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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
5 b( e$ U  U% m
, n( k5 q1 C2 w7 T2 `8 `9 `. mpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密1 w. o; X% Q' s1 f
大部分是要match/ t' f" h) N+ E& I! D+ f) L  {
Metal poly  density  不夠
% D& H6 k; B! v1 S5 K加ㄉ那些也較 DUMMY 7 q8 v8 c9 T8 E4 h  `
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat , K' W, B" @5 N1 p9 c: G+ |4 S+ d

  V6 C' `5 S' W! y
. N* I- d6 w7 F  V" Y2 D    感謝樓上的大大
8 f3 m& X  N$ W: U7 N   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 7 A( i) I) _3 h- Q' I

7 O% [+ X1 L3 ~4 B4 ^) f' r# b8 K4 j% l+ x3 T( q
    感謝您回覆的這麼的詳細* B# N" l8 D2 q, c/ ]- {+ f
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
  m0 P6 }9 n3 d! \  t5 l2 ~1 J) n! g* }+ `) c0 J
不過簡單來說% K4 Y1 R' v0 |0 a6 a; u" f
在製程時食刻會破壞掉你的元件( |) @, R. V; Z* Z
而特性就被損壞, w6 e) ~9 B! {' i

4 H) N9 ~1 `+ W& b( k& l( q. I5 c若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
& F& ^7 y* |  [) K# k) T所以蝕刻吃他最多
* E$ `  V# w2 r- {5 _: ]# H: f主要部份特性就不會被破壞5 B. T4 J& w' Q* I0 ]
& _/ X3 Y" z& n# D, T/ j3 q
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>2 N) @8 S9 c+ c$ X1 R1 i0 C
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享( m( L' R1 r  ~' o$ D# Z+ T4 d
' {' {  H2 J6 A& g
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加* v3 j8 U( L7 g; r9 ~
還有電容也要加/ B6 W9 d( u8 d2 _9 E' ^7 R/ f9 ?* q% I3 L
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
6 U+ t6 y( k" g5 x3 t) r4 r
# z1 Z4 }, p- ]and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
! c% p5 o" j% B4 H- Y* ?' X; D( Zvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
6 o$ X" h5 r' D, i( O# Q' y" u
. N* g2 I6 A& a+ B+ O
' W* a: j3 k7 P$ P8 J
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
2 `0 c9 a3 ?2 _: b9 F% ?
$ W& H: D  _! O. z如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??! i) k! O9 h2 H: g4 C

+ Z3 C. M" F" a9 k4 M& V# @# [* X數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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