Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54922|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias! _8 O3 w1 ^! s* Y: o
2 G0 x) O  I2 M( r  K% A+ ]" q
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
& G5 |7 m5 m6 M5 l( L- l" |大部分是要match5 N: M; R9 @+ a
Metal poly  density  不夠
' w. x, [  b4 m+ |0 v加ㄉ那些也較 DUMMY
0 C3 F1 P" V) r1 L. O* O( [把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ! H# p9 o  ^8 ?

7 u  a$ j- Q$ d0 y
6 s0 U' g" w/ R, N# x9 N: S! F    感謝樓上的大大
- k+ E9 _$ u# d- [  [6 q- F   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
0 x$ Y% d( u- j3 ?5 D" S" A5 r
# C' v( v7 g2 T3 u! o( r$ z' I. B+ C8 c. y  O* x8 j5 z7 `2 m( }( I
    感謝您回覆的這麼的詳細5 c, A0 a7 c' R+ M
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
! T, s# g, W$ |/ l
- ^8 \  W! }3 ~9 w4 ]4 P5 y+ T3 s: X不過簡單來說9 a8 o( f& {# C. p8 F7 x6 j
在製程時食刻會破壞掉你的元件  n* x9 U9 k( Y' j4 A2 \
而特性就被損壞' m0 ?! f2 J$ Q, W% B

9 p$ n6 {  a3 s* H% s; n- }; ]若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>+ h7 B) y8 L0 t3 _5 F8 |/ k- V
所以蝕刻吃他最多
" W( y1 S0 t+ l主要部份特性就不會被破壞3 b, u1 M8 S7 G, W* ~
; C& @4 @1 Q8 a0 u# N5 x& y
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
3 B7 Q. i" ~7 g- g5 ~9 y所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享9 R( z3 W) I- X; ~9 F* m  V
8 F0 v3 i7 i& O0 P% d9 D6 T" G; u7 c
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
5 b6 H0 c, m4 v) I+ t* }還有電容也要加) X9 r6 n" I+ |, D  A) u( q
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!3 q# k% v! Z& i- m4 X$ T: F, @

  u) I6 B& c' z& I1 land i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...* ]4 a* j3 D1 C8 j7 C( T" I# B
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
7 B7 A3 Z% l- H5 L4 B

. ~9 J" [4 g0 f, |% A( ^9 I" k% z% O& T
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
% q9 L% G& O. `& E# a/ F' ]; Y! ]6 W6 i5 q9 A
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
; K" J1 D3 U6 z0 P5 L' K% p1 s  e2 F8 F1 U5 F; r
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-8 08:23 AM , Processed in 0.174010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表