mos的導通電阻要如何求得?

averyer

各位前輩~
# l: Z7 ~3 N9 w% E% Q
, S$ o+ n0 N+ B我想請問一下∼mos的導通電組要如何計算?

; W8 @4 v! Q! s+ @0 _( o* F我有看到之前其他人的發問~但我不清楚vin-vout/i是什意思?
: ?" v1 ^1 }' m
因為一個mos的vin,vout分別是指gate,drain嗎?
7 Z, c' W+ g- i# {
print指令是要如何下呢?

麻煩各位前輩幫幫忙?

skiptoo

一般，当mos工作在线性区时，我们可以利用它做成模拟开关 此时的vin,vout 应该为Vs OR Vd
& p6 {! J7 w4 C在Hspice中也可以利用 Expresion来做
. m% L8 Q- R* Q3 m+ ~  F& O我也还在探索中，如果有正确的 请大家指出来

finster

舉個例來說吧
假若是用P-type的power mosfet
那麼,Vin是接到Source,而Vout就是接到Drain,反之對NMOS則相反
如果這顆PMOS取作MP1
則,要計算它的Ron電阻
.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))')
這些指令,在SPICE使用手冊都有,查一下就會知道了

averyer

謝謝finster的解答~我已經順利解決了這個問題~非常感謝~

jerboa123456

請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先求出電流的平均值，再用 vin-vout/i 這個公式，不知是否正確

finster

原帖由 jerboa123456 於 2008-4-22 10:58 PM 發表
6 u& u7 U5 X0 r. g+ o請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先 ...

5 i( H' u8 B0 U! F; A  ]  g  V

% w! T$ o, d5 w使用.print PAR的這種方式,比較適合用在.dc的方式來看Ron的值
6 b$ L* f5 }8 ^4 n如果你想避掉電流毛刺出現的問題,建議你改用.measure的方式會比較適合,同時,改用.tran的方式來作模擬
$ G4 L% B5 g! X. n, C* i$ j理論方式一樣,利用V=IR來計算出Ron電阻值,不過,此時所計算出來的電阻值會是只有Gate電壓時的電阻值,而不像.print PAR那種方式,可以看到掃Gate電壓所看到的各種Ron電阻值的分佈