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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
, S& L' I0 A  F# [& L: w1 j$ h( T4 h7 j. @3 t  d. g0 u
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密4 m, j4 r) J" h
大部分是要match
, R3 A: _# a  n: o( eMetal poly  density  不夠
  S5 L; x0 Y. R加ㄉ那些也較 DUMMY
4 D( W- e' H, k把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat & F) F, [) ]* z  V4 @9 R# |

  `5 n$ p; J4 t/ @8 X& I$ B
! D/ i  A5 q4 z' o! O( x& {1 R    感謝樓上的大大3 n: @9 Q$ p6 q# v
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 3 i; r, p0 ^  B
- H0 P- W. j4 a+ v1 ?
! o5 C" k- C3 r8 x" F8 u# |
    感謝您回覆的這麼的詳細
  F* [7 y& E6 X7 r3 O, z+ G您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
1 Q8 Z2 i+ O1 }& k3 E4 N  w; K" E, R0 {
不過簡單來說
6 c/ a7 H% ~- H' i& A& A& R在製程時食刻會破壞掉你的元件' @$ _# J2 I4 J: Q
而特性就被損壞. q* F8 v9 r/ S* K4 m8 d

# r! t  q4 o. ^; x  }% c$ P若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>% J/ r4 z& _  d, j6 c
所以蝕刻吃他最多
% W& ?. d& g- W8 m& L- E# c3 h6 T0 i主要部份特性就不會被破壞
8 K( ~. F/ n/ z9 a% D) w. A+ C( [, X. }
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>! g6 u% h* k6 Q
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享2 c+ F# E7 O& I  w1 `$ q

2 W* l+ d- Q2 e. H9 J0 n- ?6 o又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加( C: [0 b/ z& K1 @
還有電容也要加2 ^' T( h9 e+ o# W+ G3 o
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
- h! e, a* d$ N7 f# q2 P3 ~2 o# `6 ?
+ c5 z. r0 [1 q" \and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
! {" Y7 @9 e! S* q: Kvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
7 ]4 g, Z$ W) r- u/ h/ R9 r9 h1 _5 T

; n% y8 M* \2 K, Y) {3 M
) G9 |  ?% N$ i: b    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??% N; r. J  A9 l  @
! X) z% |7 Q4 R9 s6 m  U. `
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??$ j  x5 `6 _3 @4 ?0 ~7 p( r
; c* Y% c7 \$ ^8 C5 [: l
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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