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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
* J  ]3 w& n7 ?# l. A) \
6 `9 H, f  V4 \1 Fpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密5 P# i) E6 o1 s" S
大部分是要match3 s5 r: a3 c1 S1 J
Metal poly  density  不夠
) B' x! _; M, ]- Y加ㄉ那些也較 DUMMY
( A, U1 z4 p8 g/ C' i1 i把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
0 P% a3 `3 |& f
( {6 u; v1 v' q# M  K
$ S. g4 I% o. U! h" V    感謝樓上的大大
) v. q" T' ]' [/ v5 f7 }( T   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
; ~+ N) G! w& n9 y& [
, j9 a0 ^: r: n, i! v9 w" x3 d
    感謝您回覆的這麼的詳細+ x0 P9 a4 ]4 _) K5 }1 d& C. m; _
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
; @  f( n# W: ^9 C' I# _8 y5 b! i! A
7 m3 G" `5 y' R6 X  J' `4 d7 W不過簡單來說
5 f: Z' {! X& e8 M  l1 T" e在製程時食刻會破壞掉你的元件+ R& z9 l: ]( B6 Z3 _0 P1 }
而特性就被損壞
: o0 M  |) y& @9 b1 f, R) @( b( P. t- d
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
- z' P" c( w1 f5 `( n所以蝕刻吃他最多  j0 g2 x/ q- w: ]0 l7 W
主要部份特性就不會被破壞
7 R& Y$ U, H+ }4 W( H2 }2 [4 r. E0 h" Z( G7 d8 Z3 ?% A
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>: C9 [- u' x9 {0 L( G  D) w3 t
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享8 [0 }% M1 t2 Y$ m3 X9 ~, y8 B

/ _$ i7 \' v) a- O又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
1 M, U7 h6 ^3 {" T4 \* i% v還有電容也要加& L! b) v$ A; p# a9 U  L4 Y- z
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
$ p" d/ ~! |' `$ C3 b9 Y, c) T; [9 y, a! N: V: u% R" ?+ w
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .../ m* q1 C% m8 _7 l) t% O
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

2 L# [) b2 w0 r# [  N! O  f. ~  I: G0 `
+ p* g" f/ @* p& g/ W* W1 x0 w0 E
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
6 O5 ~3 n+ e( q8 X$ t' [/ V9 `0 Z6 C. Z0 i. j& S
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??) j: Z3 ?4 K) c* k" i4 g5 H

0 I, S% H% p2 F* a: n+ Z數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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