Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54591|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias. Z' a; e  O9 o
3 X* t% ]- B8 S8 k
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密( `5 X/ ]1 C) L2 c
大部分是要match; Z* _% `( w2 x7 A
Metal poly  density  不夠6 m# @: V* Q7 n  d- a/ b; ]
加ㄉ那些也較 DUMMY ! T' \8 t" j: c
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 9 @8 h4 x6 K/ {9 v, B
, ?2 w7 a+ @0 e4 }7 O0 [1 B) x6 Q
2 P$ L6 [4 H7 A; ]
    感謝樓上的大大, s) |' g) P3 {) T
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 : R; ^+ j" D9 A/ |5 c
) Y2 A; j# \& \) L6 [# F
8 {' _: _. X' L3 P' s  v# O8 Q
    感謝您回覆的這麼的詳細3 P* ]1 Y+ |2 l' n& W  m" U; J
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!- H$ S; P( ^3 D
- |3 G8 n! v- U' v2 ~8 n- u' e
不過簡單來說
! Q% f" `! }) ~在製程時食刻會破壞掉你的元件
" h9 k! H0 K, @% y1 a而特性就被損壞
# n' M3 H2 D4 x1 D9 p7 [# i# g6 Y/ P, {0 N9 `/ B; P* F) S
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
( n7 {. }' Y7 N+ [# ^所以蝕刻吃他最多3 C4 V/ V: j/ i! o% `
主要部份特性就不會被破壞
# h3 {, s& @- {/ g  D: K6 `% U" L& |  k0 f  C( ~- c5 Z  m
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
8 q1 o4 R% F" r9 q1 y% K# s7 W! g- H9 i所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, E( d$ E4 x( N+ K0 p; }- J8 }+ k; _7 Y1 q2 x5 T
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加9 V/ v- ^4 x) F% a* P
還有電容也要加
6 [& a0 x0 N- F% {% [! u% z7 @若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
6 b) x6 ~2 U6 ^  A. H
; H) {. T( W- p% U" o' ^and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
: }1 c8 M! D! H6 X' s1 \vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
) i7 h6 Z9 w& J* ]/ D
& ^! Z' G  `4 N- |8 _1 `9 N

$ y: k6 P! Q6 V! d0 `# w    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??! E( D8 N0 [/ }/ P- j

8 Z3 W3 [7 ~8 B3 Y  S如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??# S: L' D5 K; k5 p; n$ D; J7 _6 i+ t

$ M6 h! Q2 g% ^數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-6 10:23 AM , Processed in 0.182011 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表