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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias$ `& B; S; z! o
# A6 c) C* x  m  z
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
$ Y- G$ ?7 P/ n1 L大部分是要match
6 p( C* {. F* ]/ kMetal poly  density  不夠
9 ~/ y7 g/ p0 u: V加ㄉ那些也較 DUMMY
8 b; F" d" Y2 `/ z0 Z- q9 }; }1 ^7 h把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
9 ]/ p% u% x% b: j$ c5 ]
$ U  r1 R" T* l* M* \( V- [& r9 R
    感謝樓上的大大3 F( ^! `% R8 |# T, l4 h; l  o( q/ G
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
1 w- L0 W# a  R2 P1 {5 s- `. `3 S, v' ?+ Z/ C2 N. _/ L3 T
/ S5 s6 r5 s7 L* o5 I8 Z
    感謝您回覆的這麼的詳細
( P2 q9 k' t+ |* p# o/ j0 K* x" M. \: b您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
8 Q7 S1 s2 V/ i2 q1 z
0 p6 q" y4 \& _不過簡單來說2 n5 O! m& z* O, Y2 [
在製程時食刻會破壞掉你的元件' Y: s" K7 B. h9 Z* \
而特性就被損壞
1 E) K- t3 [: w5 }4 }3 D' g  K5 W" b3 U
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>, z3 j$ T8 J# y
所以蝕刻吃他最多" d) H6 t# t" c, ~% I8 p
主要部份特性就不會被破壞9 r6 @, O6 X; p

) G5 z5 V' d3 W% l- G  L很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
( O4 N6 C) q& U. p1 u所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享6 L6 n5 `5 Q* @3 v* B: C
& W1 x$ z6 h' |7 U- L; F
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加9 x. Z5 U: ?- C. p. _
還有電容也要加
" j2 l6 C* l' e0 @0 P7 q# V6 b若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!" `; I  E! ]. [" Q

" r  e$ y6 r4 z, mand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...8 x; l4 V) x0 W6 n) s3 n! M
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
3 i* y0 ?  X5 Q) Z" g3 O4 N

0 z; w( i% g5 K$ [+ I/ v; v! ~( j/ ^8 [- ~
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??+ U1 h0 D  F* |" k
- t1 ^8 I/ e2 s# G
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??" H: ~1 M4 N; {' E6 L5 r9 i% E5 M

, ]  U# x% n4 R& F9 m0 C6 U" l# L數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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