關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

: |. G9 B& h1 I: X3 q參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
我們的place方案是：
5 s9 Z0 {1 p: v! G0 n: E1: A B A B
  E, T  ]# `7 z# \   B A B A
6 Z7 W7 w7 g9 m+ }這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
* [& Z9 ]0 x  G0 t4 y' b4 V2: A B B A
5 t$ ~. M3 d+ }   B A A B
對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
# T1 |+ A* c( n* |  R6 E3: A A B B
. [" l" l' @  X* U/ r   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻

大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?

( S7 o& K' `* u% m- y9 ~* e[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?
+ r, P* C$ x, n8 N# l, f) @2 M
: ?. ^! r& k: v. A沒人知道嗎?
  {/ O7 v3 z: l
6 y2 o  W  f' c; Y2 s沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
4 S9 W: C5 m/ g# {0 n9 i, S+ M3 h大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
; N. ?4 i1 p  f0 |第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
第三种分散性不如第二种。

[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配
9 r5 H6 S5 ~' a% X+ p1 j
可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配
% [/ ]* a: U# D7 o/ P$ z
可是為什麼電流方向不一致@@?
; x7 j; ^& x1 p# w9 A3 ]& P
/ P+ m, o% p0 M! J6 R( S- p然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

. u4 l, S$ j, e2 e. Z
如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以

主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
/ v  N6 [/ y8 i  b& {. _若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿
3 |- Y/ _& I# \- e8 \
光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
7 w! Y; l4 K1 p- Y7 K/ b) j' S電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
* q1 s. X. L4 v9 B! O" o* w都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
# R+ I& L/ i8 j2 h都 ...

, `  U$ p7 L2 }3 F, I

第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
$ e% c/ X7 m8 u$ s9 t! S* M8 ~
我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
& ]$ s1 e  q, l: P1 m' ~如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

. M' ^/ j) \: [3 X8 I( _8 z
0 |* a6 M1 I$ C0 u: S% j8 F  f

" |. j2 V& A  O
                  
                 
請問STI效應具體指？
% E. k% u' K! @5 P" |4 N6 {
) C/ w- @0 c) Y0 V- ?                                                               
                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
  AB     AB
        x
! a% s& Z  _, M: b6 \( l' A; d0 P  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
+ C2 W7 R+ R9 Q
, Q" {4 g$ V4 I  Z如果不共用
& ?) ^$ ]( M# V% ~; C% E8 l+ ?8 X　A      B          A      B
/ O# a' I, B' ]        x        X         x
9 ]) N: @. y, r- X% V　B      A          B      A   
0 }/ O" R1 w- h　　x1　　　　　x2
x1 屬於 common-central
; X2 ^1 e: {, q7 v) `4 dx2 屬於 common-central
) ~) m8 h) E2 ?! o- h1 ^x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊

3 V( x  z* y+ {$ {7 b1 r
5 n+ X0 s4 F3 m. e( v. m方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
7 V$ n/ K# A- P& W/ b/ i4 b/ E方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

% @8 x% l; W  e) J, {+ {* W) G
    何解? RD不一定正確吧?