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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias+ O+ w  Z; D7 P7 O7 ~

& a: U/ M& U. k2 ], w* L7 F% Apoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
; S* W  C; o0 s( m大部分是要match
- q( M1 j' \, B0 \8 j" b6 hMetal poly  density  不夠$ C8 l) A# r% C2 G" w0 I0 z: q
加ㄉ那些也較 DUMMY
: ~: L7 H9 {& v! M/ ]8 ]* G7 s把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat * n7 I' j3 V  I" H
; d, G0 [8 [7 Q, g; ~& D+ s
4 M  X: j$ L4 E' j, }5 Y2 X
    感謝樓上的大大: T, Q: [, U3 {
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
& \, }. u9 U- M! a6 k2 {
# Q) v0 S( g* g) t0 i  N; B* {: S$ Z, S2 J7 B( m6 U% c
    感謝您回覆的這麼的詳細, l- {2 k+ k$ m! m1 L* c8 B: k
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!* o. C) r; x0 W( t8 @6 Z0 ?6 }
/ m4 K) z, i# V  T. t" L$ I
不過簡單來說
; a; d8 x- [& X4 c* o在製程時食刻會破壞掉你的元件. g% F# H# k) F6 N! \% Q/ K( ^$ |2 Q$ ?
而特性就被損壞9 E4 \. D& Z* \8 ?
; [1 \3 a5 ?# b# K
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
7 I, i6 B4 e$ N4 B所以蝕刻吃他最多
, n: w: ]: t  s) P$ j9 J) E主要部份特性就不會被破壞
  c, Z! S9 [( V  t. _6 O: K
2 s( b8 I2 j/ R7 Z0 c很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
3 s& c' ?; v* |8 O$ x/ I所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
0 a! r1 V' [' R3 |3 P2 k8 X  z( G3 C' l+ g
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加/ F) X* \, g2 t1 a
還有電容也要加, x5 I" V8 o% ?2 O" k
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
4 |4 W% C' V4 p- m7 ~- F& Q0 I1 R. l
& n$ }, f$ S/ d; S! \; |0 l) R1 Zand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
+ A# S& b9 u" H& k9 Ovincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
7 p3 r3 Q- V, r

2 {+ Z7 }* i9 u+ q: t% C0 N* O$ o. m
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
0 Y; F) V2 z& ^% \0 ^( }, L2 g/ J# n* T6 X
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
- }8 ^, U+ b9 e1 W) S+ V& O
: a# q8 F& C- ?& c% o# x2 X( A數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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