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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias: V, |: r! @0 E

& a; H+ c' z4 I" n1 j3 ]poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
- k: Q; M) [2 q/ t大部分是要match
& \$ t! A4 K7 K. ?  C: MMetal poly  density  不夠
% P- i; h$ j; O& r加ㄉ那些也較 DUMMY
" h  ?- Y# i3 Z" {把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
2 g9 M6 [4 L  T6 q! ^9 o1 q& O
- x( H/ t2 N; Y
* n1 J3 p9 \1 {1 H6 @    感謝樓上的大大2 c/ d, h" a) ?# F7 A
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 - L* u9 y/ P* E3 X
. U* j2 o& K( k( b
$ i& T: l( Y8 \$ N- U; O
    感謝您回覆的這麼的詳細5 ]" {. k" y1 v& Y9 x
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!9 ^- c. z. T: ]  f. Z

& J. Q  x/ z/ A/ m不過簡單來說0 D& A( Y: y1 h
在製程時食刻會破壞掉你的元件
' e% k  t& y2 B$ z. @6 p+ a而特性就被損壞
  H  L# K1 k  d! l* [2 m
4 C  L- V% ^  M/ ?+ _, Z若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>: f- A. Y0 S4 z
所以蝕刻吃他最多/ N3 i$ T7 Q) W( E) b; ~
主要部份特性就不會被破壞
4 U7 X# O+ L* K7 G9 b
# ^1 n' b) L. x, v. n很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
8 \/ u2 Q+ d4 t# m/ V" M6 q9 ?' _所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享- E- n7 [. v9 Z) {2 d
& j1 b' ~- @7 a7 W9 L- Q" L
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
6 n+ P7 x5 P+ q  b: B還有電容也要加
) V: U0 W: q8 Y1 o- {若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!9 u: p# b# Z! n' [: v6 |$ c2 X

# t# j/ t$ R# w2 B% o% ^and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...2 |' c$ R' |) ^) h4 ^' t
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
$ M& f: }. ^7 d8 C

3 N  q$ D! k7 C8 H" K' J" T9 h/ `2 o5 x+ J& A& C
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??7 q, l0 c1 j# b6 z" H; u

) l. O+ l+ y: ]; F& X( l如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??2 e4 x$ a8 d. f) I

: f9 b  {+ V9 m( i; |數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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