請問一下mos的臨界電壓vt?

andywu

通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve
7 X% P0 c, \9 w
但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值
2 m+ M& b/ S% A9 \$ s
供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化

, r4 O) g( k/ O# q/ h8 u. m這樣的話大家是怎決定的

andywu

對了尤其是PMOS,飄移更多

NMOS還在0.75左右
/ F: V- y* ^+ K2 Z# L
( w7 R# T* Q% D4 g5 K

monkeybad

對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動
3 R% Y+ X  X( _- K" K0 X最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U
這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同
所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應
9 C: V; z6 a% j& e; C1 B/ u課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣
/ E% s) A' y1 E8 Q4 F! E2 {$ @) O一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常

gimayon

不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...

ssupinma

在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同
氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt
( ^5 b8 ~2 V3 k* U+ V& `從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能

; t) z4 l3 a9 g, k4 a( }. F0 @查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth

andywu

因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦
# c4 m, y8 Y8 y5 Y7 b6 L2 L
model file要看哪一項目呢?

alab307

Vt 沒有一定的定義
7 l2 M9 W* L3 D而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題

"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"
0 w2 _; _1 S) Q8 R% p9 \6 ^3.3v 遠大於 0.7V
& D& j$ ~, E" l6 Q( S其實不用太Care
) ^* h, {6 N# z* ^1 Y: n- s
! X3 s! }$ g. d! _VT對你的電路真的那麼重要嗎?

122013137

所以说模拟电路是感性的~~

liangshangquan

因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變，design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響

k9966809

+ D# [# I4 F: t+ c6 R! q感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~

engineer

VTH本來就是一個變數，不是嗎？