關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
之前我有下一顆BGR
所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
+ W5 W3 |0 ~& L6 ~6 ^BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂
9 ~: c! p- M! w7 e: i
所以想請問一下大大~  
! _* e+ D1 E- o. A  x( T) pN型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?

5 U8 q; Q; Z3 J& I! p$ g以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
2 I4 u* ~0 r) q! c. obandgap voltage reference?
& _- f) X9 S9 Y- d" jbandgap voltage reference?
, O3 V! R& m' [8 f1 M3 p! X5 ~如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
; y" X: l( `' B& v( r8 A* tBandgap 如何做到好的line regulation?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
, P- e  H( t& F* R" gbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
! w! F9 Z) H+ }7 C8 f0 j( N

3 X7 C# ]/ i: Y# M/ w, V+ c" L
[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
+ S/ D+ U* t" E- q1 _1 G假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
4 e- N! o* [) K$ j1 J! ~, @6 O但是我不是很確定喔

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
應該是接成MOS diode的型態
* ^6 h* Y* \8 }6 m% R' M$ X; f/ _
" }9 D1 s" a7 }( g8 G# P* z. jre:relax918
8 X- z0 @; v, X! J) k5 v可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
4 Q0 v3 K7 O6 l# [9 e9 V8 D這種架構就類似於Diode-connected Transistor
二極體接法形式的電晶體
這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
% D  Q7 D, r8 C) ^$ [. r: X但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
& Z9 \; u3 G# Q+ [' o公式的表示方法也不一樣
2 A" V$ i- U* Y5 t  H; {操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的

& T/ E% C# n+ E) U, G而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
% W/ e' }: `' p$ O利用P-N junction的特性而已

所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
4 J" @2 L+ h2 s; R" D應該也會跟BJT做出來的有類似的效果
" ?" ]' U7 }: ^- S  C/ w
但是何者較穩定就不保證了
2 L/ n# X8 r5 K+ A" N" J
2 k. f6 s4 k# }! y' w因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
+ H5 z: m4 z; q: x6 C應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
假如G端也接地的話  ...

感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉
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