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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias& @' G* N' P: T
( ^: i5 C% w" ^+ {- M/ G
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密) U; ]% l5 P. ]' @5 Q
大部分是要match
$ {/ a. K( }+ v3 i' kMetal poly  density  不夠) r% d7 G* n# B- E/ K/ n. @% X
加ㄉ那些也較 DUMMY ( I; A% C3 ]" K! n# G1 j
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
$ w' ^5 U5 m& j' X7 B7 O! o0 d, y8 v
# h+ c0 P$ o2 O5 V& @. q
* e/ |7 h, @9 o9 ]% g: [4 n+ r    感謝樓上的大大$ h4 G& F8 D& D7 `3 U* Y
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
: N/ b5 u6 d$ t' N
3 ^; v+ P" b3 y: I; X/ o# @7 ?# v6 g* |
    感謝您回覆的這麼的詳細1 N8 G) Y0 C3 x( ?
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!( t  }" ~+ ?& ~( a9 \5 ^3 l
! t% F) {7 W: s! t
不過簡單來說) {. x% A2 U- r) b- I
在製程時食刻會破壞掉你的元件
, I/ j" `: T, ?9 s. g3 |% d! r' |4 J而特性就被損壞! p. n0 h/ K- r5 k% t2 C' @9 _. o0 o
3 R% m( p; B5 ]( b0 u: `$ s9 ]5 i
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>$ Q/ C7 Q+ h3 _8 {3 ?3 `- b2 }' r
所以蝕刻吃他最多
/ Y/ t* h9 x  D主要部份特性就不會被破壞# x5 _- t$ s8 Q% i0 m/ F
% O/ H, m4 m/ J5 X/ a: v
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到># C4 }6 Z" Z9 |1 ]5 _; S
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
& a/ y3 j7 z, V+ r- T! b
& T& F' X: f3 P/ ]0 e又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
" s  W0 V* V+ u# L+ ?: ~4 H" c8 q! Z還有電容也要加9 @0 g1 {; x; d* {( c  R
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!: v: y* b9 D) G8 w9 A2 N

$ l9 b- ?3 _. J& T  Z8 i- ~and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
$ l% W3 H& f" U# o* P; a. xvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
9 y2 `3 W7 u' F: l, |: N- v

$ l3 Z! m% C* B/ j% f( f* ]" w: w" n! v5 q* V3 Z9 F
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??5 V" x0 J9 e& p3 @
' s$ B, c# ?6 x) }4 j
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??) N9 A9 D0 k5 l

6 p% }  S  n! |+ D數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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