關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
- t8 L: T" T; x我們的place方案是：
1: A B A B
! v- D) y% ~+ e& }2 F' f) W7 V   B A B A
1 F. X/ l) M# H. h. B: R這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
2: A B B A
: ?5 i* L" p4 A0 {& f! `/ M0 |& B" O   B A A B
: f- e+ }! s: g* T6 V' P: F對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
1 N8 p5 N: q, F3: A A B B
   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
6 Y1 v3 a/ W3 H& L4 c
大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?

, g' ^' y3 }2 U1 J" z! s[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?

沒人知道嗎?
! @- d4 e' U: R( M- S
沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
/ l' C; @/ h5 t* t; m7 S- f' [第三种分散性不如第二种。

. Y! Y  H  [/ W9 B# k% y[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配

7 M% H) V& r1 w. `3 g可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配

7 ^7 @  K) Z4 O可是為什麼電流方向不一致@@?

9 I* `' t, S6 {% x0 m然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

! A( x- x" ?" I) h7 |+ l
( _# t1 [" q" W6 z如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
0 U" y0 b: z/ u0 K所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以

4 V" l2 \) ~- q主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
" t7 r$ C) l+ N0 |7 M若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿

' P9 u& A2 r7 ]7 Q( _光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
- t. x) ?" w1 Y% x9 ^電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
! }2 Q7 u. ~& V4 h9 C" N一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
9 Q" u9 w& M. w7 S0 E8 }* x( y5 K5 S8 D電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
$ j0 h0 l; E  O* m0 Z$ S( K8 L- y) n都 ...

: i" {# L/ m- r' Y. @% \第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
( N# o3 Y6 u0 e7 E
我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

5 ^% ^. M3 [0 D, t
- ^0 s4 q1 j0 T5 B5 C' d


                  
3 M: l& _! H4 u4 L* i* x5 M' e1 @; C2 t5 t                 
請問STI效應具體指？

                                                               
                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
, k$ Z6 }( U" |" e' E; n  AB     AB
/ Z& T" _' v$ L: n. H) Z        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
% L' @6 V" @; M% l2 s
" i+ P) \6 j8 t1 ^0 P5 d如果不共用
$ ?" R) U; l1 w　A      B          A      B
4 a7 @- X- g4 x5 A. P- l" X4 [6 P        x        X         x
$ C; F& t9 c# U6 N. Q, Y　B      A          B      A   
: F" \( V: R2 E! }. c0 s# h/ r& Y　　x1　　　　　x2
) [5 [8 l4 c' _/ x( F$ A! ^9 W' k) zx1 屬於 common-central
0 e! z2 L, |! U( Y5 Tx2 屬於 common-central
" T: @" n7 S+ ^" O# Gx1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
6 J3 m; y5 r0 J% E9 G( }1 T: b) H兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊

$ l" z- z5 H* J
2 E" I% ]6 Q) y4 U1 H& a1 q方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
+ G6 u# ?( Q2 ~  Q4 Y' N方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

6 ]1 B6 w; a/ W7 ~0 X
: q5 m% j  \7 q; x+ v' z
    何解? RD不一定正確吧?