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若是我改變Vbs的值的話9 C( V* x) M, N
4 s+ p( ?2 P( [就可以改變Vth值了7 L& v7 a' J% ]
) P/ p' T: j* y" kNMOS增加Vb的確可以減少Vth,但我想知道原因。* {) }+ B( [0 u) }( F
1 |! c1 S: N) t0 R) h
由於跑過兩個0.35um與0.18um製程,
8 B$ |5 e. h1 B" J- |, x7 J& r
, i& {" t( H& J$ v- }# S7 P直覺上,會認為Vth應該會減少。
! h, r$ w& l% P0 |& z; p- \; y( i/ N3 ~$ Z9 l! K
由於我使用與其他兩個相同製程W/L的比值
2 q5 A5 p! W& S% D/ r2 e
4 Q% @( r3 A7 S* i4 k+ i3 R發現90nm製程的Vth竟然比較大,. b; p' Y2 z2 b- {
. y4 X. P' k! W/ U1 b8 S. e6 D3 S
所以覺得很奇怪,在相同的W/L的比值之下6 z) @$ ?; N4 _" P6 O' g4 i
& o' A- l0 T4 W6 dVth或許應該會接近,更小的製程應不會比大製程的Vth大, g/ t* M( D, k2 U1 h) [8 G/ r! s6 u
: R, w2 s' K7 k9 ~$ o( c4 Z
所以才會提出這個問題∼!!
# H& j! {( }3 s8 \
7 @1 z3 P! e) [1 v! N' E若是Vth沒有逐漸的變小的話,那VDD何必減少呢??. K! k( N) [; L0 l
" e! \& b7 \. ~2 j; T
0.35um→Vth=0.5V~0.7V→VDD=3.3V
+ F, M3 v# A* Q" K% `, u6 p
$ _( h! s1 j* x7 b0.18um→Vth=0.5V~0.7V→VDD=1.8V
! `; m0 w5 M' x! \/ Q0 B, u; `9 I; T9 T# H& w7 m# m
0.09um→Vth=0.5V~0.7V→VDD=1.2V
9 E* T4 Y: [5 s7 l
: Y7 T ^- H; T3 W+ F9 _3 K) {在製程縮小,而Vth沒有跟著逐漸下降的話,
. [, I u/ T' u8 K- J6 D* Y/ W/ [1 D& R/ S
若是考量到功率大小的問題的話,, x1 r4 r3 x3 M* ^' m) a
: C6 a t# I5 T3 A8 {我想現在用成本最便宜0.35um製程就可以了,VDD給1.2v
. \& I/ v. R3 ^6 i1 Y
+ N7 x0 ^+ m1 X3 f- u* R2 E4 _若是考量到 電晶體數量 / 面積 的問題,就另當別論了。 |
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