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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias+ {: R; k  B3 w; D" V0 M

, ^# V* M0 D( j- u" Lpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密7 k9 v0 {* g& y. p% l2 C
大部分是要match+ s, G) a* M5 ]* `$ [3 v
Metal poly  density  不夠
0 b$ O+ d- H* O加ㄉ那些也較 DUMMY & Z5 i6 r% W0 o/ t. q1 u) Z; g
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat , N& i+ @0 d; B" x/ ?8 y
: X- o! P3 e# d+ T' g

/ W; O2 c8 }' _- V1 q    感謝樓上的大大2 q) Y( Y& O. O' Z: W" z, q
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
  N& e; B( U( y0 }$ a
" k# c# f- e  s& e  [& @, Y/ {  `4 J7 [/ C
    感謝您回覆的這麼的詳細; M1 B  h7 }3 [7 ~% z
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
7 P8 {5 `6 u8 L! c6 D7 {! F: |: P' r! ]* V: V$ ?. \
不過簡單來說4 I- E- K. N4 E
在製程時食刻會破壞掉你的元件/ k, J: K9 J# d6 g4 l( \4 i7 [+ e- t7 r
而特性就被損壞  U9 M" @6 v- J8 I, Y) V

" g$ ]' k6 f! \8 K1 q若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>4 s- T) y6 ?% c: _2 D
所以蝕刻吃他最多5 w0 R! r* g6 ]  u7 L5 R
主要部份特性就不會被破壞
' x$ Q! M- Z( _) c2 m
5 u4 f- i" `4 x8 K5 {* `( T: h$ ?很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>8 e9 k( m  O* }( l$ z& m
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
' S& @' c! n. l; o4 S' c8 n6 i7 R# }4 F  a% f
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加* C8 e( p0 e* B. I+ X
還有電容也要加8 s, G- O1 }/ f; U( H5 X6 |
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!% W1 n6 f) p9 f+ W1 T
' I$ u% B- J/ e" t5 X
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
4 q+ U6 t9 ^# |9 Jvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
& J# F  P: z, o4 B* \3 o7 e. w* E
) W( [$ S  a8 s" H. U) p

1 ^- \" w! I" h$ Y  F' {. B    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
+ u8 ?- G8 N, E, u" R
3 J% I& {* P, V: k7 y如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
0 d& y3 P* ~) u' H  |% J9 [0 y, v6 e3 }8 x
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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