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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
3 G) c$ h' p3 n3 g# j% I* w
2 P0 J( L; P# x' J0 mpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
, a+ d% W- y7 s6 c# A& ]2 T$ C4 n大部分是要match% h- Q4 A5 {# z. s) ?
Metal poly  density  不夠8 z  U* E$ A, `& n1 L9 c6 p
加ㄉ那些也較 DUMMY
# \  p' l/ U' n+ v8 }% K( h% C& s把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 6 p8 T' G& h3 Y5 b

8 k$ \% n) {& h0 I! p9 u
7 r& `" l2 o' M, ]% ?/ X* X8 H    感謝樓上的大大
& |5 Y. Z; a! c% M9 H   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 % s. M" ^* F& h) {# x

! q+ V' F8 K' ]/ L! Q: o2 X7 _/ ^% W: [
    感謝您回覆的這麼的詳細: A: i8 Z  s2 y. K
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
, r5 g8 b$ d+ c$ o" R5 |3 ^
' R6 r& P! B: o0 a7 U不過簡單來說
( V9 [9 Q# x- G& ?在製程時食刻會破壞掉你的元件
& n8 @, W( l: K9 \而特性就被損壞
& \, X# H; |: ^/ |5 N; P
; g% x8 W- q1 {  x- F  A若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
% v" ~, a2 ^0 i# v# ?" U* e" U. t所以蝕刻吃他最多
1 {* _$ g( n( t# g0 X# w主要部份特性就不會被破壞
/ n5 H# o. ]% H% Q8 }. q
: u: r7 b- G7 ^# o( W: ^很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>( Q3 J% k" x+ l2 i% B
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
3 e6 `  v) B2 W* f5 M: I% y3 H, o8 F+ i3 @* B9 P
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
$ d4 U' X' |  G1 M6 j  Q7 F  ^5 R還有電容也要加
- o  ]' v0 a' f. M, l1 \0 y( o若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!  ]( Z0 G2 L, c: l0 Q& I

$ x( J! f  q3 y8 c! H. c* ?and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .../ S" A* o8 E/ A1 R- B
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

. q3 m8 m+ N' l" N% z9 X' S! n* S5 b0 v3 @' s& n; `- T7 b& d' y/ i2 ~

$ ^& \% R* J! s$ @" z    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??, L& v2 @! W3 m, ~6 [/ V

# ]$ K  Y# ?- _; W, G7 l5 s$ r如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
  N  W9 Z% a* j  M5 P! h) n: n0 `. t8 h& \2 B) `% A
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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