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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
" o9 y* b5 G% e' [9 i6 i- @- j- R" d: g6 z$ I: o
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
- N9 f; O; ], W- Q大部分是要match7 d! j# C8 z; ?) e: Y
Metal poly  density  不夠
' o5 C5 r% P% R7 t加ㄉ那些也較 DUMMY / L. }% A* u7 u# n" C" @
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat   X' R7 Y' @4 }! z/ _) s
" X, R' g* G" \# C0 t

4 u8 @; m3 g* |! ~& m! m8 Q    感謝樓上的大大
& Y( c% M- I& \   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ! L) |9 G+ b( m+ F

4 `, o7 Q) u8 t
; e( N+ J6 O& |" ^* _6 q1 F    感謝您回覆的這麼的詳細, \. }" \* Q+ _, o0 ?& M/ h
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!# ?: x8 e5 U- l" o2 T

/ p4 R( f' ]6 G' D, \4 Z不過簡單來說% Z: {5 _* O+ ~* g# J  ~4 b* x
在製程時食刻會破壞掉你的元件, d+ [" Z$ y( @- p8 u# J
而特性就被損壞8 s2 C- a1 X9 }3 W' ^& |5 j, b
1 s; I: }- V8 g0 Q4 W& @7 U# r
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
8 [4 X8 R* d2 g. ?% \所以蝕刻吃他最多3 y* z: d9 `6 J9 V0 W) w! I' K
主要部份特性就不會被破壞3 u3 q! w5 g( ~! o- g. T6 ^: h1 g
- S# W9 g- w1 t) o" l
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>6 _" C* w4 n! ?& s2 F; |
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享7 _# l/ P& {1 ]
& U$ M5 L1 N0 ^+ x  @6 H8 y/ b' A
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加! ^/ y( d8 u- k* T4 b
還有電容也要加1 x7 u7 c0 N5 h% L! \
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
8 B( t0 s" C" m8 z- x2 c/ f
/ g0 f$ w! [8 r. mand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...% L( n  j: X% B
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

/ d& B$ T& N' X. {( G8 {
5 N" F4 ]1 _2 J6 N/ Z8 p- `& X( r; ~8 U4 x! h( |
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
, D. f5 H! l6 v
! p3 u, C; N8 F9 r& s& ~如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??- i* U6 L3 g. m" `% @# U: L7 e6 T
2 H7 r# l2 E# L. ~
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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