g9 J8 T
而特性就被損壞
( t: U6 F/ L7 p0 _/ A6 [! e
& N- F' z7 t  m8 q3 i7 H( `若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>3 ^6 A  R, O5 R0 \
所以蝕刻吃他最多
+ F  F) D# {' u& |: Z! B主要部份特性就不會被破壞
! K9 _0 C, j: w# z# F% X) Y
. k0 o$ K; E# _* `- V' w7 Q很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>$ [6 g# K+ l2 G$ E2 G5 Z
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
$ J1 [; Y; B; K' s; R) }+ h) N
7 U# b4 d4 \7 [3 o( P6 K" u$ i又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
: G: q$ u8 l9 p) ~還有電容也要加
1 V" @7 `, z1 ~% [. _若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
2 N0 u- i5 N* M' G+ d
3 N9 p, f5 E/ O# x5 O- C0 g: Uand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..." s6 Z) i% b) F+ g4 t* A: _9 f% |
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
. z5 C  d' ^$ O" K( O* S. j
; D, J/ {( w: X2 M1 X! B+ k
6 B2 X; M! i: V4 s( a
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??" S0 H8 R1 G. l' A# ^/ k
6 b* `0 i' ?, V" p1 E0 R
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??$ V, O0 K- g2 ]& l$ b
6 H( V2 I3 l" C  F
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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