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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
0 b! l, H2 j$ Q& a; B. x
( t' v, i3 c* G5 }8 opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
9 y3 `) ]" n( e; F2 m: C( l大部分是要match
& v- h2 {6 b7 M9 ^8 EMetal poly  density  不夠
+ j* n' U3 L$ }3 C加ㄉ那些也較 DUMMY 1 S8 n% ?' N- P- a, @% S1 K- K
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
* M6 a0 M, G% e: G; z9 R+ ]3 i% ^
# Q6 Z: Q0 I* Q) ?6 F8 a9 H, p4 u3 _3 U/ w% l
    感謝樓上的大大9 M: L$ |# E8 q- U
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
4 v2 n8 [+ f' |
: F' r7 `! U# X5 m! z  u0 n
6 r) c% B. M0 m) u5 H    感謝您回覆的這麼的詳細  N$ s' n$ b+ A% h, @
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!3 {4 N! d6 d/ f/ H- z( r

0 r/ |6 @7 Y) M  W: _/ }; E1 ^! x不過簡單來說& K3 g3 l0 J9 S
在製程時食刻會破壞掉你的元件7 i! I9 ^7 R) O& v
而特性就被損壞. d* O1 i2 j8 x5 s1 L

# |& i  a' @% a1 O% g/ W若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
1 a! ?: c$ S9 v所以蝕刻吃他最多0 C5 e- s5 Q2 w7 ~. G& ?! [
主要部份特性就不會被破壞
! b( Q; a% h* I& v9 |- E9 f; U. l. N3 E7 W: Y- m5 N% \! n
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>+ c1 H& R  Z0 r: Y9 |1 f( a! E( w
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享4 S/ E9 p1 O( L3 i: x' x* [

6 M: N* F" X/ g+ h5 h2 z7 V, H  I. v- X又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加+ E' ]: K0 X- D
還有電容也要加3 i, }& ?% l1 x9 a# o. d( w2 D
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
. D3 n# g! Z- k$ i3 h) i
& N' Z1 w5 H" p( s) r- k4 q. ], z) {; wand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
( _$ {7 e, B8 F9 i! l- I( u+ U& Wvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
: i2 E0 p( T6 L, o6 u% h

( N5 e' N, J, u) k: d. w# ?3 B6 c5 A
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??9 R- Y6 F0 j' I( s: n
0 U6 W5 j5 C/ O1 X' `7 a" q
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??6 \' _9 N1 X& |% r; {' a, `6 d# b! A

  d0 o; f1 b/ R) U, f* R數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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