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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
1 Z$ }: R7 p3 T; z# C
! ]: m/ g4 `- Qpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密5 s! W. x: O# Y* {2 {' L* G: Z7 Z+ s
大部分是要match4 g5 ?( n7 I( r) e  i
Metal poly  density  不夠
. Y! G* V8 g6 I: t6 O8 w加ㄉ那些也較 DUMMY ! j2 a+ V4 z& A& L4 F! G
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
: \0 n- b9 J8 p! R0 w6 F+ x, H' [. I* A  \. \# D4 l9 }) D5 E

1 P1 s6 o1 U5 R: R& M7 a    感謝樓上的大大9 B- Q, y3 D- X. ~- H. K6 G! ~, O
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 # R" D- N" V+ x. M
5 h, V8 x, Q3 ]& I3 `: o
3 d* R3 r$ M" Z/ i
    感謝您回覆的這麼的詳細0 Z; g% e' g0 G6 r6 G) ~
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
1 D/ n) ]: m' t2 T7 h% a* e( Q- ^: a9 u
不過簡單來說
& K% ~( d+ z( \- I& B- i在製程時食刻會破壞掉你的元件4 P5 s& N; f& }3 Z1 M* p8 W- F' L
而特性就被損壞
2 m7 ^/ A% F2 E& _  M( q) E
- p/ w/ B. O: ^2 b7 c8 R) P若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
- g$ S9 o2 x8 K' P( _4 T* g所以蝕刻吃他最多" X9 @& ~0 f1 l! I3 j' R# H8 {
主要部份特性就不會被破壞+ Y1 S1 z+ k. s9 C0 D6 G- f

. X: L4 x' {! P很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- A2 a9 x% v: S+ L- s# G; E所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享( q2 T0 R0 k2 t8 R8 E

+ P/ y- d* J; r. Z; T- Q又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
( i  x2 V& I& ^: @. D3 h5 Z還有電容也要加$ d5 p# d# J" G6 h, S
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
; @8 O7 \7 B5 o0 U: Z5 t4 s" ], Q' J- |* q
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...# M1 T7 x3 T$ J: V8 b
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

6 ]. U+ m7 I6 i" K4 [2 }2 i9 h8 E
  n% i5 z- p) X
' ~* U* v  d9 G. h6 D, l    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??/ l) p: j, I1 n, q) q
0 l  i% C, ]  t7 l4 c" T0 i9 ~( \
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??9 Q& I! i' `8 I. h- o

9 }! X& P( h3 e* d# R數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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