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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
^ @% H' x) v9 _, \, B我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
" o% t: i. k- D7 q: C2 yPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ Z6 M8 n) B6 Y/ L. n
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況* C7 x" C' ]7 y& R3 J6 B2 N9 U
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊/ r. Z8 C# u: N' s7 D
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ' \; [4 d/ s7 [# n, `
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重" D N2 Y8 ^) ~. y t6 I- U, X3 q
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 p: k0 J3 R6 W/ f& PCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
/ u0 g# @& _7 E, f' V* i6 S) V1 b( l5 j- N: |! u9 B3 b) c6 {
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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