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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
( v, h; l5 u0 i; a  j  i" G; ^& c' l8 K- j7 D. X6 y
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密% k$ H  ?2 F+ R3 C
大部分是要match
+ N( T( Z) r+ l+ b/ qMetal poly  density  不夠
. \: I. E8 y: ]. y* s加ㄉ那些也較 DUMMY
7 t6 j! ]) u& N5 h# V把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat   k3 N: q  [9 @

1 N. S% ^+ e. F; K+ u. P( R' j+ h( e# d4 f7 g2 y0 y" U7 \4 R
    感謝樓上的大大( l+ Y1 P$ \8 t% d
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ) P: T& @0 D+ c9 r1 A) q
( g% o5 `7 s+ V) N2 X: ^5 K+ Q
2 G$ ?1 Z+ W4 X- c5 }
    感謝您回覆的這麼的詳細
1 Q" ]4 i$ J' ^- z* e# ^3 \+ ]- [您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!) s9 t5 v. a! s: _  @$ ]
& x( K; _# _0 x6 T  h
不過簡單來說
  E2 {; G; W2 u在製程時食刻會破壞掉你的元件
  Z/ s, p. W% u0 I, t4 E# A: N而特性就被損壞
9 k: s& ]/ m$ k( P! f4 H. L
) R" ^" Z# h& f若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>" i4 h- L# @* _9 }0 T
所以蝕刻吃他最多
$ z& b, `. ^: ~+ u, \主要部份特性就不會被破壞# i+ n5 R4 a0 o0 p' {% X
1 }3 w  v- }5 f1 g+ v
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>5 s+ r5 t: o, J
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
+ ~1 q+ V9 @7 r& u
, n  [" A( r8 D6 i又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
$ I7 a; N. ^6 u, x7 j還有電容也要加
% ^1 C' b2 w) Y0 h若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!& v5 D9 C! h- V3 Q0 ]$ b

$ h! Y- z4 \; p5 r1 i4 land i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
) [+ V* W* o* a2 Fvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
: M1 B. f% D, L6 c0 k' Z2 _

: @0 p: {. H8 T! x
3 ~3 G7 |- t  O1 i& B, i9 w    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??* L  Q& a9 r) V; A5 m7 f
0 g; }0 M& d7 ?& r3 A
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
( l: ]0 _' ]3 }% T6 A0 G# g' p7 B! x& N
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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