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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
# S6 a8 U- R2 B5 \$ Y2 u% I% ?+ b: B) b
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
, A7 p- n4 W" `. n+ i' U# O大部分是要match
# R' o3 i* @; P7 Y) F. P( L$ U; gMetal poly  density  不夠
) H6 g, H  a' K" N" _: P7 d加ㄉ那些也較 DUMMY ( E& q; s, o0 ~
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat / u% I6 q* f- @2 ]

# I9 {8 a( {6 [2 X0 X( S: ^* O2 L2 O4 g
    感謝樓上的大大
% i. B. F  _/ b2 A   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
# f3 H$ Q2 p& Y( h  Z
( n- z! s4 I# D! d. K
3 H" n- S+ i4 ?: }  z# ^4 R    感謝您回覆的這麼的詳細
" O7 s8 T0 C6 Q3 T您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
+ [8 ~  {* o/ g6 n
' y4 {; ~/ d. n( H* r4 ^7 ^" C不過簡單來說( z6 ]  U4 }+ r% r3 ^
在製程時食刻會破壞掉你的元件
. d# v: D; d$ |9 T而特性就被損壞. N" F; L& X) @* \# S

  {0 y* `( P& _* q, {  x3 i  F% i7 B若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>' l' Y7 V! T# q+ T0 f' L
所以蝕刻吃他最多
) P9 i* a# j2 w- [  A0 `6 ]* B- W3 _主要部份特性就不會被破壞
* k/ Y2 r( C( Q- M% ^7 u* t4 n. m/ n: U) x
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
( X7 H& H( n" U+ G: ^0 }" v所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享; H. a1 X% j6 x& _5 g, n, L& d

6 |$ @  B! P9 O  K( d! x又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加. b" x. i; ^  x
還有電容也要加
7 I8 W8 Y+ G( \5 |# X若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!5 N7 I4 f4 [  e; d; N6 D) |

: V* O* F) {  s/ C9 ]  e3 g! `and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
' [3 J: c3 i8 @5 d. @vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

0 K( n# x, @2 ?4 o' y5 d( N6 P
- K+ g% F$ o* G1 k5 Y" }- u+ a. P+ H1 q& l* F) N& B* o4 _. n
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
* w1 u+ d6 x1 v2 Y; B% h, H- u' L3 M& L, W5 Z! |
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??3 l$ k) x- A& o! V, q3 p/ j

. Y" W1 X, A2 t4 F數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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