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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
; J& _# v3 B# Z; ?7 d- f$ l1 c( D7 h5 E: B
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
" f' D- R0 }: q+ P" r4 b: J大部分是要match6 f: ~4 V* @9 x- l0 C
Metal poly  density  不夠
$ E* T, s* t% O* \" {加ㄉ那些也較 DUMMY
' e% |3 a. p! C/ e/ N0 o把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat + P4 A2 d3 l9 k

5 J$ N1 I! F' F( D7 \$ k
- j: u3 o$ k# w2 U2 h    感謝樓上的大大
% }% o) ?; _5 C$ B. O6 V0 c   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 : q0 S4 y' a2 h. k
. ^. Z" n! R' }  L- d9 P' [

* m' G; `% w; W5 \/ G5 J5 p    感謝您回覆的這麼的詳細: E8 q( g* V$ |5 ?$ K
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
; s7 z6 T; ?2 Z& k$ P" g. o) A
' u/ ^, n& V( m不過簡單來說9 C+ E. F1 D- f& |
在製程時食刻會破壞掉你的元件
4 ^$ S8 c) C" m2 Z# i而特性就被損壞* Z% ]" k: k/ ]# \9 M
; K) I4 L( A  P7 T# T2 z: o, H
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>- V( r! p5 Q  W6 M4 S3 w6 R
所以蝕刻吃他最多
1 E8 K; J  E; `# X主要部份特性就不會被破壞5 z$ j$ Y& e# e% E6 R
2 i8 }4 o6 }; T$ c1 X3 F
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>, G% d# ]; ]# C& @7 q( g4 c2 X4 s
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
: _; K8 ?6 x+ p
6 y' U, l' x" Z9 ?) {3 j4 x% C又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加2 b- {+ u: c; G- @' g
還有電容也要加
0 r3 O) Z# ?, E3 \若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!) R& k4 J1 z# Z. E3 V" {

6 I& E6 B/ ^6 T; F# `( k  k2 mand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..., Z6 q% W9 }$ S/ i; x" b% E+ e
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
/ z- I! C) Q1 H7 }8 x+ `8 h

# I% [& w2 E' F( ]3 Q/ {
! i. f: I6 A8 C9 }7 ^+ t4 u6 h    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
8 x2 s# J) y6 B' W$ x7 j" t
7 I9 X. M- C; Y& {3 O1 n0 n如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
2 X; T# _- _1 `- s
% {, l) \# W9 y( ^數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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