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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias' D8 X8 a4 Q  f3 H+ g
6 _- s0 I7 u$ i, f3 {1 P7 i7 l
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
  _1 _- N3 k2 m% I6 T2 u9 C( e大部分是要match; z: t; G* j6 O2 E
Metal poly  density  不夠
$ w! q) K' N" l5 B$ p加ㄉ那些也較 DUMMY
# E9 `8 g9 s0 E# f7 R1 ?# g# y把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
% B" `5 Y6 E* p5 e% Z0 e% s
1 [" D2 s/ ^9 g) r8 d/ S
/ ]! O  N( k6 z& s  U$ Q    感謝樓上的大大
9 t" T' Y( E; \) f) U6 B$ S1 U2 X( s   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 " U1 r4 I4 w, O' i9 O9 I! U

6 B: w$ `6 G  O
. B" w5 c3 C. N" ^    感謝您回覆的這麼的詳細
+ p3 w% X. Z4 c您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
' o2 E. f9 E* n2 A$ D  P; _
. F) M( q6 k5 k! |" j2 T0 Y不過簡單來說
2 A! U6 Z2 s% u3 M6 n在製程時食刻會破壞掉你的元件
: ~& H* {- w! n: \而特性就被損壞7 _1 Z& A1 x3 a7 B
$ f  ~0 J; X) K* U4 p& I8 B
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
6 S6 L$ q, e+ M( `  Q6 h7 f所以蝕刻吃他最多* H) R( g# a9 e5 I* q6 H
主要部份特性就不會被破壞
( W! R+ s+ ]: F$ T
, p5 q  J7 ]1 n2 ~" n& W1 _$ m很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
+ ?2 J" i6 @' p: h5 I所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享& h& h8 x; X6 u8 |( P& T: G# }; x

# F$ ]! G* q2 {6 r4 I. ^3 ^  o又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加5 u* N' `5 x0 K2 C/ C6 M/ Q9 A& C
還有電容也要加1 `  I% c" N0 E; o
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!1 D& [0 U2 r" @) F% i8 ^( j

# |: W  R6 E2 u9 |% h  K& ^# h( Tand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
. B) _5 z  n6 bvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

$ Y; y, [% [- ]
" ~0 j2 P. D1 s8 C. R. n3 |. W# R8 v- c" @5 m( `
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
5 S) R9 }" W% _& J1 V# n3 o
, g- `& M$ O4 G- n, {( z5 N* Q: e: J如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
# s9 s$ P, {0 K1 C4 _  ^) _1 _& e; F. D8 z7 L5 c3 w' J2 _
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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