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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias. F7 j8 J4 n& |4 j! P2 n# ?# Z
3 {* r3 S5 I- [- {
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
" s% U1 o1 {  `% \7 n' i" R大部分是要match( u; v0 L( s/ G7 l( y( I
Metal poly  density  不夠
, Y2 C1 {4 J0 K9 \, f8 L加ㄉ那些也較 DUMMY 3 W# X2 X( J" d6 K. J
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 1 h5 Q% w7 q0 l2 A/ y
3 t+ E: V. Z3 H4 b; I
  U" Y) j7 m8 h6 F  g) ^
    感謝樓上的大大
' Q  @3 f- y1 _) u$ Y) q   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ! o# Y! B) H/ s+ O6 o# k1 X. O

8 {, L* d$ U2 `! Y2 n/ A7 T  S
    感謝您回覆的這麼的詳細
' ^9 i+ y5 C+ O您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!9 h. F5 k4 T8 v) Q6 i# K( N

% R, m0 y1 @& n5 w2 I( o不過簡單來說
6 H! U. k6 V7 B. g2 r" F: ~. n在製程時食刻會破壞掉你的元件
1 U9 U+ q0 O  A8 a: c而特性就被損壞( p/ q7 f) Q0 G/ T

5 |0 ^. T: `, `& c  \: F7 \若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
& K$ A! }# S' e) i" y: V1 B0 b- E所以蝕刻吃他最多5 G0 Q+ Q& |% ^" P0 R$ R
主要部份特性就不會被破壞
: P+ w! M0 |: H" ^) g0 H9 L/ [6 [1 P" N
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到># k' @4 m3 n! J( V- N' y4 D
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
9 N6 S3 \' @; _2 b
6 t3 ^8 J7 A6 u( ]* x, N$ ~又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加7 @' w2 u( v  e& Q
還有電容也要加4 v3 i5 T+ E% c7 z
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!8 g# l, w4 u1 _0 ]0 q
8 i, H8 V: {1 a" N
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
% O" X" D, k) v9 j! {3 }vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
+ u% D( t0 m- a9 Z, u* e
/ J) C# k9 _: K

9 {/ b7 Z& w; t" |. i! G' \    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
, i) a6 u" s7 f* |- }+ t
3 }. h6 D! F  e) P如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
# v6 G/ n& Z0 \' [$ C/ [4 f
$ P# A2 P" Q6 B/ Q: h$ t/ Z/ V數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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