請教兩個關于ESD的問題

hvpower

第一個： 輸出PAD需要加ESD不  比如 NMOS管的漏端作為電流鏡�流輸出的接口。這個PAD要不要加ESD啊？
. u1 u* d' a. i- B) |# V2 C) w第二個：工業上測試一個芯片的ESD的時候 是同時在所有的引腳無論輸出還是輸入加電壓測試還是ONE BY ONE的一個一個的測試

andyjackcao

原帖由 hvpower 於 2008-11-29 11:40 發表
0 e1 {, k) X5 A' F7 k* |. c第一個： 輸出PAD需要加ESD不  比如 NMOS管的漏端作為電流鏡�流輸出的接口。這個PAD要不要加ESD啊？
第二個：工業上測試一個芯片的ESD的時候 是同時在所有的引腳無論輸出還是輸入加電壓測試還是ONE BY ONE的一個一 ...

! M0 l0 N9 c- K  a4 Q% L我是这样理解的：
第一個：输出PAD也要做ESD保护，否则这个NMOS管也容易损坏
第二個：这是根据ESD测试标准来测试的，引脚由我们提供，测试公司只负责测试；
/ T) M: _9 V  v' E! R        我们选择一些具有一些代表性的引脚出来就可以了，不需要每个都测试；

alai

进入芯片的静电可以通过任意一个引脚放电，测试时，任意两个引脚之间都应该进行放电测试，每次放电检测都有正负两种极性，所以对I╱O引脚会进行以下六种测试：
4 ~3 n) x. f5 c6 w7 ^, @1) PS模式：VSS接地，引脚施加正的ESD电压，对VSS放电，其余引脚悬空；
; F4 g  X( Q1 l' ~# R4 H% @2) NS模式：VSS接地，引脚施加负的ESD电压，对VSS放电，其余引脚悬空；
4 h- T# r" c/ X! T7 H9 n3) PD模式：VDD接地，引脚施加正的ESD电压，对VDD放电，其余引脚悬空；
4) ND模式：VDD接地，引脚施加负的ESD电压，对VDD放电，其余引脚悬空；
5) 引脚对引脚正向模式：引脚施加正的ESD电压，其余所有I╱O引脚一起接地，VDD和VSS引脚悬空；
6) 引脚对引脚反向模式：引脚施加负的：ESD电压，其余所有I╱O引脚一起接地，VDD和VSS引脚悬空。
VDD引脚只需进行(1)(2)项测试

" d1 c: m' X. o应该是one by one 的测试，管脚多的话，排列组合就多，很费时的。

winter_dm

第二个：ESD测试都是有参考引脚的，也就是说某个引脚的ESD测试不是孤立的，而是相对于某个引脚的ESD电压，通常是对电源和地。因此，ESD测试都是一对引脚一对引脚地测试的。ESD测试还有不同的模型，如HBM,CDM等

hvpower

THANK YOU  ABOVE  

csleea

It must be tested one by one.  Or you may miss something?

wesleysung

1. 只要是有跟外界接觸的針腳都要加ESD保護電路
0 I, X4 a" ?' ]& a2.每隻針腳都要測試　一根一根來你可以看JEDEC standard　

xiangxianga396

回復 7# wesleysung
7 D* C/ f  K# l8 ?- Y
第一個： 輸出PAD需要加ESD不  比如 NMOS管的漏端作為電流鏡�流輸出的接口。這個PAD要不要加ESD啊？

每一个与外界相连的PAD都需要加ESD保护，无论是input,output,power pad.
+ Z: S" r4 q+ f+ l$ ~3 J' M, I$ g
0 r- j  Y) P9 a; L) q第二個：工業上測試一個芯片的ESD的時候 是同時在所有的引腳無論輸出還是輸入加電壓測試還是ONE BY ONE的一個一個的測試。

只有严格按照JEDEC 的测试要求才能准确地反映IC 的ESD能力。
" D# a1 R: o2 b- X每一个power pad VS. 每一个power pad;
  B8 ~& B& o7 O5 J' O+ e每一个I/O pad VS. 每一个power pad;
每一个I/O pad VS. 每一个I/O pad

tacopippen

看了這些文章
5 k/ P. q! U4 F! J9 {  m對esd protection又有進一步的認識了

wangdali163

每测一次，都要换新的IC吗？