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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
4 m! S- J" O' G
" Y: D6 G  O- b$ o! I: _+ e& \poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
( b0 s8 S& r- h& r& [- i4 _大部分是要match8 Z3 D8 X: T1 k) d/ e  Z
Metal poly  density  不夠
" [, a8 t# C1 w" l& v7 x! I! Z3 q加ㄉ那些也較 DUMMY ! ^+ u' b  K0 K# y
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
: j: D. L) x+ n& m! x2 u& W5 M& d/ X( W1 t3 S* k4 Z

) j4 I. T% {0 @7 Z2 m& x" `. U& f$ F    感謝樓上的大大
4 D& O+ B& M+ e4 [   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
8 ~3 m8 w0 V: L7 x+ q+ l, Y$ A7 p- a8 X1 o

. s. \7 D" g$ M1 m, ~    感謝您回覆的這麼的詳細
8 y( B. t9 x: o' J; V1 U* L您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
7 W7 R4 j' I2 X5 g( R3 v$ w( g: {) X
不過簡單來說) n* U- Q8 B& c
在製程時食刻會破壞掉你的元件
* {- ~0 p- M1 k$ y* Q; E而特性就被損壞4 V/ t  a9 O7 j/ X7 @
9 J0 z: @5 l, m4 N/ K; C1 [" y, a
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
0 C  Z8 T% o' B; j# K6 Z+ g1 t所以蝕刻吃他最多
: r6 b- K$ I9 W2 N, t主要部份特性就不會被破壞) a% S- T8 b$ f. G: X- ~

/ R2 m0 s. j( D( f很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
0 z( r4 j: r9 z/ }* r9 f2 I所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
1 p! E  X6 x/ z6 c8 M8 L+ I) e  ]! v* P
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
& q$ p( B% f: L: b, Y( _還有電容也要加' m* S6 g, a9 |3 v8 G: U9 C
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!* u: l  E  E( H0 I
7 M% C. L" v# }& s8 H4 S
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
  p: }8 [5 g, Z% m, L( p2 p% L. Ovincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
' z, _! ?  R* E- d8 m& N6 D0 Y3 A
; w: V, n4 o/ v7 Z

  L, J# g9 |" h- e    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
  N. D$ ]  J+ [. D( {1 a. l
* Y/ j4 t: q# u# u' P7 n+ k如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
0 A5 h  E$ V: W5 y1 E6 s: [: t8 J5 |/ p0 ]
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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