MOS的finger和mutiplier

billcheng

請問各位老大
, A; C" P  S" a+ w! X6 C2 F
9 @  \3 X* A' B  @  ]若應用在LDO的powerMOS
4 `9 ^+ ~, m$ r0 D
1 r+ ~  v! \; h5 S4 H, b使用MOS的finger和multiplier 有什麼差別(我只知道finger 較省面積，寄生電容較小)

; o; G! ?5 y# h* V  b8 d9 W; y例如電流會不穩嗎?? 或是會有漏電流....等情況

  Q: ?& Z" @# N$ I1 @若用finger，那選MOS的width 和length有什麼特別需要注意的??

例如L不能用太小，W不能用超大 ??
4 L6 o% s/ S( }; H. J3 @
謝謝大家

jackrabbit

finger 跟 multiplier 的差別
# o3 z, M& m% O% n* y3 z3 ~前者是 S/D 共用, 後者是unit mos 然後duplicate
; L' m1 [1 f3 x6 Z如果很強調matching就會用multiplier
finger的好處就如你說的沒錯
9 Y) M" X3 F+ P5 F8 |% R  X
; ]8 P. \4 |; b# D# }至於當LDO的power mos
因為size很大, 反而需要考慮的是device issue
像latch-up, ESD, over-stress, 這些layout上都有技巧~
如果有over-stress的考量(需要把device 操作>Vds耐壓條件), L 不建議用minimum值
& y2 R% _* O2 [$ D1 f, J至於W, 長度不可以太大, 主要是怕ESD時 turn-on不完全
& v* ?2 a0 y6 ]7 S- N( o: d另外, S/D 拉寬, cont/via 打滿, 降低接線造成的寄生阻值
; H+ [' d1 l3 F% c諸如此類~

finster

補充一些:
6 j7 }$ t4 a5 I% _( u% o一般來說,LDO的輸出會出PAD,故而LDO Power MOS要遵守ESD fule,所以L不會是minimum length
0 j. Y1 C: ~& |5 }# d: K/ L而是minimum length + (0.1um ~ 0.2um)左右不等
至於Width, 也通常不會太短,至少都是大於15um以上,小於約40um以下左右不等,會有這個限制其實也是因為ESD performance的緣故
且在Layout畫法上,需遵守ESD rule來畫,在Drain or Source端需加特別留意,加寬pick-up藉以拉遠Power MOS和相鄰不同type device,避免latch-up

empatheia

回復 3# finster
9 e- `9 Z, t; B0 p
9 i/ C( j6 C* b% }$ Z( J1 `真精闢，謝謝版主的見解與分享

ninja0925

說得很詳細的一篇

謝謝分享

e100292002

感謝版主的回覆仔細 收穫頗多