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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
( J7 T5 a8 F% |) ^7 _" J
! A5 ]4 X$ q$ W9 D8 bpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密* E9 Y: ~6 N2 _4 c4 x
大部分是要match
" ^% V7 r" l% {0 B* H6 Y0 AMetal poly  density  不夠
# e. ]+ O9 ]! R1 a. n加ㄉ那些也較 DUMMY 8 {5 o, ?( X% X- j  l! i/ y9 q
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
% m2 G, ]- e8 P' b) o8 `; K6 V9 K$ X  X" a& l8 q

% K( D( _$ `, S; g8 U7 |    感謝樓上的大大
% f! ~, c7 J% m2 Y   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
8 A! k0 _+ A( E, d5 b3 j5 Z9 `* d
6 ^) C, n7 F5 D# p' }9 |: g1 `4 F/ i# V6 _9 P: N
    感謝您回覆的這麼的詳細
! Q: v, d( @* ^+ |& z5 V8 |# y- u您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!- m6 B6 `4 h" N% w

* {& I. D8 |! y  |, P3 n$ G不過簡單來說
" {: B9 C- l- S; ?+ ^8 B在製程時食刻會破壞掉你的元件
, \- }7 R- R3 f4 W" P而特性就被損壞3 g3 p) ~( N* L$ o

- G1 h- _8 M. Z0 ]若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
/ U, a6 p, c5 O% _& d4 x所以蝕刻吃他最多
2 A/ l% n% Y6 U8 t+ U0 `主要部份特性就不會被破壞
% w$ n  _. a0 _0 b0 h( r! ]% A, @: G( G* W! a$ U
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
2 m9 Z& t2 y/ ^1 a' N8 _9 i4 N" b所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享) e' W# U" ^: \2 _/ ^
# X; _) E4 L& f1 v( T% c
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加, f" [% P) T# ^7 ?5 i$ C/ x, ^
還有電容也要加( d5 ^5 a9 ?+ c
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!; e; o' X3 F' {, R; L: v

' I+ O' i- `: Y  f; _and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...+ g* E7 k: P7 y* ^+ F/ z' V) i
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

4 Q8 g) h1 v* L. q9 s
5 D+ e( h9 M2 n. z8 t  l& N. Y3 Z6 f1 y8 F( W2 l) X, z2 N
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??0 [; y+ u8 H% u  n( \' [; ?

# X. @! C/ C! I7 D- c+ b3 F如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??- V9 q+ D4 B7 Z; X) f( A3 `

+ K' G! R2 b8 z) L% f+ ]) L4 ?數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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