|
用transmission gate 模擬電阻約40k
/ K) [' y1 V6 g1 C(附上HSPICE)
2 d5 G! q4 k8 M3 N0 j# {# j2 l4 m2 W/ |* D" i' A- i5 N
Mrn vi vdd vo gnd nch5 l=3u w=1u
~( k1 B6 l$ ^ K* bMrp vi gnd vo vdd pch5 l=3u w=1u
7 X6 V3 d' q8 k4 d2 {7 p1 d* W' q% b$ X F0 W+ i
vi vi gnd dc 3.7v: H( {7 {7 u( K* s+ j
vdd vdd gnd dc 5v
7 U+ W% V% s* U5 f.op- ~, n0 v0 S, q# R* I% |
.option post* Y5 Q1 p5 t* s- S
.dc vi 0 5 0.01
7 n' @& x0 [/ f: O$ c# U.print |(Mrp)|(Mrn)rp=par('1/lx8(Mrp)')rn=par('1/lx8(Mrn)'), A( J+ @& @$ T8 P) L4 u H& m
+req=par('1/(lx8(Mrp)+lx8(Mrn))')% @' {; O- G# Z G5 u! R
.end* M8 s6 A) h9 _! E3 V! r0 y* q; s# f
* z& z( X' K5 D1 x j- r************************/ C" T4 H" M6 v/ j& E
問題是VI灌3.7時,發現MRN會進入截止區
9 Q4 @0 U/ |: L1 K但....模擬圖還是顯示R=40K,請問這種T.R電阻還可以用嗎?還是兩個MOS都要在SAT區? |
|