带隙基准电路

airy123

现在有一个现成的0.6工艺设计的带隙基准电路，性能挺好的，现在要转换成0.35工艺，请问该电路哪些部分需做改变？
若是电路结构不变，需要调节哪些器件参数达到类似的性能？
* `% Q2 T  k$ ?. m& \请高手帮帮忙！
) C) x  V# ^3 h电路图如下：电流镜型二次曲率补偿的电路原理图

finster

如果是0.6製程換成0.35製程,若架構不變,以Bandgap reference電路而言
要留意的應是電阻的溫度係數和BJT與MOSFET兩者的溫度係數變化
6 Y' u+ T4 g% H  Y因為不同製程,它的機台和製程參數也不盡相同,以Bandgap reference circuit這類以溫度係數為補償的架構
所在意的是各個元件的溫度係數變化
9 }- `4 c/ Q2 ^4 x故而,跑一下溫度的變化,然後微調電阻的比例值應該就可以了

hujiaomianhao

电压应该也要变吧，那宽长比不用变吗？用.35工艺的话，工作电流不用变化吗？

finster

我以前曾把0.18um的Bandgap reference電路直接用到0.13um的經驗
9 y# h2 _3 q- y1 c: H  x因為我們在設計時不會用到minimum length,所以,一模一樣的size,只是改SPICE model和工作電壓由1.8V變成1.3V
; c) F3 o+ W/ f! l) c* ^7 h& n' x結果模擬出來的溫度特性和電壓蠻接近的,只需微調電阻的比例值
所以,我在前面才會說若是原本的電路已設計的很好,那由0.6um變成0.35um,其實,出來的結果應該不會太差才對,所以,若出來的電壓和溫度特性沒有很大的變化,那大概只需作微調應該就OK了
, v* ^8 u9 m0 q如果還有考量到size,那應可再等比例往下調

airy123

很感动，感谢各位帮忙分析，学到了不少，我会努力试试的。
4 z' ~# \- ~7 `# N2 g! Q谢谢！

semico_ljj

呵呵，0。6到0。35还是有差异的，如果L设计2um以上，差别不会太大！

semico_ljj

还带曲率调整，精度较高，将来调整起来要小心啊！。。。

fmgay

不需要怎么改动，最多改一下电阻的大小就好了
' Z. G2 x) ~" R5 I, j+ q6 T+ T5 p' I想问一下楼主：原来bandgap的最低输入电压和输出电压分别是多少？

semico_ljj

前面为什么说L要>2um呢，因为2um大约是0。35um的6∼8倍，这样L的调制效应会比较小！

semico_ljj

还有电源电压要保持一致，如果电源改为3。3V，那么就很麻烦了！

我也不知道

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minijasmine

偶尔路过，一直看下来，受益匪浅。非常感谢楼上各位，呵呵

mixsignal

怎么看不懂这个的原理呢，是由什么来产生带隙电压啊，有明白的给讲一下好么？