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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
8 ], r1 G) _" V! M1 b9 b- b7 J0 ]6 M' B/ h2 d# e
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密4 D/ L+ t: p* y* d
大部分是要match; s* r2 S! B9 N* w( A
Metal poly  density  不夠* n. P. D1 {, c! y4 m
加ㄉ那些也較 DUMMY + e8 q) ^4 G' h
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
" Y8 t+ m& r7 O' N( g8 x2 ?7 e; r) }0 y/ i' H

9 S: i% G. N/ R8 q6 z" I    感謝樓上的大大9 T2 P# F! W% s# L! Z
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
1 Y" e; L+ v: t  n2 l- U& i4 v4 W
1 A: N% l, l* z- x8 B! j6 ~7 K! R5 C) ^0 T0 X. A. Q  z
    感謝您回覆的這麼的詳細& R: g  ?4 P! C! B
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!6 \. l7 C" v! t3 p& }' `2 s

' K7 {/ o1 |3 V( D) p, r' W不過簡單來說  w0 G, [/ {9 a) s+ m' O
在製程時食刻會破壞掉你的元件
1 S- ^: n" H0 ^" d/ K5 W) A. i而特性就被損壞
4 U- ]6 n6 |# v
, z$ K8 h9 p6 t0 O( L若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>3 s+ c; j- j" _# b% T. O# H
所以蝕刻吃他最多0 M- L) {; v" ~1 J' ^+ x/ L
主要部份特性就不會被破壞
2 [  O( V* ~. o1 F5 f8 C1 |6 y9 p9 d( E
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
$ w$ W6 s0 Y: R3 x. [! P所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
$ L; }6 s! \7 C( P9 \- T0 S( }/ y3 f+ p& @0 a/ M$ C' b* w
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
7 I. o/ B. T9 n8 x- A! J' Q0 Q還有電容也要加
5 R6 q! q. x3 y7 z若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
2 q- B3 x+ ^( i5 h/ ]+ _3 ]% {
8 t6 f: }" P9 L& K5 Zand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
& g$ M" o( m7 u( A/ H$ U8 nvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
1 O1 K* C) ?  Z$ R) X0 b6 G) v
, T1 N, H0 z  O8 v( D
+ [3 r; P) |$ ?. K
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??" K! }; \8 E* G, x$ ^9 m* s

7 J- {6 L' N3 a: j2 G如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
9 g* h5 a; h+ }- A! o1 H. Y/ J  Y0 R$ v" {: V
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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