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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
& J$ u9 W: d  e1 H, F% \# ^$ A$ C; z: J" {, A, Q/ b/ V9 j
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密$ W  h2 {2 j: [
大部分是要match; X' O8 o0 Y$ J
Metal poly  density  不夠! v8 I9 C  j: j2 b+ u" c$ }
加ㄉ那些也較 DUMMY
9 i! b7 p- l" x, ?把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
& A  z7 {5 ]) F
- z- H3 x& t" f
5 _2 T1 D; r8 X! q7 Z' W    感謝樓上的大大
& x. ]/ L3 h0 U. H+ n( ^) ?: E   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
" a8 L3 u( I" M$ U% L* y; I; ]8 F, f" `+ s; u

3 A: B  B* x# Q8 M* q    感謝您回覆的這麼的詳細/ |/ m& j" j: x& q$ k5 k1 f4 e( x
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
; A6 D# f# {6 ^. q
* \# w, C* ?5 ]0 ~8 f不過簡單來說) w2 n; u4 X2 t; }/ u, b
在製程時食刻會破壞掉你的元件
3 _2 ^/ r% G# t- N; w( ^) k而特性就被損壞1 m# N" }' y! N# ^- x: j

. w( C* [: d+ E- ~, h! i若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
' t& m: d# N$ m/ O" F所以蝕刻吃他最多1 C& x; m; e8 u0 @) d2 ]
主要部份特性就不會被破壞
* M6 W$ D) E/ _' r7 z( J& F. B7 |1 V& |% C8 _/ }" C
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
5 r3 J# V4 X( M3 |1 `所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
; z/ B* q- T, ]
+ H' t1 m. p) h& A! F. v又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
& q5 E  J6 [$ e7 A還有電容也要加
9 v3 Z& f/ c0 D( h6 q4 X/ h若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!& s! g( Z9 {2 o+ o) [

- N3 W2 k; y6 T+ Z1 u9 j& R# ^: W7 Pand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
% T% e) K) T) {# H9 `vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

1 p+ z* J' u8 \$ E; u; Q; N
! @( X- E' y, M2 y, V% B! _, k/ x8 [1 V0 G6 m. |: U
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??. }* y0 C2 y  }/ o% E$ Q& }) Z/ H
) E9 Y1 u4 j# {+ ]" R1 i: C; \
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??. ~3 v* _! K* i" E
( Z- \8 z# k$ S: c
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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