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[問題求助] 關於加guard ring 以及在lvs的erc error

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1#
發表於 2009-10-23 13:06:59 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位好。2 a* T* u7 }7 T! J, o0 a; l1 U
我在CMOS_Transistor_Layout_KungFu這本教layout的小冊子中,在guard ring(GR)的部份讀到
) h3 `' d- a  n" {/ NNMOS要加 N型GR接VDD,可以吸附N型少數載子- G. h! `4 ]: Q. N
PMOS要加 P型GR接VSS,可以吸附P型少數載子
4 A( t3 h" |3 X( E6 h
8 p9 a( T* a% X  Z4 `不知道經驗豐富的你們是不是都這樣做?
" p* @- {5 ?1 q. ~5 w/ P. k一個BLOCK裡除了所需的POWER之外還有兩種型態的GR?
8 b$ ]) S. S: |我覺得這樣有點麻煩。因為我想若是不管N或P,只要在外圍圍一圈N或P型GR,異性相吸,同性相斥。相
* b' R* r2 ~4 S" \0 B斥的載子會因為空乏區的關係要走比較遠的路徑跑到別的BLOCK,這樣的影響應該相對比較小吧?
. q4 U& S: N5 I7 h! t+ @, W7 P1 P+ S/ q! i& j' Z: N
另外,我是用TSMC 0.18UM的製程。在做lvs的時候也會有做ERC的檢查。我因為多加了這些浮空的GR
  X' X6 U, i9 x. f8 y# E/ C造成我ERC有錯,是不是可以不用解掉呢?還是有方法解掉的呢?9 H3 X( L5 b2 M0 N" I1 [
附一下我的圖: 上中下的GR都是ERC有錯的部份,我問了CIC都沒回應我…難道這是非常小兒科的問題嗎?
' P/ }' j: X& Q$ [
8 ^, l5 [3 l6 r5 Q5 I* I
! G8 O7 c+ @& v% M[ 本帖最後由 gyamwoo 於 2009-10-23 01:10 PM 編輯 ]
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2#
 樓主| 發表於 2009-10-23 13:09:57 | 只看該作者
小冊子好像沒丟上來@_@1 A4 z/ a/ h/ j7 M
小冊子好像沒丟上來@_@
- E) |* v" D1 u! D+ v# u9 E/ F小冊子好像沒丟上來@_@
) N# O7 u' Z. }. u0 k/ @" I9 g  G  k小冊子好像沒丟上來@_@% ^& ]) _% N4 D8 B' o' y
說實在的還不太會用chip123上的功能
3#
發表於 2009-10-23 13:15:31 | 只看該作者
如果確定都有連接上了  此錯誤可以忽略掉

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參與人數 1 +1 收起 理由
gyamwoo + 1 謝謝你回應

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4#
發表於 2009-10-23 14:01:33 | 只看該作者
我因為多加了這些浮空的GR'; ~, g8 W- i0 k. c  R5 r
造成我ERC有錯,( `8 U3 L! [  N
是不是可以不用解掉呢?% |# f- M, A. c6 q% n" ?
還是有方法解掉的呢?
1 g) d8 }4 \) K* r8 y/ u# Y1 s
/ Y# p- u0 V# F; y儘可能不要浮接
, C1 A) W3 @; {( R7 J! e3 U: P
& T. ]3 c& Y6 P3 c8 ~如果確定都有連接上了 ) _$ ?# a1 y4 C, ~# B, r2 y9 p
此錯誤可以忽略掉
' P* c: q7 \- b/ U! V2 l因為8 t  i/ {: }. U) w! l3 }+ B
有時候是 POWER NAME 沒在rule file 上! G1 k; J1 h. R, p
ex:rule file 只認 vdd and gnd 是 POWER 和 GROUND
7 X. @& O4 ]5 a' r) P# P! F那你用 dvdd dvss 就會出現
, I8 g: P. i, a8 V' Ffloating nxwell 和 floating psub
' O2 P5 t/ \& Z5 w# g' x8 O
1 [1 p/ z. T3 @6 L3 z; n有時候是PSUB2  造成 一些  獨立 ㄉ PSUB* J/ z% n! P! m+ R" x* }
7 U7 Z, e+ x$ G, s+ i. b
我問了CIC都沒回應我…難道這是非常小兒科的問題嗎?/ Q$ y+ @: i) M9 E- E5 r3 h/ _
------
6 j% F% `: o, V$ ~被你猜中了 通常只有菜ㄉ人 才會問這種問題
* N' |( M( k/ y就是常有一些菜ㄉ問題 讓 教授們 不想去回答: Z' g9 e/ M5 u
所以我有空 會在這裡 哈拉 哈拉

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gyamwoo + 1 果然我很菜,哈哈哈

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5#
發表於 2009-10-24 01:28:51 | 只看該作者
你的圖浮接的PGR OR NGR有確實的用METAL接到VDD或VSS嗎?
# s/ w# L; Q* E/ v你的LAYOUT DEVICE不是啥特殊的,這兩個ERC ERROR應該要清掉
+ J! E4 b, T6 b8 t% s$ [才是.
6#
發表於 2009-10-24 23:17:52 | 只看該作者
從圖看你的pring是floating,沒接到groud,erc會抓一定是沒接(但有的是有接蛋沒給ground name,這樣也會抓出來),我是會把ERC都解掉,建議ERC也要都解掉才算OK,不過有些ERC寫的人沒寫好,有些會有假錯,譬如hot well,也會被當成沒接到POWER,而抓出來,或者NMOS做在NWEL當CAP,這也會抓出來,會寫command file也能自己加上一些erc判斷,來讓IC WORK機率提高,commmand file還是人寫的,寫的人不一定會考慮很週到,自己會寫最好,不然就是給專門在寫的人去寫(大公司都有專門寫command file的)
7#
 樓主| 發表於 2009-10-25 00:56:50 | 只看該作者
那兩條GR確定是會拉到chip的pad上,量測時會給vdd跟ground。. u4 G/ s; s2 d5 V. O' q
我覺得會認為是floating是不是因為我沒有接到任何一個mos或是device呢!?
8#
 樓主| 發表於 2009-10-25 01:11:28 | 只看該作者
另外再討論GUARDRING(GR)到底要不要跟POWER接在一起,因為這會讓LVS簡單不少
" F* s9 _! z7 z! @是這樣的啦。以前在123上面看過說GR可以跟power接在一起,但GR的效果就不會比較好。
+ \( J  _, k+ |4 z; X* a) Z* N" a5 U畢竟GR是要吸雜訊的,另外GR跟BODY或WELL會是逆偏的PN接面,有一空乏電容;如果接GR的電源或地是不夠純淨的話,其雜訊或抖動的電壓會不會耦合進電路降低CHIP的效能呢?
& G( S4 g% o: h4 C7 T2 m0 G好苦惱喔
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