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[問題求助] Layout 新手問題!!

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1#
發表於 2008-5-14 15:21:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
inverter 製程 0.187 o2 V/ ?7 f. Z; X

) i" M( a2 V) ]2 j' c( d: j# Y& {---RUN DRC----------
# p  I  \1 p2 J& U- d' H出現error3 h! d& w1 I: ?7 `& u; w$ F; W7 T: u( t
8 `% @8 o6 S( S+ B/ _* q
1.CHECK OD.R.1WARN -2 errors& N0 r1 S( }$ y% X7 p
(OD WITHOUT IMPLANT)) {& u, @& U2 p6 h  t- Q
3 y/ `! G& A3 J9 Y; |! |
2.CHECK M1.E.2- 8 errors
7 b3 J0 _7 F8 t( ]' n# m# \4 rM1.E.2(@Min extension of M1 end-of-line region beyond1 T8 k* E7 W: G: c9 j
C0 region is 0.06um X = ENC[C0] M1 < 0.06 ABUT < 90 opposite2 O5 f& w, J% \- A. a4 o! U; t
INT x <0.22 ABUT == 90 intersecting only)0 X5 b' o5 X* M, z7 V9 s1 A9 P6 W

+ R, p) |8 _' l! W6 G3.CHECK P0.R.3 -1 errors* W+ l1 m# `& e+ E$ e
Poly area coverage < 14% (exclude application forindactor)
  K  t; }1 h4 }$ DCHIP_NOT_IND = CHIP NOT INDDMY: @. M( \8 n4 S: ]
Density polyI_NIND CHIP_NOT_IND <0.14 print4 J- q3 t/ T; r7 f$ S, |* O
AREA (POLYI_NIND) / AREA (CHIP_NOT_IND)" T: {& D' R8 t% x7 E, S& ?" ^
.
' }; u& K) K2 h; E) |# ]1 E; v.
) y9 R, F  f9 z  w* v; v& X/ `  ?% D.! ]( P+ L, h  P
類似錯誤
- a6 l( W7 Y5 M' K! {' i% q5 T  n  O$ U: g" r4 U# Z/ n+ t2 r
1 N$ U- e/ |! |# b
8 F& N1 g) y1 O7 |4 G3 N9 H/ p9 a3 a2 }
# {2 C; V; _3 N( k$ h0 p6 p& b
1。因為標錯誤的圖示實在找不到,無從下手,都在亂猜,所以上來請益,7 ^6 b7 G- z5 g6 Q9 ~2 V0 T
希望可以指出我錯誤的地方跟改錯方法?
. d% X1 ^# e- y7 S! L3 tex. diffusion :gate 的寬度不能小於0.32 之類的2 A5 d, W: u  j/ e
2。是否有專業解說DRC error的網站?可以提供給小弟精進,還是一切
. L4 e- Y5 X( B& p6 ~都是憑經驗
) Z5 D) ?9 E  f) F% {8 {, u+ C2 j: F" t# l3 f' [" ~7 W+ r* k( R
初次發問,得罪的地方,請多多指教。
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2#
發表於 2008-5-14 16:14:06 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

1.是OD外圍要圍n implant or p implant8 C6 i1 l; P( H- @4 D) G
2.是左右MT1 extension co 需0.0um
$ \- T3 {' d  t! N8 ^( u3.是Poly area 要大於14% (就把他話大超過14%就可以了)2 \. L" T* G  K% z3 l( i) R: a9 {
我覺得應該釋這樣解釋!!
3#
發表於 2008-5-14 19:05:42 | 只看該作者
建議您可以先去看一下IC製程的流程
! j3 M6 q5 ?/ H5 z, A
: y9 S6 L0 v% ]$ R這樣子在Layout 時會比較有感覺
4#
發表於 2008-5-14 19:26:12 | 只看該作者
撱箄降���foundary撱��靘��design rules paper憒�迨�冽�error���瘥�����閬�
5#
發表於 2008-5-15 03:10:27 | 只看該作者
感覺您mos是自己建的?
" ]6 T$ P: _1 r2 q; C$ @1 I6 [第三個coverage 可以忽略
3 o( z8 U( l+ x* j要下線時再解決即可
. `6 K! @! C7 \, |' U! [9 Q- [9 O; F/ Y( i* D
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...
! w. p: m  k7 S6 |4 U! l) d) e' R應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
6#
 樓主| 發表於 2008-5-15 04:45:40 | 只看該作者
原帖由 Shouwei 於 2008-5-15 03:10 AM 發表 # l# _5 @/ S) \. ]. s! p7 N
感覺您mos是自己建的?0 b- `4 r7 T% ~5 ^( J, I
第三個coverage 可以忽略
7 y  B# j6 L; p1 E' K. R! C要下線時再解決即可: e% l# W  j/ m+ t- }

4 B# a( }5 P' r9 q9 n: }7 W/ X9 Vlaker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...* g% W7 _  b) X; G: y
應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
5 ^& d0 E! z# j( n0 T

8 I0 A1 X( w3 V' w1 z
( O2 Z/ H# ^9 ^" Q+ [! F2 fmos 我是用模組,create -> trainsistor -> pMos 1.8V 這樣' b/ L; x' U" ?* @5 }
0.18 um 我不曉得是不是 poly的寬度 。他有預設0.18 um  D4 v! N' Y0 u
感謝你的回答,我又多了一個try的機會,往正確的道路行走。
7#
發表於 2008-5-15 08:41:50 | 只看該作者
是呀,點18製程,當然poly預設就是最短的length,0.18um( Q* e4 a: J; g& [# G
=============================================" s$ e" S0 v6 T3 H' N1 `6 h
今天cic 有開放線上e-learning- n# P9 A+ P( c" Z* P' p; {
趕快詢問您們lab的管理員
) _( y3 Q2 V7 J看有沒有開權限給您(要先加入cic會員)
/ @. }$ q1 |# }: V3 ?裡面有教laker、full custom design concept, Q& z) P- ?5 o* u
亦有hspice,都有一些不錯的技巧
9 ^5 t! u2 o7 x! X) K) e# `要趕快報名唷,晚了就向隅了,呵呵
8#
發表於 2008-5-16 18:57:47 | 只看該作者
建議看foundary廠的DRC paper,這樣在找error時會比較有感覺。
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