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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' g+ R* R* l' C  ]3 y7 p0 }( }) j/ j1 B, ^& B0 n' g# \
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
& u$ b3 k4 }3 s" a* F4 I4 _; D大部分是要match
$ n" }# c8 i6 c8 hMetal poly  density  不夠- Q9 J+ H2 H# T
加ㄉ那些也較 DUMMY 4 f0 P) P$ c+ Q
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
5 h) s# `6 e2 B; k! D! y: k; q( x  e# m
4 b# m" Q5 m$ e5 _- L" b
    感謝樓上的大大. M8 C4 _$ e3 [4 F) J
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 8 J# M$ j* Z; I/ m; q* H

& R. b, ?% r3 s3 t' h% n
. j+ x3 U. E' P. D  j' E6 c8 v$ _% v    感謝您回覆的這麼的詳細, y2 E; h& y0 t2 v
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!* u1 |3 I. b! K- f4 ~8 b
) Q- @: S' d0 F1 o  @2 ^; v" J
不過簡單來說
* y: v' U8 h5 y2 h  h* S5 M7 J. ^在製程時食刻會破壞掉你的元件2 T. _3 V0 J5 n
而特性就被損壞1 M2 o3 ^. T! e# c, u: M

) K! I: Z4 m* ~4 B3 b若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
4 L  E. D: G+ i) {2 A1 `! v所以蝕刻吃他最多
* _6 E# ^* v1 z7 o6 n- ^主要部份特性就不會被破壞
+ O/ t4 d+ X) h
$ g  u: h, c8 H. Y! w很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>7 A' j0 I  r: I* ]9 M/ S  I2 A
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
8 Y" @8 Y& f' S2 m( B7 D$ ^; h1 L, a7 _: }
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
+ y7 t- L0 D9 v: ~還有電容也要加
; r3 }, l  f, J" i1 ~! |% u若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
. \- Y* s7 D, n* z7 [4 v- K; X2 `. {& p7 Z8 U0 O9 M$ p0 l4 i3 {: h- n/ I
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..., X0 V0 \$ O% R3 |
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# o) r: N0 m& |7 J6 k# I1 c1 g* v
8 V9 d% z# H( Z# `3 t: `; n
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??. S. q: j' H  l# W% K- `

4 l# o" V. r  A) e( J4 `2 D如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
. Q- e8 j" M2 b1 o5 V6 d; v5 y: i& r; T0 k0 k, Q: r% r
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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