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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias9 I- v  d6 q2 u6 _6 l4 P

) r# n0 J/ ~8 D5 |* z' @poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密% f6 l1 W$ l! {+ @
大部分是要match3 T: \0 j6 M$ G) S1 w! i0 D
Metal poly  density  不夠
6 L6 F; J. |9 e! P加ㄉ那些也較 DUMMY # K& F1 }0 A0 ^8 N. }% F/ `1 K
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
  L) w; N  C7 \) i9 n
2 K4 a$ d1 @6 L! N) W. h6 |% d
- x) W" P# Q- S7 j    感謝樓上的大大
$ ?* m: u* o! b+ G   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
& ^0 ]+ z# ]8 Q. n- o  |# o( M1 H

0 m! ~, A+ R: E" ^6 B6 s    感謝您回覆的這麼的詳細( g2 P9 o5 U! `; e- ?9 G* K
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
9 `. v2 J, P/ }' P' s
4 ?3 _& I' V+ H1 P7 `' \, r不過簡單來說
- _- Q4 |) _8 x. h& s在製程時食刻會破壞掉你的元件
3 p& t) ]* q6 f+ `# d" r& q: v而特性就被損壞
/ ?% A- E9 i* i( g& r! G
( N8 j& m5 n7 d若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>- K# ~$ W8 B/ ~/ u9 Q* A5 f
所以蝕刻吃他最多- Q2 p. E* X& D; I& y
主要部份特性就不會被破壞
* ^, [3 d" V# d. V- {$ ~8 s7 b) @6 J% a
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
% s% z& K# P. p. a) u所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
2 `. L( t4 P. {3 l; p  E
) w; i; n' G& Y9 P6 S( q又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
3 |+ _7 T/ `. D2 I# }/ f0 p4 p還有電容也要加5 O5 [! l# Z9 \2 K% Q: c9 h
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
  e5 G/ @4 }* A! A5 i# ^& Z! B& j. N0 F
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..." |- s& k. T- a& v2 U  {
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
# O- w0 s3 M- r: X

5 ^9 H: z- z. ~7 v8 m8 P& r8 y& @' V' ?4 H
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??/ A5 [# A9 z8 t3 [6 ]4 s: U0 u

. R# J# R: o* d* ?9 Y$ S如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??$ F4 f0 j6 `8 ?0 O7 A7 ^

( D' Q! o4 y# ~- |) r數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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