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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias7 _3 J& A  d4 f2 g3 W
0 z5 w% h: N" R! M
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密+ v; a  Y! ?6 a7 }( @7 |& f$ i
大部分是要match' S: }4 c/ i- c( i
Metal poly  density  不夠9 F! g  n  F6 t( w. |
加ㄉ那些也較 DUMMY
# q9 G/ [) `. X/ o9 L把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
4 ^; i7 w% S9 u; O4 g& j: C. k' G, k2 V8 D& O1 H5 d
9 u3 U) d3 ], _3 Y$ [3 M$ x% s
    感謝樓上的大大! ?. T, X5 d% j
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ! U0 O# a) B, S2 o# ^3 T4 C+ L0 w

1 a8 n& \, C% }; h1 k0 Q+ S* ~% G! O
    感謝您回覆的這麼的詳細2 i! W. M+ R: [  d
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
6 n# f9 x& v1 w) ~3 F% r& U
: h) o5 k/ |/ L% L8 g) _. ^不過簡單來說# v) A  q/ O' Q5 A
在製程時食刻會破壞掉你的元件2 r. e4 `. [' M! u9 o3 t2 o# s
而特性就被損壞% w! r8 V4 `1 f* V+ I( [6 k

  I# r& [( e3 M$ }若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>  t# C! X0 t# ^* s* w+ k
所以蝕刻吃他最多
( e1 W3 H6 E  J2 l6 X主要部份特性就不會被破壞4 A' O2 ~& G; |+ Y
/ C7 m4 y& G0 v; N7 i) `$ [
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
7 i- a" i& H5 x; b; M0 ^所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享. S- P9 g" T8 s" D6 `

9 s# D5 i; P9 V# w又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
: T/ c/ E4 R; n: {5 c5 B! r) x; l還有電容也要加
- Z/ `4 u9 [% z- n8 |# ]若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!) T! L( m9 z4 q8 D4 }
3 r1 B' {, T3 C) m, Q
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...; V+ X. l7 Y5 o5 _, v, b
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

$ `- L& Y; h# n. ?. o7 |
* u7 L6 n: g7 ]; w( \; Q4 l" U: \( G( j- j* _0 f) K
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??/ L. B) ]/ l, i
. ]$ r7 _6 A% ^% q
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??+ W& X$ W" A; M# f5 g

3 y9 e0 o/ m9 w; O) |4 M5 x數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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