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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
$ I: s, U0 G; e. t6 ~) D' f5 u: V; l- S
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密  k" B+ l7 I0 }, [( P( G9 p
大部分是要match' L+ ?# P& O5 A  D; B
Metal poly  density  不夠1 O$ `6 I* k, {
加ㄉ那些也較 DUMMY 1 S" x& q) c2 N' I5 B
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
. h4 c& c- g3 w* z6 X
  T0 y7 |5 B9 \4 ?, I5 a( T- ]7 ]+ a0 c
    感謝樓上的大大
9 e0 ]% r$ l0 r   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
; A, a/ ?! {3 J) p6 A9 T0 G. x8 v7 F* W4 c2 X& I$ t
8 Z$ c5 {+ B# g1 B8 q! s
    感謝您回覆的這麼的詳細
3 y1 I  P! s7 x; b. }' g您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
2 Q  X& F9 K2 T  g9 G" [4 O" v, o9 e9 v1 p. A
不過簡單來說
, l, [! a! [* b. W. X5 o+ x在製程時食刻會破壞掉你的元件2 u  Q* ~* N" d; |3 E; n# i: [
而特性就被損壞
% h# ], L3 |( T' g3 T7 M5 R; ?
9 o+ [4 d/ U2 e! m: f若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
, ~, D  o1 w! l& X5 J6 T& C所以蝕刻吃他最多! w6 r7 w( j8 u8 j- \1 L
主要部份特性就不會被破壞% j$ ?+ }2 k0 L1 w  h

3 i5 R5 ?: Z& E( @很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
0 k- J  w9 g$ f5 y8 j5 i- x所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享) g( M3 Z( h1 Z# k8 a
2 B6 ?$ Z5 [; u
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
; h- `7 o; x8 [' r* s還有電容也要加
$ S" k$ B, x- B" q* L若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
+ Z/ j  K$ W- [- H; e$ ]4 Y/ s* F" Z! W# x4 c
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
3 n* ]- r) z. q% Jvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

* {( D# N) }1 [% B' e1 f( r5 d2 G
0 p& \4 j# n) Q7 z% l9 ]& [  [
& W! D0 P! B3 Z6 n+ p    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
" ~" j" K) o2 B, x0 v" q5 `& `$ l8 i  G0 D/ V# T
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
2 h& x, f: [+ W
0 j0 `. u  K! C$ L# p: n) Y/ H' V數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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