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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
# u& G7 o9 q3 O# _* X8 r# b8 L' z5 n& w( d2 ]" b' }) `" R
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密$ `# h7 r, q) P( s5 b: }
大部分是要match& ~, N/ i" ]7 |
Metal poly  density  不夠
0 \8 h2 c. E( [. l加ㄉ那些也較 DUMMY
) ?& h, f8 V# D7 N8 d  q把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat " O$ {: m9 Q+ i2 ~* a  G0 a# v

/ d) H6 V; M! i4 R/ a: _! g5 w" A: D$ n" Y5 u
    感謝樓上的大大
: R8 G& ]& p6 R8 T   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
2 |# n: g6 p. F  V) K
. O. X+ o: U2 k: x  l6 @+ x
1 w, m% I$ W, g* d    感謝您回覆的這麼的詳細6 N4 C; K6 i; d
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!! a. O* |$ u. E( u8 _, M3 \
5 ]1 t4 c& x+ e( i+ j. f6 W( R
不過簡單來說$ Y  m1 H! ^1 D, E- a
在製程時食刻會破壞掉你的元件
  u2 K! O4 p; O% E+ E而特性就被損壞
$ ]  l( f( ]  ]9 g7 J6 o* y$ Z: a% v" l. ~9 R
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
- I! ~) a2 T. G2 I6 G所以蝕刻吃他最多
. T3 m. a: {* z: H, }主要部份特性就不會被破壞
* ]6 |6 _7 W" n* H) Y/ d2 N- e6 Y, ~3 [
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>' [- t( j; a: Y
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, g- E1 k/ ~7 u* G. M
" M( H# L4 |; E- m" c& r又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加( u' i9 a3 }; t. a* [/ J( A5 R
還有電容也要加
8 Q( x0 t6 I6 X若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!1 g$ R7 u( A4 w" I9 Z1 y2 f. S/ q! L

' ~7 U. U" N/ p! r' ]/ ?and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...4 E  y2 d$ W8 @( a) m5 z- e, L
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
0 P" E3 F9 E4 }( T

1 A, U6 A! g) c; ?
- \, u5 @- a- \: C    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
9 p: c( e/ g7 H1 z7 e8 ?1 m0 m& l% w! h& A& Y  J
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??) J' ?* v7 D3 [

9 o. G7 C/ E2 \* ^- g數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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