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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
+ c8 [% j; A- r+ f" F: g# g* D% \" q+ j+ f( w) t7 C: D0 ~
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密" ]# i4 Q  X5 k! B' g
大部分是要match
7 \, U) T- [$ f, ZMetal poly  density  不夠
7 [8 ~! p; j# S. d- b4 U加ㄉ那些也較 DUMMY - p# h% ^; F7 P5 r( r) v
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 0 `& V0 Y% m: ?2 r* P
3 `) {, p. X+ U! L2 [0 j  \

  G; c0 ^# |4 t! m/ J& R. y$ j    感謝樓上的大大
5 c8 ]9 h' n- M: `2 [% ?   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
" A8 ?' r3 Q6 j$ M/ H. i( W0 F
, ~. w$ M0 O+ j3 K2 P, q3 n" A" f9 X5 ?* I7 d
    感謝您回覆的這麼的詳細( X+ E! J( w% B( ^. c+ C
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!+ i* e$ ?) T6 R

9 O$ S8 K, ^  s+ H( j不過簡單來說
7 S3 c# j0 p) m6 y; {在製程時食刻會破壞掉你的元件; s& ^; A1 r7 x
而特性就被損壞* v' k" w% [9 X. D

5 z, R( O! W; I2 r/ j若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
2 C3 f: x1 z' \* F* l所以蝕刻吃他最多4 p) |- x$ b3 p* i2 ]
主要部份特性就不會被破壞! u9 H' a% P& \# y4 Y& ?
4 h2 N2 O" c% J! I3 v: Y1 R& }
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
8 t  h* P4 J% l2 @# A& t; J所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享: j) T, {; D) l5 `4 S2 b2 _
. H: O6 Z' U6 |3 i
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加: U1 B" i5 ^$ z' M
還有電容也要加
# z) ~# o! |1 J" a若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!6 a6 p" r% x" c* p0 g& W1 R) y" b
4 u# a) Q5 N- z9 C, s4 ]' y) b
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
) {# Q3 W0 r; Q' c( U, F% k! e, Hvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
6 ~6 a3 m9 D( u' C& N1 l3 V
, u. g7 {! h1 i

  C* z" C7 ~6 A3 v# A; T1 @    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??$ h  K7 o! t, i8 V6 y

6 C9 M- A7 d6 z$ x如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
' U7 k: f) [; F/ G3 V; X" s( W6 m- j
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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