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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias4 l  c! V6 ~( w, T( N9 o
5 U  Z6 v& T& b% C4 O" d8 ~
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
# s/ w: c4 D; p! f/ ?( S( K大部分是要match
, i1 G" G( j1 C  c% I. mMetal poly  density  不夠3 T4 {: J6 e1 ^* G9 P7 O4 k
加ㄉ那些也較 DUMMY
1 ^* z6 K7 u0 {把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat # D" {9 H5 y/ o% U: q
! ^8 e: Q# e  b0 Z

  U% ~$ z3 ]/ a    感謝樓上的大大
# y) G; c7 E1 c3 Q3 f5 s   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 . r4 G0 p' _8 H* ~, f1 ^) K

; R4 Y: O# p- c4 _/ n! y5 L! o2 ^7 V% S6 C% s. w: I4 I8 Z+ X
    感謝您回覆的這麼的詳細" V8 L1 ?: m, c
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
& T; |+ k! B1 K: v8 w6 ~* d( J5 [; M+ }+ C4 V" F: C' [6 a1 z
不過簡單來說8 P/ C' k6 [$ F8 h/ J4 R/ l
在製程時食刻會破壞掉你的元件
+ [+ c# p% C+ o1 g+ M而特性就被損壞+ Y  e. b9 A  c

, J7 c3 F. j; v! ^0 T3 b; N2 m) _* i若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>. |7 P  F  E0 [
所以蝕刻吃他最多9 G: {4 Z/ S1 V) ~' g
主要部份特性就不會被破壞8 y8 f1 K: I: u' h

  f) T0 t8 }- s2 u  f很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>1 p- Y, i/ U; {9 o& m' A8 d
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
8 u( X+ T) N( O2 v' j/ j7 `2 l1 I4 _/ ~, z1 Q3 O
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
, C- b) F$ Y( T還有電容也要加9 E$ G/ b# n! @5 q5 R
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!: O* C8 a9 d3 E& z6 @" b4 V

. C7 q7 s1 O$ ]$ A% s$ X# yand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
8 O- Z* p( u9 U+ }/ r( ^vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
, ]: q5 r$ z9 z% s9 o+ y

1 `9 h& y/ c: d
/ {1 i2 N+ K9 a! q- l    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??- A+ Z4 ~& k9 k8 u9 m

2 g' [$ S" ], ?8 P' c0 V如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
0 W5 S9 b! f7 W. A: }% V2 Y8 T$ i( ~* b: B# [) r8 H
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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