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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
7 D7 A5 G: D' c2 t3 `5 ?& d. R. H8 S9 {* X2 ]! S+ t5 A- `- O0 K. ?  }
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% j- f- J3 k, j) k; E% Z大部分是要match0 h3 c/ c  u9 L' j
Metal poly  density  不夠6 ], d6 p) }) |0 L
加ㄉ那些也較 DUMMY , {  M' h# k% Q) Y. g+ r6 n
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 6 z* }, e* M& o. c: V' q. ~: G& ^

, P- a. }! C9 y$ X  O2 L
0 u2 W' g2 H; ]; ?3 G" N) r    感謝樓上的大大
, @5 O6 D1 |8 Q  ]7 M   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 + v" R& m) `3 V3 R

% E. `; T: Q9 p) Y2 }8 p. n& y6 M# x$ o! D4 I& @0 W! F
    感謝您回覆的這麼的詳細
. R- |! C% v1 R" O  _您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
9 }4 o0 v$ X0 ~# Y  X& P$ ?
& E! }/ t0 E9 b3 {# E" j不過簡單來說
( w0 A, x* ?% j; g+ l. V在製程時食刻會破壞掉你的元件
+ L% c& ^3 w  [" D而特性就被損壞5 u) M% M- h9 \7 g. L

$ J6 E5 a; A6 o. j若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
, P7 ~$ s/ e$ T% [: a所以蝕刻吃他最多% b; s* u$ n! S
主要部份特性就不會被破壞' P( |; d# l" _

- H* ]' Q$ M5 {2 j: L& k  O很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>  y$ x' r3 s& B2 O  f
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
8 ~$ P. y- b% [' K
! G% W: G& t  G* Y& o又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加0 U' n" l* ]) d! Z
還有電容也要加* A- e* P/ l0 |, _
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!7 X" F$ l; X7 n! z* v, }

' ^+ u+ P" M' ^! g2 F9 W5 k5 |/ {and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
1 u+ H$ ]5 n" k! T, t5 b+ @( [vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 S/ ?! G8 [* `( t  t
4 j5 l7 {3 e5 h1 W0 v6 S. ?7 c7 d0 O
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
! F% g! _* c$ m* Q" _
5 ?/ s0 R6 n# E. y' Z+ Y4 p2 y) n& u如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??2 k, f2 o9 Q& ?; Z. I

! c3 D/ N1 M) H, V- |$ m數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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