PMOS，buck,source,drain接地，gate接正电位，电容？

Behzad

各位大大，我在参考以前的项目时，发现有用PMOS当作电容用，30um x30um，M=48。但是buck，source，drain接地，gate接高电位，挺让我费解的，要是NMOS倒是可以理解。请教过一些人，说这种会引起latch up的问题，而且形成不了电容。有达人帮我解答这个问题么，先谢谢啦。

! q9 }) p, R) O$ x# T7 F, R4 iPS：我用HSPICE run simulation，发现无论是NMOS和PMOS效果几乎一致。

2 l. r# C/ v8 \* D/ [$ a- e0 o[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-16 06:14 PM 編輯 ]

shaq

我想那是 Accumulation MOS(AMOS) 當 cap 用吧。
AMOS  就是 NMOS 作在 N-Well 中，電容值有較佳的線性度。
所以我想你大概是看到 MOS 外面圍的是 N-Well 就認為他是 PMOS 吧。  

事實上他是 AMOS, NMOS in N-Well.

Behzad

谢谢您的回复，不过我有看过layout，是Nwell上面又有P+,不太像是NMOS，依然谢谢您！

alab307

如果你有學過MOS CV-Curve就知道
此PMOS工作在accumulation區域
7 y2 o$ ?4 w% K3 ~& M4 v! w一樣有電容
+ }, G$ j+ A' U
0 |2 h0 H4 w% ^: A6 f! h至於NW接地, 是有可能會Latch-up,
5 g; q6 T1 c9 t就小心一些, 也沒那麼容易啦
+ f8 v- i/ Q% \. v2 E1 }
0 X6 o9 t# P- C[ 本帖最後由 alab307 於 2009-4-17 06:59 PM 編輯 ]

qweri

c=k/Tox

6 n2 n# Y$ W; M用NMOS 或PMOS效果好像是一樣吧?
不知道為什麼特別選P來做?

Behzad

原帖由 alab307 於 2009-4-17 06:58 PM 發表
如果你有學過MOS CV-Curve就知道
此PMOS工作在accumulation區域
一樣有電容

至於NW接地, 是有可能會Latch-up,
就小心一些, 也沒那麼容易啦

6 j# J8 g  E# X1 d我对这个不太明白，就我看到的文献来说，A-MOS是NMOS in N-well，对于PMOS，bulk,source，drain已经是最低电位，gate下面会invert?如果不能invert，那么这个能当作电容用的么？我对这块不太清楚，请继续指教，谢谢。

Behzad

我想PMOS实现起来有点困难吧，因为gate下面好像不会形成channel啊？如果能形成channel自然一样，但是如果不能形成channel，我就有点担心。

chinwei

不知道PMOS這樣接作電容的話，會不會有什麼問題??
" O! w: V+ U# {請各位賜教!!
. N  V, y4 M) j8 p: r# ~
) U. x! c* \' u" X8 _/ TPS. gate 接地，其餘的腳位接在一起，在接至某个正電壓。

qweri

同樣一個公式c=k/Tox
accumulation和inversion時的c值是一樣的  只有在depletion時較低
可以看書中有圖

/ W2 T/ j- \. o$ x* `所以如果給的電壓夠正，雖然沒辦法invert可是可以用他在acc時的電容
" }6 u8 U& }: I0 m
amos我不知道你說的是不是depletion mode的
就是原本不加電壓時通道已經形成，加上正電壓把他deplet掉就是把他關掉
我不知道這跟他的電容值有關嗎?
% h% a2 m& `- O; k0 x. }" \% w2 e基本上我猜只會把他的整個cv curve shift，猜是只有Vt的變動
3 j8 G) d+ O. G- h3 F想不到什麼線性度問題，請問有書上有寫嗎，有寫原因嗎 謝謝

alab307

我再說一次
當PMOS  gate給高電壓, D/S/B接低電壓時候
' S$ Q8 |% v" j8 \: T% PNW是n-type, 可以提供負電荷, 在表面累積負電, 稱做accumulation
( f; @( b9 @; ^% U7 G# ?(如在NW累積正電, 稱做invertion)

3 E5 J- s# R( T9 e' g* C5 a, ?. u0 H! x只要有兩個極板, 可以累積charge, 就可以形成電容

Behzad

感谢您的回复。至于AMOS，我是根据一篇paper来看的，他所说的AMOS是指NMOS in N-Well，不是指pmos了。我贴上这个paper吧，供参考。

[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-21 11:50 AM 編輯 ]

alab307

我第一次聽稱這個MOS為A-MOS,
/ e- C1 [4 B9 J0 h2 T不過沒差, 原理差不多
$ o- Y& Q. J% i( N, h2 [" Y0 H唯一有差的是A-MOS無法inversion,
所以偏壓在accumulation區域電容才比較大
5 z4 I! W! S* i$ S; K4 f! O
PMOS則是偏壓在inversion or accumulation都可以有大電容

qweri

AMOS 一樣可分N跟P
: q$ R7 Y9 t0 o8 Z+ t! J7 y  Z
不同的WELL只是調他的Vt而已
; s2 b. c7 Z+ i2 X0 Q7 `  C/ n( O照你的說法
; g& x/ c6 E* w& x6 KNMOS ON NWELL
PMOS ON PWELL就可以了

也不一定要改整個WELL調CHANNEL表面的DOPPING CONCENTRATION就行了

hvpower

NMOS作到N WELL 上面 我覺得
不就是一個多晶- 襯底電容吧？

renzhq

其实mos做电容的时候，电容稳定的区间比较大。这个可以从C_V曲线看出来的，NMOS电容随着栅压的增大会有一个区间逐渐变化，最终稳定。。。
Pmos电容的这个区间要比NMOS的小，但是如果PMOS的buck、s、d接上高电平的话会和NMOS接地的情况差不多。。。
8 {7 o+ O# R, H  u: F也可以把NMOS的栅接负压（好像不太常用。。。）这样会改善mos电容的线性度

liload

如果用NMOS来做没有双井 buck只能接地  pmos栅极接高电位 也可以让pmos处于强反型区

andrew_wee

15樓說得不錯，我現在就是在模擬nmos管和pmos管的C—V曲綫，尋找一個結合點，來提高Mos管的線性度。但是這個結合點真的不容易找啊，希望哪位高手能指點一二。

賴永諭

PMOS 作電容..不是Source Drain and buck 接高電位 ,gate接你要穩壓的點嗎 ???
$ {$ ]0 a7 B# _! n% G其它接法沒有做過ㄝ??????
thanks!!!

savage1394

pmos的gate接正电位，bulk、source、drain接地，这样pmos工作在积累区，电容几乎就是栅电容的全部，有什么觉得奇怪，从来就是这么用的啊。如果换nmos，反而效果会变差，因为当VGS=VT的时候，mos总电容会突然变得极小，电容值不稳定。
5 j0 x3 e7 s6 l; a还有，为什么说pmos电容这么接回容易latch-up？我没看出来？谁能画个等效电路。相反，我觉得所谓了AMOS，就是nmos做在nwell里，我到觉得他出latch-up的可能性极大，对照书上的latch-up示意图，一画就能画出来。

hana84

can somebody explain how to latch up ？