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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
8 X! Q' V1 \7 x, a2 w* P. K1 C1 W% {) f
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密- b+ F* W( {/ `4 w5 q8 j
大部分是要match
$ d0 A8 k  I$ QMetal poly  density  不夠, x! \4 B# E: v$ o3 q; S/ V/ |- E
加ㄉ那些也較 DUMMY
7 g1 n/ s0 k0 K! z& `% d- J$ X- t把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat . U; U1 |0 k% f; x* \

, Y4 M* R, G  Z+ ]/ e1 k- U6 ?
: \4 ?% }/ W$ w. d4 L. n$ `: ^    感謝樓上的大大! c6 N* a; X- E% P
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
  r% x( J0 ?+ B- u- q
  z* k1 v8 l# Q1 V, U1 p0 s; z" [7 L/ k
    感謝您回覆的這麼的詳細, Q# O3 \; \' @1 k1 C3 j/ H/ N
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
6 ?% X- j1 n) R4 k
; d: H9 H5 S7 {& @/ ?不過簡單來說
9 \1 S" h# g7 L& o( @1 A1 B8 M5 K在製程時食刻會破壞掉你的元件/ a: b& S5 E4 d2 `* G4 r2 \+ d5 h1 e+ a
而特性就被損壞
1 G( \" w8 E# d' f( S: |
+ g$ h  U3 S, ~1 P# i若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>4 r( x# H/ X0 g
所以蝕刻吃他最多
! k- w% N5 B5 y1 f% ]3 }主要部份特性就不會被破壞
2 ?% ~5 _6 h6 O4 W& F1 v% e& G8 t' W6 t4 x
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
, j! L3 u0 F% x所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, \, w* C# ]; F4 i$ l% _2 L9 f
$ U8 j! A3 ?4 ?, Q% F6 _' R: g又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
1 n- C* U& X& H! d' e5 a還有電容也要加
! s8 L0 e# e+ O5 Y1 ]/ p; q1 V若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!' Z1 N; r' q# n! a/ L
# j0 `- a8 C3 D( B* N7 p
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
  n* K* l6 O" r, L4 D4 }+ Fvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
3 V5 \) {* Q  h, t  A0 a5 c. H6 J

9 ?, A# S- t3 L5 M
' }0 \% {% ^6 T+ O! ~$ l% D% ?    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??8 f% e) U. h) q/ q- R1 o

' v! X1 V% |$ n3 `- \- q如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
* W9 c0 @3 S) L$ b, e1 d' ~/ S3 u. Y4 K, l; l& a
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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