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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
) b# @4 n9 v: L, K' @- y* s" `5 A* \0 [  n& t* T9 Z* f
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密6 {7 d8 a9 X- ^9 A% X
大部分是要match5 E, J3 V/ K# b0 }
Metal poly  density  不夠
- A& A3 n( @' _) l  q  I加ㄉ那些也較 DUMMY + z9 S8 {1 ^' ]3 B  ?6 Q
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 1 b1 a6 ?. G; X, R6 t- J/ R

; X& S& r5 b1 b( ^6 B. t( L  K
$ S  M- T4 b6 |2 f; Q3 q$ M    感謝樓上的大大& I* }2 i& [! Y( |/ |" x$ ]
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
2 y9 z3 F3 t( j& ?: r
  Z8 K& _. s9 e3 t( Z8 R' [; q6 v
0 z, F$ a1 k* c7 M9 _2 o$ T    感謝您回覆的這麼的詳細; j3 y* O9 V* a! B* ^7 s& x
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!" q* T/ Y' `( E" x) y/ T2 E

, m+ ~  B! @' Y4 v+ e% _不過簡單來說
8 n, z( h4 f, K  r; P在製程時食刻會破壞掉你的元件" F& s+ \; @, |" b
而特性就被損壞* m: D8 e6 ^) j! I

+ i  N! L% C& J1 \0 A若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
/ W! e& k# T6 [, D5 ~7 E" q所以蝕刻吃他最多
. O& j9 N2 L) _主要部份特性就不會被破壞- G) G9 V( w. w; ^" e

8 ~& C6 ?" H9 p9 y* h很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
0 L7 l: h5 e. r" s) k, c所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
. X' W% c1 Z; D5 ^( c0 w! d
4 _7 p2 Z: [, X3 Y# {# N* t3 H又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加- \; F( c& L; |! v
還有電容也要加
6 K, w" X, @7 I, z2 }若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!: h- M* m7 Q: [7 o

$ z5 n9 [& F3 E7 hand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
6 @2 m7 l5 S; B! }$ s6 j: |* kvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

: N- d! L6 O' @* n
9 _9 A3 _+ d! N4 Q
) F2 Q/ V% Z! f- m  R    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??5 d+ }2 d$ f; j5 \' B9 b( ?
0 y) g  M/ g" S6 V& l. `! }7 d
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??+ m. n7 ?7 v/ s7 H! M; \
( Z: M! ^2 W! S0 J
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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