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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias0 Z  ^- A4 F" a" u3 u
' o1 p- X% q! Z' x9 ]3 U% }/ h; v
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
- w8 w, z% j! x# X大部分是要match/ N1 o8 p1 C, z, Q* Y  }
Metal poly  density  不夠
9 c/ b3 P1 i0 Y% c/ U  E加ㄉ那些也較 DUMMY
1 S( \/ w) B, Y! {把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat + c/ h7 Y5 l, K' O0 i/ s
- X1 C: ?! s7 J2 n

, E' c+ P, K+ u1 I7 w    感謝樓上的大大
; n+ ^& i# U  w   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
* F8 I; G) _* c# f1 Z8 K/ c! n
( a* Y( j' v' Z8 T3 j
; |/ |: U& x! f$ |5 v) r- `    感謝您回覆的這麼的詳細# R8 e3 Y( K: M
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!; }  |( ~. C* q: ~7 u

( z4 z9 y* H1 Q6 L! J不過簡單來說8 n/ O2 B, |6 j& X: C0 ]- W' H
在製程時食刻會破壞掉你的元件
3 U1 C% J4 g6 j2 N. x% H0 c而特性就被損壞9 M% M0 X$ h3 }. n$ k
" U4 [  V+ |! D& i
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>! A" @9 K; d0 A" H& D0 h
所以蝕刻吃他最多
' S% I' @% q- W' |: W. m* y9 E, g主要部份特性就不會被破壞
& p( C& Y$ h8 b0 e; t. Y6 S8 E1 J& o4 v  b$ D/ E
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
/ a9 }8 A1 M5 b6 y* Q; m所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享; ~( B2 h. ^4 ?" g
: X: ]  h3 u; a& g
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
0 n, ~4 Z; W) T0 k8 k7 x: V0 @還有電容也要加* r+ K  z$ K. }
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
; B( A, ]3 j! ?/ k7 S" U9 e& r- f& _' p+ z* F
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...! o+ G/ g7 \7 F; X
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
0 H5 m* _: J0 N; |2 R8 ^
2 ]. c/ D' |" _  [! C- E* K- Y
5 ?7 ?" w) A# @
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
) X- r' ]. p# f+ C* Q' V0 w7 A
; N8 V' x7 U! u, q* }) o0 S/ p- P如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
. ^* m. o5 l; Z7 L) ^$ T4 y6 C
/ i0 [5 [# q7 ]1 j' C" r/ R數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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