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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
, u5 \# X- ~* V* q# X' ^
7 l) _, V0 }- M$ [. ?' mpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
7 i9 O" g+ O: _0 z& i# f# b3 k大部分是要match
& u; P/ ~! a  F" ?& `7 T! WMetal poly  density  不夠* v/ V1 [" ~. |: ~$ y0 b6 D7 n6 s" a8 I
加ㄉ那些也較 DUMMY $ [- v. T5 R5 @1 _2 ?, d: P
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat " ]8 A0 [% w4 }% o7 U9 s

) U! e+ p% L' Y8 ]) O0 A8 `5 Y( m' g- j
    感謝樓上的大大
2 w; X) U8 Y: p" Z& \, R* N9 p# z   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
8 V& C& {) C4 t9 R) ]$ f# Q# l: A3 }/ l3 \' X# D0 G! u' r
! I2 O# x" J! h& r
    感謝您回覆的這麼的詳細4 K+ }' t- r$ A' \& o- Z3 r$ s
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
1 }3 L0 q0 Q$ e* V
9 ^7 w1 u" T' o- y/ x( O+ \! d( m不過簡單來說
; [" t! D: P$ w- z% e" s在製程時食刻會破壞掉你的元件' ]$ F; G' Z! |/ P+ a: y" Y
而特性就被損壞, W' N  I: z0 N! y& l2 m; \) t4 t
" S2 F) t8 E- f, ?' c( R: g- J
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>% I. j& V2 `! U% W3 Z
所以蝕刻吃他最多
1 [# S7 ?6 @9 i- O* b' B主要部份特性就不會被破壞
; ?0 g2 P3 R+ M
4 ?) \) F5 x1 @, {, B很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
! n' i. l2 H5 B( Q+ B. x0 n0 y8 U0 H所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享! A1 V9 V% b0 i. |, N8 q* a4 ^7 V

" q4 f4 x1 [5 u( J' t- E6 S2 v! p2 R又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
; `+ u: t2 l) V1 p8 o5 J還有電容也要加
  w2 u' Y1 L# l/ q; {若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
8 F" q8 j' u8 k& g0 g! T* m7 c0 q: K8 J3 K* C; V  R( ~4 L
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...8 c# \# O2 G: Q' B7 g" F# c
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

" h/ ]% I% ?( A- P9 ]; |
+ c: o, j1 ]% C1 {/ n2 d, t; i
3 }* G. F9 l; V$ ~    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
- I+ n% q6 S% O4 i5 Q
2 }' n5 ]' ~' @8 g如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
* \. K" L$ l4 N' n8 S3 t* G# @, E4 q  x2 \- j; t
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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