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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias9 O1 m' {3 Y8 L& p
# o- G! P0 j% R, b5 s
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
1 l, p+ k) h0 O9 t& i2 `7 t大部分是要match& G6 o; i" x: [" D+ g6 T
Metal poly  density  不夠
7 @* u) Z$ @5 T7 e加ㄉ那些也較 DUMMY
7 h7 r" M4 C* O, W1 P3 H把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
0 d9 ^# z. B( H& N
) l8 ^  C) l) z4 D2 n( H
! J+ L" A3 t; ?' s! H* ?+ V6 J    感謝樓上的大大
1 g; U$ M6 n8 i9 M+ L- L% B4 ^# i   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
3 Q- u% f* G/ E, Y& k) G3 \+ G+ X9 E$ N5 Z1 B4 h

9 ]( M2 ~6 r0 V    感謝您回覆的這麼的詳細$ h2 y7 G# N1 R5 ?  @, d' u
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
9 {% K$ ~+ ?7 S) ^; y5 v6 B
7 i, r( j8 j3 i5 ~; {7 j7 N不過簡單來說
0 d* n% N% }1 h: i2 ~1 }8 u在製程時食刻會破壞掉你的元件
$ }: v& f! V3 }. |( h而特性就被損壞6 Y6 P! m/ u5 C  b6 ?4 Q
, U4 D: ^- W, b& L( m
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
7 B% E0 S. Y" K4 r) u! |$ ^% ]$ `所以蝕刻吃他最多6 [! ]5 q) }6 k4 @
主要部份特性就不會被破壞: y' g7 ^8 O5 a

" s& U4 q: t; L5 i8 f很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
4 R- K+ z1 y6 K# Q所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享2 g' \' w* L8 _2 b/ k

0 ?" s* X6 j8 {( [2 w5 @又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加1 o% \8 E1 t! n
還有電容也要加2 H. [2 ^. m* h
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!( n. I* a0 `( x4 S
  D6 e! ~# Z3 f* u4 C, E0 \$ C- c
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
9 A  G8 k0 `+ A8 |vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

( T: v4 [8 v6 h- n* z
7 s6 Y6 i! f& m2 A3 h7 V9 G! Y7 _7 M% q* Y
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??" f( Q1 M- {. I6 D: S
& \$ h4 x, s* I7 i" [0 B1 o
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
% v6 Z. b6 Z. `( b; m* m) a5 d% {, ?( D
- Z+ F! t6 l5 X9 O- `, t9 ~7 t' J數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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