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請問如何將寄生電容~寄生電阻降到最小

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1#
發表於 2007-9-29 12:20:02 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
如何將寄生電容~寄生電阻降到最小~
$ |) p$ F& d2 o2 n請問最小面積是指整個layout的面積嗎??
  L1 t: c6 o2 f7 X, P8 C% U( _2 L還是線跟線之間的距離??
  y' r5 t7 d" s( `8 @1 B還是兩者都有??
! x7 Z  f; f' B; h: _8 Z想成為layout佈局工程師的小弟
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2#
發表於 2008-2-4 13:29:46 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

因為 一個電路裡面 的MOS SIZE早就已經被設計者決定了
0 B5 n; p5 ]3 m* I6 t所以 MOS本身對地的電容 一開始就產生了
% l0 w- ~: F: g3 B" E# KLAYOUT唯一能降低的 應該就是  電路中各個MOS的總連線長度要越短越好
4 n6 {7 t9 t" {5 u總連結的次數要越少越好  這樣子寄生RC就會降下來
3#
發表於 2008-2-4 18:16:36 | 只看該作者
電阻的話 多打mos S 端 和 D端   contact(要往下打)   就可減少寄生電阻        |---------|
8 ]8 W2 s) Y: K; E  G* U                                                               -------------|         |--------------|. F  |  K/ F- k( w+ ^3 D% u* ]
                                                               |            |         |              |% R9 B) a  w5 O9 C
                                                      |            |         |              |( L- M0 v2 U" v- g4 F
                                                      |     S      |    G    |      D       |
/ j: u  p# r% q& b3 N( t6 q, m                                                      |            |         |              |
( B0 K5 v% h2 ]2 X$ ]' v                                                      |            |         |              |9 d  k. W% G2 D
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! d9 D% _: u# y. V3 c9 w. ]7 j                                                                   |---------|
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