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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias+ T& u+ M5 K' A( p7 O

& z6 V. V! p: H5 P7 }* T, u0 Wpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密7 F: D% G; ?; l  `* D
大部分是要match; Q3 J2 a( L' B. o$ x8 B0 d  z
Metal poly  density  不夠
0 A3 T+ {2 h1 i! D* N- A1 z1 \9 p加ㄉ那些也較 DUMMY ; @7 P3 Q  l0 B6 d1 [, ^
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
' F/ `( S8 e$ q, a4 ~) e8 _
! l0 b) ~% l/ W& U! a! u. D% h1 v. r" n1 j' ]
    感謝樓上的大大
2 D5 J; ]) t. Y   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
$ d" n6 H0 J, r: U7 i" _) q3 o
& F: k/ G% K6 n+ b3 o9 k* P- ]
! i- ]' y. |# e! k* X0 O    感謝您回覆的這麼的詳細# G6 n# i3 a6 [+ f9 @4 ^4 p# M# U1 c
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
4 [$ h7 u) v: Q  k* X( |2 i6 k3 o9 g- s5 g  H9 u7 ^$ }2 w& |
不過簡單來說* {: \/ `( c: l$ Y  ^$ E7 I
在製程時食刻會破壞掉你的元件
8 m9 p( w0 O9 U/ I& R! U' l* M) R而特性就被損壞/ {6 z5 \" ^- V8 ]" E0 q
) v' b1 ~9 e1 g* j
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
! k! W2 c  H# N' ~所以蝕刻吃他最多
3 w6 H0 v2 _" U0 M主要部份特性就不會被破壞2 H& K6 e8 L: W# l' x' |

& c$ Y& f& K5 \很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
# E& G% `9 G- Y9 A, p所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享/ V- v% e0 t; p# C* s0 b4 C

! I2 _' K( k& z/ M7 u! z又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
5 L4 @4 I3 ~. A3 J8 S/ k還有電容也要加4 g" S' P: l- ?5 j+ T" n
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!6 A; P$ T4 A2 U$ Q

$ }3 ^' f0 m. V1 q, A% D: hand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
7 ?) t0 M  Z' |0 `/ E( ^+ l6 Ivincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

  {. j9 d: \& t0 `$ n' V0 s
2 [! Y* x6 d1 w: E
9 X5 E+ N( S( V" _8 s! ?0 ?    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??6 C9 F' `- w) ^6 j
. R$ {/ @9 \& F8 ]3 R! [9 M8 d
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??) g/ R8 e- ]  T6 |% _4 l; }* y

& y) b1 h  a. V* m4 ]數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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