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[問題求助] 想請問一下設計mos的wenth跟length

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1#
發表於 2007-9-15 00:17:02 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近一直在模擬paper上的電路,(也清楚了為何電路會這樣接)2 L) a9 }; A# j
好比說VCO,PLL的電路7 n4 @5 X6 @7 F+ e
通常你們在設計nmos或pmos的時候,長寬比都怎麼去設計呢& Z0 @4 S$ c# O7 l5 X; T8 x9 J6 v  ~. B
如果是以0.18um製成或0.35um的製程來說
, R# s) d9 u: G" z% _8 C# H不知道各位專家有沒有什麼建議或指導之類的.....
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發表於 2007-9-19 10:31:31 | 只看該作者
類比的世界  沒有 standard!!
# Y1 B9 n  _3 ~+ Q/ Q9 g. ~所有的 width & length 都是依照設計者的需求來設計!!: d4 C+ M$ J" x( j  Z
所以  應該沒有人可以告訴你標準答案!!7 R! [/ H/ [9 a/ ~# `. L( X) s
或許  有這麼一條 guide line 叫做  儘量不要用到 min. length/width!!2 `& n5 z6 i# U1 T
這是考慮到製程變異的時候!!  假如不 care 時  也是可以用的啦!!$ A0 K  t' z0 J4 ]; ?( z3 Y
看你自己的需求唷!!

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參與人數 1 +5 收起 理由
monkeybad + 5 Good answer!

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2#
發表於 2007-9-16 18:56:58 | 只看該作者
根据工艺确定Length,然后根据MOS的功率和速度确定wenth。
4#
發表於 2007-9-19 17:04:53 | 只看該作者
L與W跟你的操作電流、頻率盛至跟溫度有關3 u& Z7 g+ {6 M- b* [
一般L的不要抓到min值,L大一點可以避掉製程size的變異$ H. N+ O0 f+ N
適當的W/L比例控制去抓Veff值比較好
5#
發表於 2007-9-20 16:46:12 | 只看該作者
一般在設計NMOS或PMOS,為了讓MOS在飽和區工作,以所需要的電流(Id),再利用MOS飽和區電流公式Id=1/2 u Cox (W/L)(Vgs-Vt)2來估算W/L的比值,
: L5 \2 e# R; X另外,如果是0.35um的製程,表示L最小可以到0.35um,但建議不要用到最小,因為如果製程不穩,L很可能會跑掉,而造成電路Function功能不正常。
6#
發表於 2007-9-21 19:50:54 | 只看該作者
比如W/L=12/60. 和这个20/30。match怎么看
7#
發表於 2007-10-26 13:49:55 | 只看該作者
Sorry, I would say they are total mismatch!
8#
發表於 2007-12-16 19:42:58 | 只看該作者
一般類比電路的書籍(ex:Alan..)都會提到喔,大部分都是以OP當做例子,利用OP的規格去回推MOS的SIZE喔.
9#
發表於 2007-12-16 23:11:09 | 只看該作者
0.35um製程, 應該 L 都用0.35um , W可用10um或是5um,我在學HSPICE都是這樣設定的, s# \" J( q! l! E% J& p
但還是要看設計者啦
10#
發表於 2008-1-15 14:31:07 | 只看該作者
看是類比還是數位電路,
' ^/ D  `$ k" N: p類比電路基于match的考慮,一般需要更大的L,
, c- f  G* _9 U, o: M6 j7 {數位電路基于經濟的考慮,會選取最小的L, 0.35um. 因為數位的處理電平都是0和1.
11#
發表於 2008-1-15 16:55:07 | 只看該作者
2樓的是REVERSE吧...
( i2 S: Z% G* f( a: d, d9 s" b! D' z* n/ O& W
我想還是要以分析來設計: R. d4 D3 _) x1 q

0 I" N+ m# @' ?" w1 K先明白公式,推小信號MODEL
; y; I0 J% n& M; E3 ^3 x- L# ~' r+ s  P. H: z7 f
應該可更清楚
12#
發表於 2008-1-15 21:09:51 | 只看該作者
類比電路基于match的考慮,一般需要更大的L2 s) ?( j1 ]4 g, g
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^: W* V6 }% W7 f
基於 製程變異 及 短通道效應
" p8 W+ b/ O3 q/ y* D% Z; }+ A; P: b- p
先明白公式,推小信號MODEL
  ?0 @* R: b, z4 o^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^- K# \3 h6 k# l! c
20/2 跟 10/1  在數學上是一樣的(忽略2次效應)
$ O8 ^. H0 `% S, x$ d, [* q/ ?3 u但在 hspice 可能是不同的 mos model
13#
發表於 2008-2-12 05:07:41 | 只看該作者
for the 0.35 process L usually is 0.4 in the process datasheet, then you calculate your W according the formula Id=1/2uCox(W/L)Vov*2 usually,But as the other guy said your specification is the first
14#
發表於 2008-3-11 13:36:34 | 只看該作者
Reasonable sizes for lengths of the transistor might be between 1.5 and 2 times the minimum transtor lengh of particular technology.
15#
發表於 2008-4-5 22:02:12 | 只看該作者
一般length都會設計在最小L的2-5倍9 w1 D; g2 Z  A7 h# x  p" j. w
再看電流來設計wenth
16#
發表於 2008-4-11 15:42:44 | 只看該作者
L大小的選擇和mos的使用有關係
/ E& N+ [$ {9 e0 l有從match的考慮,電壓mos和電流mos
' V. ~2 [) T8 y# g有從1/fnoise的考慮等等5 ~$ {% X+ f7 z6 k' ^; z
沒有絕對/ ]& ^0 A- t. }: \6 g4 o8 _: B7 p
w的選擇主要和vdsat和L大小相關
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