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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias: T3 q1 l+ p8 V) b8 H. k
9 Y) A% W3 a2 W
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
4 K, d  S2 j4 _1 j! a- n大部分是要match# o! o8 ^& n$ L8 j: O! w6 {* Y5 M
Metal poly  density  不夠
- P% R* ]) t' h' u加ㄉ那些也較 DUMMY % y7 a) G/ x# j5 m
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
& t2 a8 U# A1 s  c' Y9 M; G
1 `9 Y" ]& m/ F/ l5 V& y) U% B' }0 @. t6 K4 F( L
    感謝樓上的大大& t3 v/ ?$ _! V2 I8 l$ N* ]% n
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 5 R& B3 P& J2 O( k' g' ~

3 T2 t: y3 q2 Q# _" w/ P0 l
/ s5 a$ R. V3 {, C8 X! I    感謝您回覆的這麼的詳細9 l" I, B1 g( N% y' t) s
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!4 U% a, h7 W# L( w7 `4 I7 x

: A% A' F7 C9 d. I& ~+ x# ^不過簡單來說
( r9 A4 |7 `. z- f2 ^- {' E在製程時食刻會破壞掉你的元件
; x0 x: N, E' s3 K( q- [& \. H3 t3 b( w而特性就被損壞
* `5 t5 f4 u; S1 Y  @- Q- |" ~3 X6 y4 z+ B8 N7 p4 \
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>. I7 N) O  U. e0 W
所以蝕刻吃他最多
  k5 L  V3 L0 F+ H. ^, [$ P主要部份特性就不會被破壞  B/ b1 D4 K, n7 ?2 y" E* I2 r
5 `' c/ T, @0 m% a
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>1 R# D% l8 v# T6 [3 H
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享- q3 A( w- \& y
, `( p: ~0 }0 t% z5 x! V) @
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
: H! r8 r& H. U還有電容也要加
4 c8 t: r# A+ ^若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!1 \+ ^4 \5 N" j+ j, H

- X9 Q+ G3 b, q) Eand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
) k6 ]8 m# J$ [vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
: n8 v% T- |  `  h1 I

" L3 }( Z& S+ N! b' i+ z! \' i% ?: F4 `, r! `( f
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
7 H2 S, a+ j' P: V" L+ c. J
3 [7 l# H7 \  u  y+ n如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??& _+ w+ g, [. }1 x' I

) O% [& Y' }% v, S1 Q6 {數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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