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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias  T/ P3 ], K; p5 g4 k

/ A# H! `1 ~0 d& c% ~- Fpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
) |! d; q9 J. [大部分是要match
% ?- G8 p/ u6 C; AMetal poly  density  不夠
  M$ R4 z; T) a' S加ㄉ那些也較 DUMMY * T! x- C' K" e! y. Z( l
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ! s7 d+ Z8 d, [9 L1 I
3 I) c8 h2 b9 _8 W
8 E) J  F/ |3 d  p) L! _" L
    感謝樓上的大大7 V' ~6 m6 J; u5 o2 @7 ^
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
# O# t% m6 R% m7 m
0 f% ?& {' \0 k0 Z
4 ^0 O0 g- K5 w( ~$ P    感謝您回覆的這麼的詳細
! n$ Z0 `9 _- U: }, G; X& i) }您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
" j  C" q- k& r9 b; r: R9 v
/ }" p8 \1 u1 D- t3 R不過簡單來說4 ^8 U2 q; C( W: n4 ^
在製程時食刻會破壞掉你的元件  C9 `; `/ ^9 B& ^  b. ~$ `$ |
而特性就被損壞
: ]' r  q, f4 ^5 `8 k  H9 J, O# D: O- |+ @3 g  r
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
) p% x# b4 B6 K+ B2 X所以蝕刻吃他最多: f6 D# D5 T9 L8 ^& p/ J7 Z
主要部份特性就不會被破壞
7 F' z$ q( I! J- f& ?1 c& K; i+ a5 h( p2 V3 L- g2 r# k* B
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>( S6 H. }- \( x
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, b0 _2 Z# M5 W! W; X  q# X/ ?6 @- M
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
- l' D; j! R+ A9 e$ o1 y還有電容也要加
! Z# J- F3 T8 }* B  E3 k若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!1 F3 I- O. j6 s& c; J
/ b. N  J7 U. U
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..., d" ^8 W8 u/ \2 K0 L) y
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
) p" r( N+ r+ p: O: S

7 Q0 D6 m0 h  q" X- T3 y: a6 y" Z; E, I  E2 S
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
) W% z; p& k. O
4 Z3 P) S; J9 W! E8 W+ @如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??  r  @4 [1 ^3 a0 `" j% E* u7 [
: k9 F( f; D* r$ ?2 Y
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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