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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' I- `) X5 ^( f# @
# f8 ]( l* X6 Z' r4 qpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
3 b4 P' A9 `8 L+ O" o; t8 @& n! f大部分是要match
# O* o. O. A! @  z( j5 qMetal poly  density  不夠3 [3 c! \* n  Q9 v8 _$ y. H
加ㄉ那些也較 DUMMY " K$ L$ u7 P' A1 C! u3 S
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat " j- l6 I1 w, J1 s! }1 h1 i0 Y

' u' Q7 s- j# @, z/ z
/ ?2 R0 T/ r  s: v4 F* T    感謝樓上的大大1 G8 @/ a: k, o
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ' E: _7 w7 x9 F! o/ }
0 o0 ?: b7 i- T6 U
0 i, L7 M0 K) ]3 r+ g3 g) |" H2 G
    感謝您回覆的這麼的詳細
8 r, Z/ ]# p: \; r& o; D您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!$ x5 I$ A; A% m

' f# O# ~% X( Z2 ?; r- ]0 C不過簡單來說# b% g4 N, D" i) }3 \. t
在製程時食刻會破壞掉你的元件. x. [# E1 f! X
而特性就被損壞5 p/ z$ n' k/ \$ H. |$ U& f

, m; L9 j/ g3 d7 ~% X若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>0 b9 ^8 M" R. c2 M& H: T
所以蝕刻吃他最多
+ A$ N8 i! G0 c5 V! }0 H主要部份特性就不會被破壞
4 p' o  d$ b3 S. O: a4 b
9 f2 Q& P/ ^/ e0 g$ |( G, _$ V. e很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>( I) ~! d) v7 G5 @- y
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享' ?" E+ H; r3 @4 \3 g

1 K6 Y3 S0 V' X7 H  ^又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
) B" t9 S/ L1 }1 L% y還有電容也要加+ P& R: U/ M* I7 S- a+ \
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
! W6 l0 \/ w1 n& C/ @( G8 E6 [& U" ~# f- n; @& K: ?, F* G* z3 g$ s
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
( F9 Z9 X3 Q  |$ j, X# j; Mvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
. V) C# l- M' _: \4 m
) ~% ^9 n  f$ Q* \

. i* I$ y' c2 w4 Q3 K& K4 B7 F    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??' p8 Z3 V0 k& x# p6 K/ m
# }2 Q" W) D: `' m
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
/ H; F+ H3 d( b  K6 g0 \* F' A: n& ~8 |, Q7 h
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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