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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
/ s7 K1 T0 A: t5 p' ?6 S4 B7 C0 y1 `0 \* ~( i
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密) k# M; b/ C3 o. @- Q
大部分是要match: F$ l! A5 v- `8 o  d
Metal poly  density  不夠
1 I- h: M) M! t2 W: M" D- {) C加ㄉ那些也較 DUMMY
9 P6 J6 h8 q0 Q2 R把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat $ @, g! X* H& j3 t, f* Y$ I6 c% x! {  z) h
4 g. B) U( F+ z) M
1 M8 a' q0 j  L+ n) g' N/ A$ }2 b; ^/ o
    感謝樓上的大大4 E* G* ]" W! u0 b
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
  i* F* C* i& @* b
  |; G! ~/ R  ?2 L+ x7 e! Y& v4 N( s
% {# W" D' |3 V* P    感謝您回覆的這麼的詳細+ Q# v% }- b) a1 q
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
# j  I8 m1 s& q1 z5 a1 q9 l, x" o' a9 x6 D$ }1 q' }/ q- z! F
不過簡單來說& V; C7 p& T, l* ]# A# n
在製程時食刻會破壞掉你的元件
; I7 M# n* S7 r5 ?而特性就被損壞
6 Y* @1 D" ?7 v; O$ h. H
6 X* F9 y. E! f若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>7 w$ G; J& c! _8 E: l
所以蝕刻吃他最多6 ^/ g, ~' h0 V) ~' Q
主要部份特性就不會被破壞
& G! `( n/ q) Q0 G; `. K! q/ Y; _; g% u: |
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- v- H( r+ E0 H7 d+ E. O所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
- |5 F6 ?2 i5 x. U  _# I
0 t4 d# Z9 ^2 w' m, B3 b' O$ Y又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
5 [9 t1 h+ \6 l! |還有電容也要加
. j5 D7 D. W" Z8 j7 w% u若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!4 U. r0 G* a3 V

9 s( [/ h! y' d9 Q2 `! U) Eand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
2 h8 }5 [: h9 K" q- I, ]; G3 Jvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

! O  o1 K. A6 G: m
& R( S+ I0 H. M* h- X
$ G( }/ ~) N( W: K$ d/ a    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??5 c4 p! R( J; ~8 M& y! q

; J0 }$ }' v# y8 E: q" x如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
/ {% U* K& w7 J5 O4 Q, X& O& H  o6 K! u
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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