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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
" Q* Y& E; N: h2 b: m4 m$ F/ O6 \' }# T
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
- X6 i1 C# E7 a- t0 V6 q大部分是要match
# ?, R5 v" ?/ J, \Metal poly  density  不夠" \1 _& r" M$ H) s' n2 O9 r# j: n
加ㄉ那些也較 DUMMY
' H- `' V$ x$ d9 J把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
, a  `. E% T7 j$ c5 c# s
7 t4 U' m* W# S* w) m; d
: B2 D% y3 u! R  h  P8 L! x    感謝樓上的大大( G) u. P8 G% v% w
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
# z& b! t- P" f4 E2 P$ V$ K# J* n; g% H' W* a
, Q$ o( r% ?7 P5 f
    感謝您回覆的這麼的詳細
( |* X/ o$ `7 t1 P- Z, {您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!0 X; j0 E7 G2 `3 j# V
0 n1 ^3 [' h  p4 n% p3 R+ ~; m
不過簡單來說
" @" H7 ]3 ?9 v. c在製程時食刻會破壞掉你的元件  Q9 k$ k1 F. A2 c7 s8 M
而特性就被損壞3 S" M7 T# b6 {1 e8 K9 B# X/ p

( R# I* y9 Q. @若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
* m* {, L. q9 A所以蝕刻吃他最多
2 Q) @3 q( _6 K4 v5 V1 o主要部份特性就不會被破壞6 r" u3 M% y0 L0 b, i
9 [) S7 X2 `" j+ \0 _1 A
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>4 ^  ^2 X2 t2 ^: n
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
1 O6 `: ?& z- s, b. P# l/ ?+ P: e$ e! l) q
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加( x3 k- O, l' y& T0 i$ O
還有電容也要加
( ~, Y0 X. {2 \) P若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!6 |! j* i, ~% x6 g6 h5 V

4 ?! g, s( V* {6 k1 Yand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
* w3 Q* H4 Q9 ~& V+ p2 Y& v. q, `# Xvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
6 G. T1 M( p9 x* q6 P6 l6 [! C
' ]+ q9 f0 j7 i* n  G
/ m, X! p+ V( P2 \3 f/ x
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
% b, }3 g2 Q  ~* D# w- {/ G4 l4 H1 v) ?& n; q$ f
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
  M2 T  l' w: K% L% o6 S
, j" T/ \( X; `  N: [* v+ S數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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