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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias! q3 v# V3 S# d+ A; H
: y. |% t8 x- g" L" T" H
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密$ `7 L8 ^3 M! E$ F
大部分是要match$ W$ X$ U2 }7 p" f, B" p' I
Metal poly  density  不夠) S' n9 ?' X* k) A3 i
加ㄉ那些也較 DUMMY
9 Y) R# m8 N  K4 V5 s; l把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ( O8 f' U9 s# k( w1 e6 x

8 i! ]( t8 {" _# I+ u' b( {
! G; I2 g/ F/ `7 K4 |2 O    感謝樓上的大大- H! F7 N$ p8 c: F; c: V5 ?* Q
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 $ s% v  U+ y; l  K4 z+ K7 D0 Y% v
) u) p1 S+ n- F3 P+ A! A
7 \  [) W% w- q% n
    感謝您回覆的這麼的詳細4 |/ D0 c! j" o) E
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!: p% c! F/ Y* j4 T; W0 P, @  y
& ~0 p: w  u+ g) C6 s
不過簡單來說2 u* y% n: w2 z% c- z6 c2 O
在製程時食刻會破壞掉你的元件9 M2 j' i, h* w1 B1 d2 ~1 K  @# z" n
而特性就被損壞; D* w' j0 F/ U( W+ Z; |0 G
+ }" e* g( k) A' _& e# H# g0 ~) Q
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>( t* E( A3 P2 U6 X, r  K6 p
所以蝕刻吃他最多
0 J7 z  C% ?$ o- Y" m& Y主要部份特性就不會被破壞& {" R# b- b6 W0 Q# T! y; H

7 g( d. u; K0 t) U7 q5 S" @$ V, \很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>* s3 s; o3 N, c, n# j+ A1 X& ]
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享2 Q' |/ B! P/ e. l0 }& x' v& t! g

: L! a' e/ L7 Z3 F3 f又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加0 ^+ U9 A$ ]# U% i& R" V6 C6 Z0 R
還有電容也要加( {6 x: t0 Q2 d" c
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
7 [* T  A; H8 `/ K8 j9 \/ Q2 e" j- w! y! Z& [! t
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...- C, |0 n4 ^! K! e6 G' J/ E
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
6 [. ?2 h( Q# i

1 `2 R2 V: U5 b+ N+ x/ Y2 X
* N/ y7 F; F8 a1 {0 n* R# F, `    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
0 _7 T" W/ P. r2 M- [* v: v& W% I5 X9 k' K3 e4 O. w/ ~
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??6 T2 z# z1 |1 F5 n. K
! H- v8 ^: X/ @
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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