摘 要:採用TSMC 0 .1 8 μmCMOS 工藝實現了全差分相位差為450 的LC低相位噪聲環形壓控振蕩器電路。晶片面
6 M- _0 Z5 P) j$ y1 u3 ^* P積1 .05 mm×1 .00 mm。當僅對差分輸出振蕩信號的一端進行測試時,自由振蕩頻率為5 .81 GHz ,在5 MHz 頻偏處的$ ^! ~) }! |1 Q- L/ K1 m
相位噪聲為- 10 1 .62 dBc/Hz。4 ^+ W4 _" i8 t' D
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