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樓主 |
發表於 2008-3-30 16:34:52
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提供一個之前用的方法,% {! b& `8 O4 N3 e. b5 i) ^
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), , S6 `- V2 U: A% o! t' O, ~
ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
4 r6 K3 X5 L, k/ M. M! a+ v在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,7 O' y$ {6 c4 g+ y# c/ x( [
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値% r4 o% T1 g, A2 c
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
% m3 m @7 i9 {7 w6 L# b; d在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
0 _/ ~9 ~) U. Q8 p N% T% P由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)! o4 T- L( i- L& u) F
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)2 C! B% u$ j" A
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值8 o4 V2 I* p7 m+ ?4 ~7 W
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
* v1 J, g! [) g = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)] |
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