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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
0 P# ?9 U4 r, p) [; z$ ]7 V) e" j; z: k8 \( b' ]3 ?, K
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
  D. s& \! a  u/ b3 Z0 t( R8 p! ^大部分是要match
, M# \4 i' c  |Metal poly  density  不夠
8 w9 P: p, U( [& ?8 T- c8 P加ㄉ那些也較 DUMMY
, ~; [, `& D/ [  k' s1 I把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 2 M" c# [! c. M7 e# P* |% X

; o7 o! A2 g9 I' M+ q# l, d/ ]; p' M/ T2 N& x, i% x
    感謝樓上的大大4 z) @/ j" M' D' C
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 2 M2 y8 v9 r0 W) h  F+ R7 p. M

# n% H0 }' }# ~9 X* z
6 m( Y5 T, B1 _% }7 D& l    感謝您回覆的這麼的詳細4 ]9 s! K% v/ [) _* s
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
" N+ G1 u+ O% d: ]
0 P) Y6 c7 u" a5 J; P1 X0 O不過簡單來說4 ]6 \3 x3 W& G# F, _
在製程時食刻會破壞掉你的元件
8 O- P' a" C% p5 F/ Y而特性就被損壞
+ l4 h2 Y- t( n9 t. p
9 ?5 E; s8 O  Q3 p若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>0 a3 h+ j$ j& d( A
所以蝕刻吃他最多( m& A; r# f; U! U! m
主要部份特性就不會被破壞. G  W; C8 L& I' L' b3 s! r
3 k+ [; j7 @; W
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到># w; ~' ^  d; g5 E, y; R- e
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享, \: I* U3 Y4 A  g

, E9 |7 e0 S+ G/ b0 B, W又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
4 Q  ^9 b1 A, v1 }8 l0 d, N4 R還有電容也要加  G0 K! p. `( g, g2 I5 G
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
6 v  @# u. w: S. `' n
* ^% t  p; R9 e& m" e  Gand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..." }. j1 S- [" P9 r8 Q- y, ?( b
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
6 j$ I' \) \9 L4 L2 x% ]7 g
+ h6 G8 f* P1 F1 {* C
1 q$ D+ n3 k4 v3 T9 D5 W
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
$ x) j  `1 u  |, t# U. T/ r0 p) a2 r. g
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??9 O& i: S3 `8 y2 r9 K/ m; t0 ?" h
3 e2 `# s5 m7 J0 V
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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