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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
; l; z9 o( x  Q" |- d: E5 g# d+ h
5 |, d" ?# O0 {4 _3 Lpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
! u1 J2 ~. Z& y" G& m  K大部分是要match
8 N% X3 i& y' z# NMetal poly  density  不夠
! _8 m7 ]5 ~: S+ X6 N- L加ㄉ那些也較 DUMMY : X1 D$ J4 Z1 d* b- I1 d
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat % p/ u, P( B  ?) N, Y% w+ y4 T

' M& }. E- m" {* \$ a: ]7 G4 K
+ C- _3 y9 n1 ~# S& q. r9 b    感謝樓上的大大
4 }/ k$ m  u- s" k  }7 A   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
3 ?* D, z7 N  i  e4 O- M
1 b9 i+ T+ N: v& }0 x3 v! F! D! e  I; ^) P- w9 y5 s& b
    感謝您回覆的這麼的詳細
- i2 F  Y3 ~0 j5 L您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
+ }0 |2 ~( A1 C: q
+ c  w$ D  w5 ?0 ^9 d' q( g+ Z不過簡單來說
! w  A. A1 r# p& @在製程時食刻會破壞掉你的元件
. y. V) Q" i+ h: J9 l而特性就被損壞" v/ X  ?, ^1 N9 N* q! S5 Z4 r
2 F! F% S! @) k2 @5 _
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>% K) B0 [% u- d$ W6 J
所以蝕刻吃他最多. ?" O( ^' K$ z" d& j
主要部份特性就不會被破壞5 J# B( ^, z. N
! Q( I. S: ]+ ~
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>% U4 D; K0 X& X4 ~5 s
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
. `5 H) V# @! G# X5 B( z- e* t# k
* V% b% o6 Y" c# q( |% s( C/ W  e又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加7 K! v6 Z( X! t3 ~' y  z0 ~
還有電容也要加
& a: d7 u3 e* [9 i若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!. `' }# l3 U/ M, _( c# t
# X9 ^$ h8 \) p
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
% P8 r; C& ~, P9 r8 U1 m  z, Gvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
  o0 n7 h- z6 e/ T/ y9 _  c
" C' K  ^0 B0 A' x

  |1 ~& c: l) j$ w3 s5 K0 i    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
  W2 `9 K3 h" P" A! W. h5 n# O# w7 z9 x3 R
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
% ~* a9 s9 A# C( B/ I1 {  [4 B$ ]( R: j* S
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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