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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
. s7 l' a  }) u, S6 k6 p0 `& N  ~1 b
4 c. M6 C7 [$ V# E* G1 Lpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
, X6 {/ N5 X: m大部分是要match
) c* b0 W2 |9 v+ p9 zMetal poly  density  不夠
! y4 k" d! T9 o% U- B2 ], B加ㄉ那些也較 DUMMY 1 N( F! d, g" f
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat - {9 }9 R2 I  t5 j
& ~, x6 f4 V  Y0 L- t  L, s3 D
# |9 T8 Y& O  q; A) v% B
    感謝樓上的大大
3 d7 F; y7 L( s   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
7 G2 ?5 W/ S3 x( ~, H$ f4 q0 M& M. Q. T7 d. C0 f# v
/ O( Y' \& v$ @- Z
    感謝您回覆的這麼的詳細
' G7 Q( t; J2 D# y0 X您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
+ c5 k% D0 m- b( p  o0 |: I3 t, T4 F! y. Z) w, n2 v
不過簡單來說/ y6 L) q9 m/ Y8 I& c) C
在製程時食刻會破壞掉你的元件
0 o/ z, ~) e' s; C/ t3 G% L6 V而特性就被損壞
$ o( \! a! L" o. u3 v' f; l! c1 ~- e! V( ?7 S7 ?( C) k; ?$ `
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>+ j2 o% T/ C3 m! T7 q' u, s
所以蝕刻吃他最多
1 w8 p$ T8 c, O5 Q8 m' g' y主要部份特性就不會被破壞
) j* [7 Q9 k3 ^
  ]9 g1 @2 J# v( X1 i很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>. I# |2 w+ p0 t& g
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
3 d0 u% p( c! s: i9 n! s! u' {! V4 a. I& x
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加2 r: U' o9 Q& N5 O* l( w
還有電容也要加
+ N# b1 E+ ^' _, o$ P: S" P若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
4 R  {, ^( a, Z6 y& N
& O; l1 d5 G/ {& jand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...2 @3 E/ I8 T  m: V# {
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

, K6 H9 A* z! Q, d9 z
/ X' e. Y% K! [$ g, w" ^! F% ~* U: _! _- i. S$ V/ _# h
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??- c* N/ a1 |7 E0 @+ \

+ s; O% o4 v( |) ?% F4 G& }0 O2 g如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
, \4 f6 n8 {: @1 f0 e! C1 t
7 |2 F5 `+ c, N( a; }4 I數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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