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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
/ q0 n1 i. l) M7 Q* U( }9 S, a5 _9 e# V* m% k" |! {: F0 e' M
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密$ o+ ]/ w, M5 A
大部分是要match1 w% r4 h6 u* A$ T4 i& ~" J: L
Metal poly  density  不夠! m( s+ f0 W+ s' j4 z8 K% r
加ㄉ那些也較 DUMMY
9 s4 d" l& k* |9 j& S8 J( V把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
! p" a! x/ W! K, Y/ d
+ a* v- Y  ~' a8 d9 J) K) W
$ ~) G% J5 y' X0 B0 O  k: a    感謝樓上的大大& j8 H" a$ V/ A7 ?+ {, }* {
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
& Z. c% K$ ]! i; W3 X3 b1 o* o  J" K* |- y

( D# v2 ^1 f2 P1 S    感謝您回覆的這麼的詳細
) E! V, _+ c8 T3 C" y+ ^6 \您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
! Y# F" M, v3 p# u9 Q+ d! d' T
+ @* D) w' F) |& c  C不過簡單來說
* W# R* V, ^$ _! o1 P; T% U在製程時食刻會破壞掉你的元件  l( \$ h% H+ I' Z) L: Q9 c  e
而特性就被損壞
: y% C5 o; n3 s3 _3 F: \8 A' L8 J" J- _; w
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
, F3 l0 a: z3 @$ y/ Y  \1 U所以蝕刻吃他最多/ F3 g* e3 o4 `8 K
主要部份特性就不會被破壞; l9 o! b. T. O( ]5 O

2 h6 |% r0 Y1 ^/ C- p" x( \很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
% D) |3 W9 j1 |$ C5 O' R! F, @  R所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享1 [6 U3 D& u3 X+ T1 e& K

1 o& h6 k( U( o1 B: @3 u又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
* t1 P) ?* J6 C5 h. E7 v6 i$ K3 w還有電容也要加
6 u. M0 n+ `- w, _1 _7 ^若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!9 k( b2 o* ]: @  N
. w# |* y3 p- S: T3 ]
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
" n' F( `, [( W; Gvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 [2 J. k& h! B0 ?% F
6 k2 x+ n: i! q1 p4 J( T3 C$ a: L: K& D  l; p$ B
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
& ]2 }& u8 h# l8 E% k, y/ B3 [0 y$ X# j& ^& Z" c
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
5 a. P( X+ K0 N& v- a3 V
6 p; ?* J' |7 k1 m+ R; V數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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