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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias% p8 f+ G7 O. g+ A) N  v. {0 G
1 v7 y/ C, R+ X2 ]
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密9 P7 }; [3 w! t7 @
大部分是要match3 _1 W/ M$ Z" \9 u" q/ ~
Metal poly  density  不夠1 s8 c& a4 S# I& |
加ㄉ那些也較 DUMMY . x8 {: A: v& h9 e1 n( B
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat / B( Z; m* u; S" z
. Z# L: P0 O* b

* M7 d- K$ T2 F    感謝樓上的大大* j! @6 s) c) @( k1 t7 L1 j1 a
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
7 b+ M) r1 v& F5 X8 b; L( s
/ R* v* J9 O! i% d7 w2 K2 O; n& v/ U/ W
    感謝您回覆的這麼的詳細
( h+ M& Z( Q# X您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
+ T) c9 ]) k  P/ u  j% {
* J& m0 [! F4 [不過簡單來說0 b  F+ M$ w8 t
在製程時食刻會破壞掉你的元件) P0 m4 ^" s* v
而特性就被損壞/ n- P/ \" g# F2 g" C" F

$ V$ K, U3 K6 E5 x* \6 n若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>3 a, j3 w* t1 a, t8 E0 D
所以蝕刻吃他最多
! |" @0 b% _5 Q& V. u+ ]! ?2 w: B主要部份特性就不會被破壞$ L9 @) M* _; K& s4 p2 J2 f

% L' }! K' F$ u% S很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>+ c% p. V2 V% k5 Z" @
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
* o3 _2 T- j5 ^8 Z  R( c$ |7 w- H/ D) O
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
3 R9 u7 d$ y* C- O' P/ r7 @0 L% @還有電容也要加" C% D# ~2 K) N% ]! u
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!0 u! ~6 v7 W# E
1 a3 r; S* K- P: A; x/ c
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...- V, b' ?, |7 y: b1 k) {5 R2 ]
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
/ G& J3 i% t: O' S8 J

4 c, N0 t; k  d& B" q  x* {1 ~
/ ^0 V( v1 z' a7 I    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??  C# l1 E2 `$ C: o3 e& e
9 C8 O/ h& A% p* `. ^
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
+ V  J( e' u# E$ R
4 ~+ C9 m$ Q1 U1 x) |+ d, c) t: w數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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