|
2#
樓主 |
發表於 2008-3-30 16:34:52
|
只看該作者
提供一個之前用的方法,
, \6 J" a& f. a/ |6 d由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), 5 ?8 r- o$ o, s+ v* ^, U
ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS), q) H4 |* \& i# l) i
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,! X- X! U- ]8 @' V4 O) O$ ?6 J
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値: S/ i6 y) X! n/ ]* f
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
: \& @2 [; g% U1 T) W$ U在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]: H& W8 _5 @4 p) s) j
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)1 _ Y7 Y+ q) @9 n- C# i
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
1 Q- |. @7 M* q% J5 `( _3 ^7 v將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
: d3 s4 s. Q( H7 i9 f6 NKP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
7 U1 I: ^& P$ |7 y8 o# f = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)] |
|