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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias. @2 e2 E8 L0 Q3 J! g7 Y$ v, L! V
- T1 J/ A$ a" X, \* V
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
8 D: d- t/ a9 n4 e7 l大部分是要match
, G' A, ~- W3 n/ xMetal poly  density  不夠; m$ ~+ \. C) X% N% l& F
加ㄉ那些也較 DUMMY
& j% V) A2 _- `4 Z! H3 e8 }把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
* i8 j7 A. L/ K( s
# T( H# Q+ G0 v7 y6 h; \3 L+ t. i) g& A3 S% C4 D8 Y, Y* f7 a
    感謝樓上的大大
- E( W' {. c0 I6 p, n) m   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 , S( `/ ~" I2 Q/ }$ i( ]
/ F9 u* e' E1 V+ V6 q0 a
* o* ]0 i' L  r0 a* f
    感謝您回覆的這麼的詳細/ r0 d$ p2 V& Z" m
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
8 _! z4 t6 b- f/ C  o5 V3 i: B
. C6 N$ D3 O1 V! S( k: u3 [不過簡單來說
$ M' d6 u) Q5 ]1 e' e- x% Q- j在製程時食刻會破壞掉你的元件* \- w* H+ R0 {- X( P
而特性就被損壞5 Z: t  X# I3 ?) ~4 M7 W
* _6 @9 y; O) H7 `( G9 P7 m
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; h% _/ v" c# a% A& `% z7 u- f9 d  F所以蝕刻吃他最多6 h9 S- S) q9 B  t0 v# Q/ V" W9 j
主要部份特性就不會被破壞
0 c- V9 N4 g% o/ G2 V5 S4 M9 D' u; m. Q7 B: ]3 v# O9 S. ]
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>9 r  w- @; b0 q- d# R) c
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, B% U0 J. R0 ~1 _' B+ n" y7 V" }. D9 H8 O% o3 Y8 W2 S
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加( L9 j- w0 P9 o  g! k. ?
還有電容也要加
: k8 d4 D) T0 Z) i5 x1 g若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
5 ^% u  W/ g/ E/ {+ g& t
- C5 u% p5 D. z; Xand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
: B- Y' R( a: _0 o  M) O1 ivincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

6 e5 F& ?! d/ i+ B0 ^. t! ?
, P& b6 Z* h* m: z1 T7 N) M+ \( }! u; r; z/ \* t
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??. p& |/ M' ?, V' X; i# x

, Y; T! n" Y" m8 g% U如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
  Y" a9 f# x# T+ y9 ~! m7 D3 {" X+ H( f! m& G/ Q
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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