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[問題求助] transmission gate 電阻問題

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1#
發表於 2013-5-19 09:47:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
用transmission gate 模擬電阻約40k
/ K) [' y1 V6 g1 C(附上HSPICE)
2 d5 G! q4 k8 M3 N0 j# {# j2 l4 m2 W/ |* D" i' A- i5 N
Mrn vi vdd vo gnd nch5 l=3u w=1u  
  ~( k1 B6 l$ ^  K* bMrp vi gnd vo vdd pch5 l=3u w=1u
7 X6 V3 d' q8 k4 d2 {7 p1 d* W' q% b$ X  F0 W+ i
vi  vi gnd dc 3.7v: H( {7 {7 u( K* s+ j
vdd vdd gnd dc 5v
7 U+ W% V% s* U5 f.op- ~, n0 v0 S, q# R* I% |
.option post* Y5 Q1 p5 t* s- S
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7 n' @& x0 [/ f: O$ c# U.print |(Mrp)|(Mrn)rp=par('1/lx8(Mrp)')rn=par('1/lx8(Mrn)'), A( J+ @& @$ T8 P) L4 u  H& m
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* z& z( X' K5 D1 x  j- r************************/ C" T4 H" M6 v/ j& E
問題是VI灌3.7時,發現MRN會進入截止區
9 Q4 @0 U/ |: L1 K但....模擬圖還是顯示R=40K,請問這種T.R電阻還可以用嗎?還是兩個MOS都要在SAT區?
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