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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias! N$ h. S, M( \; k
8 s  d$ j8 e6 o1 l* W' y. Q( D
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
: {7 A4 d) E* S) b7 l/ d" _4 T大部分是要match4 B: s& `  e; z2 {  n9 E' m
Metal poly  density  不夠+ q5 \% f* ?- t8 R3 O
加ㄉ那些也較 DUMMY
! a/ y# C) s5 h2 A把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
3 P. W; `3 s" c+ w* A) k( F0 t; ]- U+ u3 m+ ^6 _4 h) C; O) u7 ?

3 o3 ?2 K8 ^+ y# d5 @% S    感謝樓上的大大
+ V/ D7 p# `! R   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
6 O( q# B8 e8 |: o& E4 r7 b1 N, ^: T/ q# B
' F" Z* G) J$ O# P3 |9 x# p
    感謝您回覆的這麼的詳細
; R6 H3 f! D- X( \4 x- m, `您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
$ ]0 N" S' ^& U, E; @' F+ c8 t. x: b( g% R% Y- N! l
不過簡單來說) `, Y2 l# f( Y4 W9 y5 K
在製程時食刻會破壞掉你的元件
* V, G  h3 e1 L' l; \# x4 y* P/ ]而特性就被損壞
& P4 N. z7 F( N
$ D. t- P& q, o7 D" N9 C! O, q若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
0 t, @; X& N% }1 {所以蝕刻吃他最多1 ~) U0 X2 m+ G" H9 h0 s2 s% a' [
主要部份特性就不會被破壞" d( k7 p$ J, a. x) u
, l' u8 T% c$ [- \2 f. t
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>0 w. G4 L( _" v
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
7 P) e) ?! e: i  i. W5 `
3 n, G- P7 ^* U. o1 B' s9 B5 @又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加, ^# r# Y% a2 X; x3 \
還有電容也要加& w2 O$ J9 i& y+ m: J+ H
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
9 ~  R2 Z: x  y' x  R9 ]8 Q$ m6 G8 x% K8 P0 k: Z1 X
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...# u2 P3 ~: L* ]/ B1 ]
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
3 w4 j( B! \6 m/ O! M
. G+ R! J# I4 L

  e) S' I. a* }5 u/ ~    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??* {/ F1 k1 g0 R' R- S# a
1 R  s: l6 l% X7 l$ k; s. J
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
* c, x! n% s* T0 ]' x/ V& f; r! K3 x/ a8 M2 a
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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