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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' M7 _5 U3 S( @$ P. U( O- P5 z& b4 L: O. N
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密, Q9 ^! W! M9 e' |0 L6 g
大部分是要match8 k) E; B7 B/ I& V; h
Metal poly  density  不夠
* q2 p3 T& u- p( F; E加ㄉ那些也較 DUMMY 2 e, e; s% d4 Q- \9 P
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 6 q( U0 Y  A+ P

4 {- t8 L+ Y( x! D, ^+ T7 j) s8 b6 M) c
    感謝樓上的大大
; Q/ m& U3 o2 p# [- G) s8 ^6 M$ G   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
0 v/ w+ o7 y# Z: |) x1 c+ f: b1 t$ W0 Y: o; |7 n6 H, g

6 a; Y: y# K! p; x( b4 r    感謝您回覆的這麼的詳細8 G* ?  {, U) [1 |6 Y. S; h
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!8 }0 C$ j0 I- u+ I+ E$ @& {
) w4 Z! C$ T/ Q, I5 u- t: `7 z
不過簡單來說. @- K0 Q& b" i9 ?' X) ~# T' G7 b3 j
在製程時食刻會破壞掉你的元件. \/ I8 Y! z7 w  I2 a
而特性就被損壞7 R$ x. F+ m7 V/ L' E# `! Z

* Z. R" B0 L" Z; j若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>1 D0 Y5 J- y! l0 I
所以蝕刻吃他最多& W3 \* S3 M4 R9 H
主要部份特性就不會被破壞
. p; s# `0 n9 D% a& o) T7 O, F' l  J' X5 t: M, N  a+ w
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
6 u! f, D' i6 X所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
. Z+ _/ f$ ?( W% c4 J
1 y& d7 k' o* t8 P3 W0 X% a- d, l又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
7 a* n/ D- D. b2 ?9 G, S# D還有電容也要加- S+ }4 Y) h7 i& O# r
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!$ U* [( A* Y; D. ^6 h! Z6 E. V; @( ]9 N. n

! e/ Z4 N& h; a0 E, q6 Pand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...% i* r2 W$ }( r
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

3 P# ?5 Z4 G+ Q+ r0 d& V( y7 O( T. j" s4 w
: ~: `) m# C7 Y* G
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??# E7 {, O& I$ G6 M6 |) m

! M$ U* y) y( A+ C0 ~5 D5 W如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
) m% Z! s! T! Q8 [$ P: H$ j
7 _2 U6 U# X4 r9 c# e數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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