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[問題求助] LDO DC-DC分壓電阻的疑問(等比例的差異!?)

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1#
發表於 2008-11-14 12:06:27 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
LDO DC-DC分壓電阻的疑問(等比例的差異!?)
+ E2 i/ ^( j0 [. m- y2 n3 u' s
5 l4 D1 A% f* u8 [' T想請問一下,在LDO或是DC-DC都有回授電阻來分壓5 X/ N8 n6 N9 k

+ k- Z- l9 x  o: K5 E. A這些分壓電阻大小有什麼影響嗎?還是等比例就OK呢?$ d$ I4 O8 d; m  U
+ y; b/ R2 ~6 q* M
EX:   R1=200K     R2=100K 和  R1=20K    R2=10K的差異,分壓出來電壓都一樣,那到底如何選用呢?
4 V: r2 e" N! O& A
9 n6 Y5 D: f& [5 b) ~5 l以下是 LDO 的相關討論:
# z6 M) V9 n- qLow Drop-Out Voltage Regulators
+ n! ]+ h1 C; i  I# L, w  F0 }6 b7 RRincón-Mora 《Analog IC Design with LDOs》
) E- }4 \, R2 ?6 K) u6 F9 pPMOS Low_Dropout Voltage Regulator Introduction
3 J3 V9 x) Z: \3 d: U! @LCD Driver 設計術語簡介[Chip123月刊資料]1 ]' B1 S. _# p( s9 T9 {: p8 l
The evolution of voltage regulators with focus on LDO[NS講義]# h! {. M/ \+ e' e4 n
Design of High-Performance Voltage Regulators! X4 V" L/ k2 ?( Y7 j4 o! l! @
请教有关LDO的问题- Z3 \. F9 G1 l: ?

" l; T5 Z" P4 O4 f' |

4 [& S$ I* w! T: ]% u$ `6 S+ e+ a8 R6 A% ?. q: \
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-5-14 11:33 PM 編輯 ]
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2#
發表於 2008-11-14 13:25:08 | 只看該作者
应该是越大越ok,当然也要在同一个数量级上,这点可以从一些产品的datasheet上看出来,
5 E2 q: B+ p( d% n" N! S3 N在spec中一般会有IFB current 这一项。。。0 ]' v' y- u2 [& @5 x1 n7 t: K8 K
其实,你可以这么看," b+ r$ e0 G9 [) ^: K, i* H
feedback电阻和你的output loading是并联在一起的,为了使output得到更大的功率(电流)同时尽可能的减小对你的output loading current精度的影响,要得到100ma就是100ma,而不小于100ma,所以,你的feedback电阻这条支路的电流就要尽可能的小,所以选大的反馈电阻。。。一般IFB current在ua量级。。。。0 `4 O1 a& W) i4 `1 ]& Y/ I
有兴趣加我msn,大家交流交流:baggiodong1982@live.com
9 i# u1 L3 s8 E2 |' w0 I" b
2 `! A) [" k7 _6 r/ V[ 本帖最後由 baggio 於 2008-11-14 01:27 PM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2008-11-14 15:36:41 | 只看該作者
那分壓電阻有VIN到VFB的R1   和   VFB到GND的R2   這兩個R1,R2要那個大比較好呢?
4#
發表於 2008-11-14 20:24:02 | 只看該作者
范围在几十K到几百K,太大费面积,太小耗功耗!
5#
發表於 2008-11-15 09:09:22 | 只看該作者
原帖由 semico_ljj 於 2008-11-14 08:24 PM 發表
* O5 O# t4 D$ k) m范围在几十K到几百K,太大费面积,太小耗功耗!
" t" a* Y# j% s8 [# h: H1 U

. O) G. U3 y: Z  \费面积?会费多大?在pcb板子上都是贴片电阻把。。。
4 U( X/ f- B  a7 w" m8 \楼主意思应该是在pcb上,而非集成在电路内部。。。
6#
發表於 2008-11-18 22:49:11 | 只看該作者
面積、功耗的trade off。取值太小會影響功耗,取值太大會增大面積。6 Q5 l! u$ k3 x  X
一般幾百K左右。
7#
發表於 2008-11-27 02:40:42 | 只看該作者
我之前上 ntu 陳秋麟老師的 power ic
$ B7 w1 \- ]# W+ q' [5 w$ A) Q. I4 E9 i3 o" N) u. ~6 m; {6 ^5 I. C
有說到電阻值並不是越大越好.. 詳細原因我不知道..
$ O" A4 b8 ~" {0 L5 }& x
; b. W% Z+ K# u* o" w5 Y* t雖然以公式來看 效率等等會越好" l9 q: g! i: G! u! {: D
6 p+ s) k# [# l1 A
我個人感覺(純猜測)  當電阻十分大時3 q6 l, p2 R7 f0 B2 I
; K' \/ O, F) h. y: W9 j
流的電流會非常小...,然而小電流很 sensitive
5 Q& H" w7 M2 [' i# D0 N
/ S3 ^7 z/ u9 l" L% k" C9 g導致LDO輸出端,十分的敏感。.....+ E% m+ B% I0 ^, H; g

) Y  V% t% K2 I: L, K* r  m- @2 b
( ?' v& k4 V1 A8 d9 E  G2 K純猜測...
8#
發表於 2009-4-29 14:36:02 | 只看該作者
取值太小會影響功耗,取值太大會增大面積
, n+ a+ S# w- v$ J另:. ]- w5 A! D1 t+ Q- t6 L
FB電阻太大會不會產生很大的熱雜訊?
9#
發表於 2009-4-30 22:51:43 | 只看該作者
thermal noise從output端去看應該還好+ q+ @, I5 J  y# i9 B* e( \4 s
因為外面有掛輸出電容noise power會變成KT/C跟電阻無關8 W, c" Z1 ?* t) U( l. g$ A* b
不過下電阻沒掛電容直接進入feedback端的noise就要看LDO整顆的loop gain來決定能否壓的下來
# w2 ~! O, ]* m/ Y/ s) K) C$ d( Z
( X3 s' i6 a6 k0 N其他就和大大們說的差不多
3 u# w3 S! L4 N+ }太大 占面積/ Q7 u8 s% f. Y+ i8 U( M- n
太小 耗電流
7 Q" y* `# d1 [  A$ A7 L6 F1 p2 c
6 C- c/ |. a" Z6 _2 e) ^不過太大 還有一個壞處 就是low load時頻率補償較不容易吧.
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