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[問題求助] BJT 照 EMMI 會出現亮點嗎??

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1#
發表於 2008-2-21 09:53:35 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問照EMMI (微光顯微鏡) 時
5 l' c5 n% S$ S# F' B在工作中的 BJT device 一定會出現亮點嗎??
6 a4 F# ^+ H! Y- B  M; S6 B7 Z5 R+ e/ F(即使該BJT電流只有 數 uA)
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2#
發表於 2008-2-21 12:38:32 | 只看該作者
不會, 應該要電流過大(mA)等級% J3 a5 ?8 A1 f0 _" ~% l3 X
才看的到,  換言之有亮點必須區域中電流大於其他地方就看的到
3#
發表於 2008-2-21 14:01:58 | 只看該作者
1. 一般 1mA 以下會考慮用 emmi,如果是 1mA 以上,偏壓方式又許可,有方便好用的 LCD,為何不用,當然 FA house 的 LCD 不佳,不建議使用,這裡指的 LCD 是 foundry 裡的 FA Lab
/ d( m+ _+ N- d: J1 m* _; o" l2 M3 S* s2. emmi 原理為熱載子或電子電洞結合, BJT 發光機制屬於後者,焉有不發光之理,老實講,只要 1uA 以上就不要放棄; E, ^4 q/ t, i+ R" K( b2 V
3. 當然電流越小,做出亮點機率越低,這還得看你的 IC,如果你的電路單純,其他電路漏電也很低,那麼就有機會做到,如果其他地方漏電很大,亮點就會被忽略,注意,emmi 會主動式發光,要發光的話它一定會發光,只是操作者在操作機台時,他會調整顯示光的敏感度,如果整個電路發光情形很普遍或嚴重,那麼他自然的會把敏感度調低,因此若是低電流所導致的發光就會被削減了。* ]4 W! u% I( s
4. FA house現在有出 InGaAs detector,經實務比較,確實有很高的偵測率,對於 uA order的電流,有更高的機會偵測,只是這時就要考慮 cost 與值不值得做的問題了

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yhchang + 4 回答詳細

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4#
 樓主| 發表於 2008-2-21 18:57:19 | 只看該作者
我目前的整個耗電為 100uA ~ 2mA
( F- U  }  c- {# Q" l而整個面積為 18000umx950um 而BJT 僅 100x1001 A, k: M3 x% Z) k
而照整個chip (p-sub 那面) 看得到有某些區塊發亮5 @2 A+ f( V7 E$ ^- \9 W
再zoom in 進去照, 發現是BJT發亮$ a; K7 d9 q' e2 d( a2 c  [
因BJT僅 數uA, 故想請教各位大大, 0 f. l5 }6 u3 ^7 o% D+ \9 p9 Z
BJT的junction 電流是否會被EMMI顯示出來??  {" l: X) T" e/ b3 D

( P9 {$ V4 [! {. C) i謝謝
5#
發表於 2008-2-22 11:28:43 | 只看該作者
當 IC 照 emmi 出現多個亮點時,就必須請 designer 判斷亮點電路是否在操作時為開啟狀態,進而判斷亮點是否有意義,並不是說有亮點就代表異常,一般人以為只要 MOS 開啟就會產生亮點,其實並不全然正確,可以確定的是,當 Vg 約等於二分之一 Vdd 時,熱載子效應增加,substrate 電流也增加,此時有極高機會照到亮點,你的 IC 電流雖大,但如果 MOS 的 VDD 等於 VG,反而看不到亮點,反而是屬於電子電洞結合機制的 BJT 會看到亮點,即便只有幾 uA,尤其你是用 backside 偵測,偵測敏感度更形提高。不知你是否是用 CCD detector,如果是,看看它偵測波長的範圍,你就可以發現到 CCD 涵蓋的波長中,電子電洞結合的發光機制是它主要的偵測來源。總而言之,只要你的BJT是在啟動狀態,當然就可能會有亮點。

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hawka + 5 Good answer!

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6#
 樓主| 發表於 2008-3-3 11:15:30 | 只看該作者
根據該公司的網頁, 應該是CCD detector
6 r1 ]; p" w6 z0 W" [- X7 L6 y, a不過該公司說明 "假錯" 是當 BJT 在飽和區
4 }% q) U6 R+ L而我的電路設計 BJT應該在 active region, 這樣也會嗎??
$ \8 P; Z7 y6 M' {另外只有九宮格中間的BJT有亮點, 周邊八個BJT無亮點(或說被濾掉了)
; ?* M8 E% x2 [& B/ {(周邊八個BJT的電流為中間BJT的1/8, 我推測應該有影響吧)
% n- V/ C3 A( ?. R$ V謝謝阿光熱心的指導
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