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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' c. |0 h8 E' w$ C; D" z
( a. u& P4 N0 A. xpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
$ O( b8 p( X4 |! u& C# ]大部分是要match* \9 v4 _1 U/ q# H4 Y% v/ m
Metal poly  density  不夠
5 U! W/ K" l: H: K加ㄉ那些也較 DUMMY - \7 j2 d. ^! ?! C0 O$ E# w
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
! j; A# M# `( T- q8 q2 T, @
, a1 ^2 b" D' Z' x) J
4 n, [3 k" r  d2 Z- R    感謝樓上的大大
" V* K6 e3 m6 ]# M* e: L   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
5 @& B, W9 r) L% l- |- x
' [( n& p7 ^3 x8 z0 {, N9 @5 R% ~1 U: X, e- g% ~7 \" [! P
    感謝您回覆的這麼的詳細
+ J7 N1 s1 p6 r& K  s& g您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!2 P: ^7 `7 i. _
2 l4 ]7 `1 U: l4 W6 f2 a
不過簡單來說1 w- r  X' w" k9 M/ N' [2 i. v* `
在製程時食刻會破壞掉你的元件5 r, M# S# B  M# ]
而特性就被損壞; p9 _  N1 t1 |. e- v$ J, V* A3 b

% s0 {0 b, l2 [) ]/ |$ P若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
0 H9 c' v) q+ A- n8 D$ ?所以蝕刻吃他最多
2 D6 o% `8 M8 Y/ x& G, a主要部份特性就不會被破壞9 T, @  \* [8 ^9 N8 a8 E, R! A! R
' W1 \* e: n- k
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- A& U2 S- I+ G. S所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享- \- }# c) R, \0 P2 R7 ]
* W- v& w4 J* o% }- U
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
" t# D  F/ {" @( W& ^還有電容也要加
" U& k/ e3 y3 \: @6 I2 _, [若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!. j* M- O0 N$ o$ a: Z' I5 X
' s: B* @  w, Q0 w  i3 r
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...  }4 V, h6 A' d" ~
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
$ {2 c! _. T, q0 r9 H  C2 l

. |5 S8 L4 [7 V; n: S- ~% p
" [. @  K% g4 f3 ^    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??$ w, v0 t8 \7 n1 `' }8 I

% I5 [. L  }6 w. k+ I  Q/ y如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??0 G% i0 R4 Z" H8 q; O3 v/ V- V
) ?5 i' {  m; P) [
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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