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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
2 F3 ]% o  g0 h# P& |/ k% }& \& U) t' t- j6 ^6 L7 p
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密; r' x8 P. L: s) r
大部分是要match& Y1 |; I( E6 A6 J/ t  s
Metal poly  density  不夠
( b  X  e2 N5 V% b6 ?( j9 x% B加ㄉ那些也較 DUMMY 3 b7 R9 K( m6 T
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 1 a5 u& m: v1 j, a+ Q3 Z
; U7 F6 @! u5 L- y- Y# B' F: }

* _3 I9 s5 W3 Z9 f6 i- M4 k" ^    感謝樓上的大大. L2 Z0 K/ q$ G7 F! u& I
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
5 r; n8 ]3 v4 t7 J  v
4 E7 z# _  E; o$ T2 @& p1 n& r8 E% _7 r" R: s' G7 }
    感謝您回覆的這麼的詳細
. T; \' b: z% e8 O您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!6 i. h* F. D+ o! V( h$ M1 Y
3 u* V. I8 r" m
不過簡單來說" I* L/ G, a9 H: [4 C+ q! P
在製程時食刻會破壞掉你的元件
5 A$ v6 y+ B+ i! h而特性就被損壞
8 l: U6 r/ E: J8 X) P6 R+ M! P& q2 d, y
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>* Z0 j, U/ E# f
所以蝕刻吃他最多' E( E! y# @$ Y: h1 D- G
主要部份特性就不會被破壞3 L. u4 W+ }+ i3 t% [' v
6 B7 @, k8 O; w
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
4 [! p- d* X* k' Y# W2 i所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享$ \8 E: k  o: b, l# @7 X
9 i2 |/ U) n9 Y
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
2 @# Z" p: c5 {& ]# w5 v1 e' S還有電容也要加4 P8 G7 g; ~! D+ a# t' G) t' ~$ A" P( R
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
+ `6 |2 p* |8 {: d- t& [+ t- z8 ]4 o, r2 X+ y/ p! |! H2 b' V
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...- `5 U+ L2 l7 M7 q1 ]
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 J& Q) G8 @$ Z  f  Y  n6 ?4 Q  @0 Y1 A. C( q: k& G! d

  a: K2 K8 x% t9 z. n; ]  w# f  E/ h: F    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
4 n& j8 w' M+ f7 w7 [/ L. s. `( e. j9 H& U% a
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
" p1 f2 ]7 L" J' @7 X! s' E5 x* R  p2 x
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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