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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias7 }2 o$ K4 z& C. W, c: E

4 H$ e: a" {2 r+ T- L) i$ Mpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密- `; c+ b) a+ C% |# B; e2 c+ \2 m
大部分是要match
2 J; M  [0 l7 Y6 ?1 LMetal poly  density  不夠4 l, M  K# u' f9 x" h+ [
加ㄉ那些也較 DUMMY : v6 d4 x4 C. q* V8 l
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 5 P" N+ C0 O) f' U6 C

1 }  {' u, e5 L' v5 s
2 a3 B  |3 }6 G8 y    感謝樓上的大大) G  ~) B# i7 F' L  c3 b( W3 x$ A
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 + {: s, R' \! C  s* d3 @
9 [# a( V" K& P% a

/ l' B7 R7 H+ k, [4 {/ E    感謝您回覆的這麼的詳細
3 u. F8 {* C2 V2 |/ _您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!- A" B3 |, S; ~4 @, ?: m, h
! ~$ R; d+ u; P4 b1 n; P
不過簡單來說
  y# F* U6 ~: }2 M' a5 l在製程時食刻會破壞掉你的元件
, g# v. C, T. d而特性就被損壞8 j. V; J7 i2 \1 B3 m7 j/ P, C' \
6 q! H) @( G# [' {* y! ]; w
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
" ?( A) e) U) A所以蝕刻吃他最多3 Z3 }  ]& o# n; ~$ r1 j. I6 d
主要部份特性就不會被破壞8 J9 o9 c. R9 U9 L% r+ |
9 F: q0 r) _. r# K0 `) J
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>% @: L3 H0 z  R5 c
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享; r# f1 w/ l- B" E1 a( z

- G8 Q9 r3 i# Z, y/ W3 g又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
. r# K' A: e* k6 ~. f+ S- K+ y6 W還有電容也要加4 X* K7 }1 W8 _3 n
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
0 m/ |. L$ P+ i
& X, ^) n  Z3 ?3 }( Vand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
" u& n% K+ f+ W( `7 c% J6 Tvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
3 q6 |: p* E# ~6 ~! ]# q  ]8 D1 O

" k# t& E& v# v% e, Z1 F8 b. w  W; `$ N
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??$ H% O( x. q  |; }+ c2 F+ q
/ r0 P) h% W' L
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
9 h8 o( j! D8 |6 u& ^2 C& s
7 A- m8 i, i  V數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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