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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias$ s: y, [! e. x

1 A3 v; c9 V8 R) E5 Opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
9 ?  w  i+ Q, n大部分是要match
: t+ g! E  |# WMetal poly  density  不夠
) O1 s9 d& u) G- h  |. P6 l加ㄉ那些也較 DUMMY ( k- b' v( b0 F3 I6 W% X
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
- E% h8 [# [3 t+ P% ~
) W( e4 A; O. \$ u9 \7 h* E5 `9 ?. M+ x) X8 [
    感謝樓上的大大! k) L  }, G3 P' Q8 c* W
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ( |) {! }: p" U& _) b* s

& L+ Z+ z% c& L5 e1 g% y9 M  m1 E
3 O+ y: F7 S0 Q5 K  u    感謝您回覆的這麼的詳細
( B  j8 c. a+ f. a+ h& U! B; e, E: D您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!/ J; l8 _+ k4 [4 H: n! x  F* [
1 l' o# c8 W7 |. g/ E( K5 \1 z
不過簡單來說
% @; h8 Z. p0 |! k- i3 ]& G在製程時食刻會破壞掉你的元件
' w! t% V* f( n1 T而特性就被損壞- E5 ~( T# Q+ ^/ D; @7 u

" a  Q" A6 m# w& ]/ A& c若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
/ C) B( Q6 u0 r) ]; ]所以蝕刻吃他最多
$ ^7 W2 a# }. M% ~4 N+ ?- l$ H主要部份特性就不會被破壞
6 {/ E# ~8 D. [: j7 \. n8 o! u( I- \7 @& b* C2 @5 F
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
# f; B0 U& \& f" E# F所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享! o5 \: S5 X- @/ V
. q; O/ H2 \+ |4 V4 }
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加* h' h! f/ s$ W
還有電容也要加
+ A8 w, k! J2 V* P若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!$ c1 d) q6 n, T. M+ h5 [% K  M  v. |
5 n# {7 y2 F% v# y$ ~; K
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...' T' a; Q8 x3 ~$ h
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
9 [. Q4 Z7 u! L: m. a- {: p2 q
" J0 X9 @" u# |5 R
- U; `$ m( l' X  g4 C
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
1 ^; F8 w& Y7 R& f2 `# C0 k1 P* n$ ^/ ^7 x+ |) e  h
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
$ ]# h! P, _* {+ M0 S" ?! r, E" L) `- w0 y) H/ J
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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