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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.4 M% x% @7 q. L. z
2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。% {% C$ m- c- n1 Q
7 K9 V' j) D- G, L9 F1 w
Veteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處" r# B4 O0 F6 \: i
可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.: V; N& m6 K/ ]7 H$ ~' j: f" P6 p
使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題
3 o' V/ q  r0 g: W' B4 b% {
7 J9 s6 K  U% {/ Z$ l! E6 A& ^OPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有* ~8 N8 P. s3 J5 t! J" o
但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角 ; I. l% C& o' w6 ^8 M
1.DRC 檢查軟體運算時間++- W8 j8 }: L, D' v$ e; ]+ o
2.RC Extraction 不準 運算時間+++$ ^3 G" o% A- S9 b6 O' [3 K7 e; H
3.P&R 時間 +++* y/ w9 B* e$ V1 A. J, F. H9 o$ n
4.最重要的原因 製程良率 ----
" _% {! U# W" Z2 l8 i! ?' h/ j; a0 B+ B6 P# D
Cadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0
6 [7 K) Y. x- F2 S. W. b  E當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多
  v6 H+ P" ]% J' A所以 90度角 還是證明他的價值存在6 P3 C' l: A4 u0 ]7 T% f
0 n4 ]. `9 p0 R, Q: k
至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況8 |& Z/ R$ a! M6 i4 y
而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下3 k3 X% Y. |: _8 ^  @& }. N# S

; G# S+ o2 c) c* ^得到以下結論/ k, U0 d$ W* Y
  w# |" t/ G% d" a. @; }
目前的製程技術已經到哪邊了???! U+ ^( p! o; c, _: m# j0 h
你所需要的製程技術是否需要???
7 k. g. L) G9 g" `; }DESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用
  O; U6 k5 S; G$ ?' P
0 v8 h  P* \' K4 v; B- j/ d: Z其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  . b: X& J6 O1 S
& ~3 A' ]1 M8 Z# y
我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強6 K* W- ]. \/ h3 A1 E7 I

5 _/ P) ^7 J' v5 l7 \9 S所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)
9 R. O1 j9 m7 t: t
! a7 X0 s* y" A  m- }; b重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的6 j" f% [" J; W/ p) H

" S+ k' l% ~: r" l. |, C. @- s如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下
, u; u2 D/ m9 I$ G2 U6 d又學到好多事物& j; K4 u1 f1 Q
第一次知道layout可以90度以外
) A' M' n8 }. L" ^3 d+ f% _+ p2 T8 i謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦/ Y- }6 v  S# o7 H6 j9 T0 H
我同學做SAR ADC因為速度慢
( ]  }- b" {. x+ T/ f( o繞線其實有接到就好了
% {) B5 j, ~; l直角繞線或是metal太細幾乎影響不大0 f/ p- u' P, z7 j2 k% X
做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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