how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.

5 S5 U5 F1 f! ^
in the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?
/ N. x( Y" B- r, P5 g6 K
thx

[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
! E# \) H* U: N0 b! a% X( d一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
  e0 ]% y6 z3 P如果要用精準的話那建議採取poly電阻

以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
) r* u9 \" Z# u4 S. \" O以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  

參考看看囉~~

laurence

What do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
GCNMOS not look like your picture circuit...
4 a  g& \! L( {0 S+ r0 C# M3 mGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
/ G0 {7 a" z+ i6 aNormally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.
6 G, q' o9 v/ Z; N, d: [+ d
For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...

, E( F0 }; K- P( F1 j/ `- w8 |BTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
Does GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
Any idea to exchange?

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
" G8 K" ]' K1 {& m大面積的話  GCNMOS 比較好
但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
& Z* N: V# M) P" J/ `Power 會動的很厲害的話會漏電.

4 f, k' j$ D0 A: [是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
請問一下,關於GCNMOS ,
0 d/ a# N' R- q# d, M5 l2 QPower 會動的很厲害的話會漏電.
. [0 S9 }7 Z% W
是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

; @3 [' R1 z( ~0 E8 Z7 d
是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
What do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
$ [8 ?/ K7 Z! \8 o4 Y- xGCNMOS not look like your picture circuit...
( b1 n' s3 Q4 v( h9 H8 ?) J4 d1 cGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
& J/ K! u& K2 t" d/ k, gNor ...

3 |# E2 c% u, H$ `; q( h
* y/ A1 O* T; p4 A* V7 l不知道你使用的是什么工艺？
我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？

; g8 ~3 y3 U) y9 H) I是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！
, H; a6 k; _: u/ p( s. {
延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！