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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
& K" E" U; }7 E6 o3 {3 r. @5 ]3 f( l: N# t$ S3 _
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密: P+ K# w, U' s3 K5 D1 G4 y3 X6 t
大部分是要match. f9 h  |! {. v' a0 V
Metal poly  density  不夠
" ?1 J$ ]- R7 W" }3 @7 }/ e3 H加ㄉ那些也較 DUMMY
5 s9 S) z! w0 G2 \把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
- m1 K% d) v* X
+ m8 C0 W' f6 L9 @0 a& R1 g. ?1 j& c6 A+ }7 F
    感謝樓上的大大- L- |2 h/ o* R- S
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
( W* N6 U" a# z0 x) V' M7 ?
6 h. o/ E/ S2 ~4 L. x3 R; B+ u2 i2 g0 n6 {
    感謝您回覆的這麼的詳細
0 ]0 k- Q* P4 S您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
* Q3 k/ c8 E* ~  z6 @9 \2 }% {3 b& i6 C6 C: p1 V1 C$ Y
不過簡單來說! C$ Y0 @. z, J
在製程時食刻會破壞掉你的元件& M1 u8 X) W/ O2 o
而特性就被損壞
4 }2 J' I0 u" Q. ~/ h
; ~7 k" z1 S9 x1 a) I若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
/ M, _  f( o0 `. Z. l4 I+ o所以蝕刻吃他最多
+ D6 H4 A3 L! @: E主要部份特性就不會被破壞
- d8 M: w0 g+ O4 C4 {- y4 f* i& n4 {. G9 f  B2 X
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
  Y5 e' m. w. o$ M4 ~+ _. y所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
8 ~# L- E# S6 P! N/ c$ O# E* l
! R1 Y& J; z$ R5 c% W1 H又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加; x* C3 o; L# V* o, j& q
還有電容也要加
- o7 h) h; g6 Z若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
) T; T3 m9 P  p- q! ~8 F( |4 ?1 `
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
& o! z! @0 x/ m, }$ Zvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# q4 z1 h2 s5 @& H# K% r# ?* ^
  @8 s; O4 u4 G3 U$ M" K# A" N1 P$ v9 v- S) E
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??' f/ ~& A0 S. s% e- W% I$ T
# h0 u7 s$ F5 c
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??3 e5 v2 S0 R: M7 J( y4 z# z; f" j
( V1 ~6 l; M4 P# i; U
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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