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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
0 x3 u6 n5 _3 `4 m# e
/ K4 W& O; F* v/ j, rpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密4 v! h! U% O& \5 q
大部分是要match
- W5 j4 r" p0 p( X7 ^+ w7 ~: @Metal poly  density  不夠# y" f4 B& s; C6 G
加ㄉ那些也較 DUMMY % R! \% q4 v. T* m) y
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
$ c$ Y; S) u" s  q# l9 [8 E) @  {6 R8 _% ~4 S5 B

& A$ T  {! h: w0 S8 T' H0 X! u9 S    感謝樓上的大大$ D2 b) |- h" k4 @4 ?" j' r
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
$ `. @3 w1 `7 [% Z+ \( Z! H% [1 P( r+ A1 ~' u# i

; ?3 _6 W8 s1 T    感謝您回覆的這麼的詳細6 f  L9 s! u9 z+ w7 v
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!/ o9 H, |  v5 ?0 E" c% A6 ^9 I3 X

8 N  f$ ]! |, V1 {不過簡單來說
0 k* {$ O) y4 N在製程時食刻會破壞掉你的元件
; w' G  J3 m# V$ h# g0 e而特性就被損壞/ n/ N# @2 w: Q4 Q0 l8 C5 s
" J. E; U; k7 u% Z" Q0 A
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
+ v: }' o3 b; h, u+ v2 n  X. }所以蝕刻吃他最多3 ~) E5 t) }! J! t- x
主要部份特性就不會被破壞$ ]- ]* i# X, R- T1 E

$ C  K& t, l/ E5 x- }- W4 b很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
  V! }& ]. L& [% ]# H8 B0 t/ k# T所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
% k7 \4 q6 ]( q7 k$ G
" W# F- P; Y5 D0 n8 A又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加5 a! @$ Y7 x+ Q/ C
還有電容也要加
+ x7 d3 G3 d/ F1 _& o若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!" H% H' h9 q( S' I0 L
2 \2 U, i7 Y: v4 P
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
4 \* ^+ w. u& Ovincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

* X. b; J& D8 f( h
  c: ~3 r" o3 C# j  T9 ?2 p, e0 v  j. I8 e6 y& N/ d: `& l% Z2 s
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
+ U* U& \0 X( }1 i+ p' O
: f2 y/ w% F- Y3 B1 {8 v如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
3 u" }6 B1 D0 K! _* l% Q  k
6 S+ w. q+ h. A' P2 @6 Q8 x, _數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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