需要加 DUMMY 的時機是?

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需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?

vincent_p0593

一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias

, x3 t# d1 o" m( {: a2 @+ ?7 apoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

motofatfat

看你的DUMMY指瞎密
% u8 A8 P& m% S3 T: S* J- C大部分是要match
Metal poly  density  不夠
4 `; }+ @1 @1 K& Y0 _加ㄉ那些也較 DUMMY
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY

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回復 2# motofatfat


    感謝樓上的大大
- h- x) o+ V) e  q- B   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy

zhifj86

2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦

chaojixin

楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………

levimax520

原來不同的元件也需要用到DUMMY阿

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回復 5# vincent_p0593

( u. }+ b; g9 D6 ?' k: S
0 F, i: g- h4 Y& c: K    感謝您回覆的這麼的詳細
您真強

bernie820

某樓說的很對!!
! w5 e& `7 A( U1 w1 W8 R& _1 |6 @
7 ]9 t4 d1 ?( G0 S! g不過簡單來說
在製程時食刻會破壞掉你的元件
: ?4 n0 g1 I4 j$ c- C- W, U: {而特性就被損壞
/ h) t* B6 r$ M1 O" t
5 M  y1 E1 M3 `+ f$ Q0 b  f若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
' W, M3 c( C. s+ Z所以蝕刻吃他最多
主要部份特性就不會被破壞

  i: X, F( d. r; Q很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
7 E  h- y. h, R/ u+ c5 V: u所以可以多找網路資料也有

xuguishuang

5楼分析的蛮详细的。。。。。

u9513349

感謝大大的分享
9 ]* l8 e" S& s6 G' _- p
9 X" X; @0 m7 G9 p* j% p$ P又學到一個知識了!!!

鋒鋒

op的差動輸入我是一定會加
還有電容也要加
4 `1 T: }' c5 k) ^: D若有空間能加的都加也無彷

semico_ljj

“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的

u9513349

thxs for your shows!!!

and i love it!!!

chone1205

通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容

chaojixin

5#NB！好人啊，讲那么详细！

pph_cq

一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
" ]% ^5 E- `$ o) q( ^& T$ y6 F6 _  Ovincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

+ e% X: Q5 {( H# I7 w

% }$ g% G6 e7 r    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？

GU

想問一下 dummy metal 是什麼東西??
8 P( }. q! P: f2 C5 V
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??

' l" _1 ^$ Y( _0 ~  j數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??

chone1205

加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕

吳龢峻

dummy device 也可當 redundant backup devices.