mos的導通電阻要如何求得?

averyer

各位前輩~

我想請問一下∼mos的導通電組要如何計算?
+ I% V) g7 o' n' ^
  R- b- l. E, k/ l  h/ {3 p我有看到之前其他人的發問~但我不清楚vin-vout/i是什意思?
- x5 ]+ k0 ~2 a9 a: f; q! v' n
- Q* j9 V0 G. w& e9 q% ]因為一個mos的vin,vout分別是指gate,drain嗎?
& |0 Z$ f4 p0 _% n6 d4 ?, {
print指令是要如何下呢?

% Z6 G  }; }2 N) l" T( h3 u麻煩各位前輩幫幫忙?

skiptoo

一般，当mos工作在线性区时，我们可以利用它做成模拟开关 此时的vin,vout 应该为Vs OR Vd
; r% P* N  t" O5 X+ ]; I# g在Hspice中也可以利用 Expresion来做
我也还在探索中，如果有正确的 请大家指出来

finster

舉個例來說吧
假若是用P-type的power mosfet
那麼,Vin是接到Source,而Vout就是接到Drain,反之對NMOS則相反
如果這顆PMOS取作MP1
  p, X% Z* i4 Y則,要計算它的Ron電阻
3 W# T) O; S9 g1 M* k; A.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))')
7 {  j2 x- s* X$ F這些指令,在SPICE使用手冊都有,查一下就會知道了

averyer

謝謝finster的解答~我已經順利解決了這個問題~非常感謝~

jerboa123456

請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先求出電流的平均值，再用 vin-vout/i 這個公式，不知是否正確

finster

原帖由 jerboa123456 於 2008-4-22 10:58 PM 發表
; Y! H- F$ G5 z9 _0 H2 u' Y2 k請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先 ...

  Y, m2 s, Z7 `, `3 f3 D* V5 l

使用.print PAR的這種方式,比較適合用在.dc的方式來看Ron的值
1 {" Q4 \, |6 M3 [7 R* S" B& \6 U如果你想避掉電流毛刺出現的問題,建議你改用.measure的方式會比較適合,同時,改用.tran的方式來作模擬
# V, z" W) f/ R7 |7 C理論方式一樣,利用V=IR來計算出Ron電阻值,不過,此時所計算出來的電阻值會是只有Gate電壓時的電阻值,而不像.print PAR那種方式,可以看到掃Gate電壓所看到的各種Ron電阻值的分佈