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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias! R+ t5 {! K# N4 d# W
8 Q* f. B  X' t' T- K+ y" y5 g
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
2 Y/ }, u2 D8 t# k* I" F& ?& O3 [大部分是要match
, {" n0 f& l' [7 [1 O6 |. DMetal poly  density  不夠
; k$ C" K7 H( R3 U加ㄉ那些也較 DUMMY
" }  R! E4 o$ c& q  e6 L把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
5 M+ n3 ^1 l& K( ~
1 H" W" i) L* a# ?$ c" a: k# A. U* Y. B: s2 R9 d
    感謝樓上的大大
* t( t7 Y+ w2 H6 U* Z2 X4 s   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 : Q/ E! Z& c( N3 V; m6 ^

: d! g9 c! U: V1 ?) x7 v# e6 R5 F. j4 U
    感謝您回覆的這麼的詳細0 U/ z0 C' d) L" A: Z" Y
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
& d1 }) r6 h7 _+ h3 k- Q% ]! N
2 M% k9 @. ~+ v3 |9 A不過簡單來說
. z2 P& _( W) P0 C在製程時食刻會破壞掉你的元件
  z' L" V) P* m而特性就被損壞4 y. e0 u- a$ l/ b% p0 d  [7 m: C
' ~) e2 n) k+ Q7 c0 [0 o
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
( S; Q: I* l! |( N5 L- v所以蝕刻吃他最多5 U4 v4 x. q  P8 ~/ n
主要部份特性就不會被破壞2 P/ H: ]+ ]* m+ V2 F  h

8 \9 q. Q3 J# Z1 w# H很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>: w4 l; @1 J& O1 k
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享1 @; \) _0 F. I2 k9 \
3 v  R2 m5 Z9 E& v. \4 E
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
9 q* f  k3 ?  |" B# m# |還有電容也要加1 Q! Z6 X' o9 o/ B! G9 k+ W
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
1 H# m9 \& g( }6 p7 J% n, |3 _* H6 N& V+ _  K$ q# ^& u5 C6 A
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
  `( k( g- y0 F1 u3 G+ Uvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
. I, s8 C6 d. F$ ?5 G. f
2 V3 i# h) U; ]# q

0 g) U2 {& d. a* b  v0 d, G" k    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
2 l$ c+ g, p5 d* R) T/ l% H, ]$ \; T' P$ L- G- j( f1 E1 m" d
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??; G8 Q* {8 u" [/ O
! \9 |0 Y! Y3 ^1 q7 X
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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