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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias" N9 a  B9 ]. G' o# T

  a' S- t$ h+ k& Mpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
' R. e- R% R9 `5 X9 Z4 u6 _大部分是要match2 ]6 q( n/ _# ?& S
Metal poly  density  不夠
! R) k. L) h" {3 V" K5 b4 S加ㄉ那些也較 DUMMY + m9 T: W3 f' U* P) R4 @
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
/ `7 ~: N/ m; h' C* X" P' f# g* M& Q+ b7 _' K( t8 r
  ^% o4 ]$ |2 T+ {
    感謝樓上的大大
/ s- J# T8 J6 `* k   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
; {! S! M2 w7 _+ I, i- |* y  s( h

" U5 i; z# Z: u7 |    感謝您回覆的這麼的詳細4 _3 T# N8 A* u/ c0 f+ Z) F& _) a
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
. D$ a: C" K* R
4 x6 x7 o; R' q6 h8 i: @8 T% [1 O不過簡單來說
" z3 Z: z" b6 b# h' y在製程時食刻會破壞掉你的元件
% D, ^; K# [. }: N5 H; A而特性就被損壞
5 Q* k2 _' }) O/ y# {- b9 b% Q* b: D
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
6 f  z2 g7 P' z6 ^, z: E所以蝕刻吃他最多
3 |* i# E2 J# r8 p主要部份特性就不會被破壞$ J4 [; r9 u+ N) K1 f

! Z/ e- ^" a: ~3 O' i很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
0 ^' f! N& n; ^2 @- f5 W+ p所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享! L3 Y) J2 O) i% X. q. W
1 U  q, o$ g9 I2 M
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
' X5 [5 u3 m6 o0 J$ m4 `5 {+ p) O還有電容也要加1 F4 G  g5 A" U# h
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
% c7 I7 A; Y2 V6 O
. h* u* }! h  ^  y) b/ _8 n( N5 kand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..." x$ b5 z  g: }+ |. C" ^1 z, ]/ E
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

2 {, W9 ?9 T/ e* l* `* A$ h
+ K4 f) R3 g$ C, \# e1 h
4 f8 t. t* Q" h- i  X    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
4 A; O5 Z7 ]/ E* [4 S
  }: k1 ^  |4 c4 ?' \. T7 _7 G如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
0 v/ f- ~4 b5 V# k4 N5 E  V" g) D; A& @* g8 h8 ]" H1 Q0 _9 |
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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