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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
: L3 [( z) Z( e0 d
$ p8 i& [6 W/ f( Spoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
5 a: S; m0 i( t7 {/ j# a: B, j% g大部分是要match; T0 q9 H9 l6 W" M; G2 z1 `
Metal poly  density  不夠, h; K! m7 D" e: J0 }6 K
加ㄉ那些也較 DUMMY
( a6 o/ E6 v$ _7 }9 Q. X8 f把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
6 o! J$ r6 E5 k) l9 I) w& V
3 [/ r8 s) ]5 ?" `( a2 K3 A, _8 ^- ^4 b9 k
    感謝樓上的大大; G5 T7 R1 M! V$ k4 ?; p
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
# K% b* L1 z: z% `6 E1 v; @
( T; g7 T9 a8 Y/ b% G/ Q* o3 U) W9 L# k
    感謝您回覆的這麼的詳細
' ]/ M7 k6 k2 ?$ s. \* x6 \/ a: f您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!% q" h- T! d; L, s2 [0 p
! Y; E3 A( y- }; m  P: A
不過簡單來說
' k; b4 L- V, g" p! Q5 P) s在製程時食刻會破壞掉你的元件
: n- m2 y2 v4 A7 t6 w: K( ?而特性就被損壞9 S# {+ Q/ u& S8 y
4 s8 ~8 y# i5 v: L6 U# O: r
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>3 p. T: o0 J4 \1 ~, v/ @8 ]
所以蝕刻吃他最多
5 s- H$ |4 N. [3 E主要部份特性就不會被破壞
! s* n' O! j$ i: }. i' D0 O3 T- c
+ j* y& ?3 S: e很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
: S% Y  f; ~1 C  D0 i6 C所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
/ S5 n  f; c" ^  k2 J8 P2 L
5 m! ~8 N' I' W8 B1 |又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
# s# E) R) G0 I3 E還有電容也要加
  z3 B- E/ j3 D( m若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
! q3 {( w8 U/ Y0 ^' O. L% S; K
+ [# v7 h$ L; ~  I$ L$ P' h8 ]% uand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
1 O4 j4 @& I! Fvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

' B9 L( T4 W; ^. r3 [* b( ~: c$ _7 S- u9 q1 ~6 w; C
: R2 P& O$ N$ g4 p
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
6 J+ j9 D) m4 A! G+ E! a$ j' t" r; y2 E* T* U& s
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
: ]& @8 l- l1 A% s- Y/ O3 g3 H% w8 W1 r$ ^
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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