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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
  d* {. Q# x! ~' C- B  t& O9 ]' P+ M* m# O# s
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密7 v8 l2 o5 x+ f, ^
大部分是要match
" Y/ c% g5 v5 WMetal poly  density  不夠1 D# a6 j5 e6 u9 \. t5 [) Y: I6 `9 y7 L
加ㄉ那些也較 DUMMY 5 B6 L6 K6 G  r3 V: B2 K
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
" s  A/ t! _8 C" f3 {  I% C  a  W: `  }0 [

# }7 \2 j6 W) A% m3 a) K( j  z    感謝樓上的大大% v8 u6 q( R1 P
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 6 G" M; s  E" f: |8 v( o7 |
8 R3 O, j; h4 d' `( y
9 E8 g( I6 p! o7 M$ c, M
    感謝您回覆的這麼的詳細
7 z) \% h! G, q% e9 r* `您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
+ ~. a5 j) a: }
  S) ~' ^8 r4 z+ u+ Z2 N不過簡單來說
; z2 e' g6 {/ p; a在製程時食刻會破壞掉你的元件
+ z, f% J+ l3 e2 X而特性就被損壞
0 q9 q' T! `" h% `
, T0 U, P5 Y* s6 C8 m- X. d若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
# A) O( [- F* j  S7 P所以蝕刻吃他最多2 p2 s% N2 @1 E9 R% b6 W+ J, o
主要部份特性就不會被破壞0 |, F  e9 `- B6 s% e0 C

% S( \+ Z6 G3 \2 c9 ?0 R很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
1 j4 l2 }2 c+ E3 D( N% |所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
! `* x4 }1 @! l! B8 R1 ^8 a- T& x0 }. h: H
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" [/ c* s' K; m1 n' I
還有電容也要加+ N( t- r  Q- E! b. m
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
9 Y' H; u! \0 C/ @! ~
: Y$ n7 b& u$ D% n) a! Cand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...0 s2 y9 {$ F8 |% p( _, B
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
: F( b* p$ B: e, E: \4 X

7 F$ h$ N8 \+ i( y( @# t9 q! H, f
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
+ X! C) G0 ^: A0 E/ Z" `" N0 f; B5 f8 a1 r  k! g1 |- g
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
4 T, R+ y7 ]3 g5 r0 x
  Y5 U1 @. R$ p  L, ~數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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