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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias) q6 F0 ]5 n! E, q$ {. Z( D

4 F) ^: X( l7 C2 B( e8 @+ Z; `poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密: U6 t* n  A' E6 U/ Z9 B  t
大部分是要match3 `# I2 x% d  X4 F' C7 J* r
Metal poly  density  不夠
4 V  r/ I. ~' s. y/ x# W5 m5 w加ㄉ那些也較 DUMMY
4 K7 s5 K* S3 \7 G把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
8 ?0 a  ?- V+ R$ _# n
5 L" b& z. I# L+ m* r$ g) I9 C% o! c5 r* K4 E% e& [) o
    感謝樓上的大大
* `8 l. L' @# P) g7 ]   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
+ E1 `- F( d8 G( n$ t: C
) F7 {  G/ N( p" T* x2 [( d9 ]; V$ {5 O# U
    感謝您回覆的這麼的詳細' Q6 n7 t+ ?% q
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
& C2 d: z/ ~  J5 m# n$ X* q- \. V+ e5 \, x# S, M4 Y" P7 Q  {
不過簡單來說; ?: `8 f) m5 W1 h, T8 G- W9 r: R% f
在製程時食刻會破壞掉你的元件
- ^; G, E/ y. N( G而特性就被損壞& a6 G' g) x- }1 l2 R" }

/ L+ p* \' t) n. P若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>, X8 O8 U" \. j
所以蝕刻吃他最多" {. |1 U( o7 h% X( L9 I
主要部份特性就不會被破壞2 `8 H) w# n& ?
. _7 J+ i; f  v4 v* B/ ~. G( x
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>! F" N- d. b7 K  t9 E
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享+ [" O; G  {- d  s& e3 c5 D1 y& W
6 p- B6 F0 I  A
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加9 Y( e" d: s2 {
還有電容也要加/ h# ?* d( Z6 b+ e2 ^- Z, T! E+ b
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
9 a) F( |! @9 A& A* a
6 [* C- F2 s% K$ f9 C6 {and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
. m: G9 D) h* M$ r. @6 F$ Mvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

( h9 L: l5 _! Y. }- n$ t( m
, V; K) e& \! `6 V; u+ @2 r( n3 C1 w# |0 G. M
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??; r9 }3 G% y' i+ ~5 r4 n/ M
, \4 h' h! v( h. a
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??* Z# N& g; e( g
  ~& ~8 S% f! y6 C, C
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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