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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
& _' T% j" N2 ?& \1 I5 ~1 `4 U: m4 X9 ]
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
, G. ^/ I+ D3 a$ y- l* ?大部分是要match( T1 j3 V0 p! q4 c
Metal poly  density  不夠
# d4 Y1 a9 N* l! M9 x( v  m7 F2 x) y加ㄉ那些也較 DUMMY : z0 u! P9 h/ \: g/ x
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
5 Q; P( E. r* X: Y5 P: i& \2 b
0 @' v/ ~" c5 g. v
6 J1 ^- P# E. t) H% ]    感謝樓上的大大
' `( ^* A# v" V# r" N9 E% `% h   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 " l; `, ]; ^# V/ a  ?
7 X6 X3 I0 F6 j+ j8 }8 ^8 e
6 Z$ ?, j4 y2 N
    感謝您回覆的這麼的詳細
# R0 ~: x8 f9 ~" k6 z0 C% `您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!: `0 R) K' C+ I& U! d9 r7 t9 ~

4 K/ l  b9 d; Y不過簡單來說7 |1 H) t1 i7 q; @8 {) w% R
在製程時食刻會破壞掉你的元件
& f! w4 H- d: J$ L& m" z而特性就被損壞
' e0 X- R( y3 A5 L" d% R& e* b! k% X! l/ Q4 f0 R) y& ~; N+ m6 q% f
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
7 V  v8 x* c/ E所以蝕刻吃他最多) h+ B) B! H* b2 n/ k: g) L
主要部份特性就不會被破壞
9 Z& K+ \. k$ ^8 O- E) _) t5 Y8 G' D; O! e
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
0 H0 ~0 P- }" c7 P& @所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
' o& Z, F& Y5 {7 a: @. u
0 P6 E) O+ ^$ [* N又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
. {' y. Q# y# A& G/ c* G8 ~8 K還有電容也要加
6 p! _6 @8 j7 _  g( g若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
, g1 G& J# H' `- n; c/ h
8 [: Q3 p0 [1 ~5 @1 \1 @and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
) h9 A0 ~% i. z4 q8 kvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

6 l' s1 j* K. r+ k5 }- i
- C& M7 b- M" ^* {! |$ C+ z6 S; e1 X" u  h  e3 V
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
/ o  k+ ~7 p* P: z7 s7 f! A% p7 E6 _8 Q) J1 Y0 p
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??5 J# n4 L- S, T6 D$ V3 i1 H

! m) @0 U% D- A7 e0 {/ q數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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