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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
/ \8 i: Y) ?6 S1 h- o7 H: }# K
; A5 I  O9 C6 o7 Fpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
, q+ E; G3 ~% ]9 H' k3 a大部分是要match
* P( a, M$ h4 I# p6 g& jMetal poly  density  不夠
; L) W* F/ a$ V$ m; {加ㄉ那些也較 DUMMY
. t% v9 I) R. E# Z把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
0 j* c) Z& l# ^1 c0 Q% U' P  q. W: M7 K
) o3 \9 {! o* k$ U
    感謝樓上的大大
3 y# x  W4 W3 k- X. o# h1 Z   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
+ L1 ]: H# R! d4 g$ B. l3 [
/ @3 Q: C6 d7 u# Z6 i. `+ @$ i9 [& k: y2 B9 ^
    感謝您回覆的這麼的詳細
4 u, y6 m" ]' ?6 g. G& ~您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
" u5 k+ {! [$ B8 M+ W: L; e6 d0 E& }; m. F7 Q' l8 b+ J
不過簡單來說
/ H7 x: `% `7 u% m- V$ H! d, ?, v在製程時食刻會破壞掉你的元件" A1 D1 w& c7 ^2 s2 `0 L
而特性就被損壞
0 C1 `+ Y$ ^& l% a" ]
0 r, r, c% R- `- u( V若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
& E. o3 S  Z6 F, O; M+ {) {9 d6 z所以蝕刻吃他最多
8 h# \1 E% _2 F- X主要部份特性就不會被破壞. x! h9 G. U" H% D* f- z

, Y  Y6 ?0 l  e" K+ v$ U$ p很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>9 `+ O& t5 |- e* N
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
9 z, o" F% }0 m1 c3 J" N' X9 X+ @$ ?% Z3 H+ y- @
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
4 o7 I$ a7 ~1 f0 y( a1 }6 r還有電容也要加
* _/ O+ f- a9 L& w" {若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!4 L5 O* _, S- @

& @& [3 e3 l; j3 v4 I% O0 Uand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...) W# u. c# S6 Q. f
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
& n5 k0 s0 G& j) o& m
1 `6 T$ j5 t3 O; g. w

7 D& q" M" W9 L5 J; F% c7 ^( e    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??4 `4 X- z- E9 v* v7 P2 r

" @* |7 o& x, E. g  s% y如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??, Q6 G- x- b8 x/ s  D
  o4 s3 `$ y9 L0 v
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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