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本帖最後由 a5317 於 2013-1-31 01:27 PM 編輯
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想請問各位大大
- g: Z0 p: w5 [" n" F$ C# i p& |0 k; @! _- {
我是用TSMC 0.18um製程 設計bandgap再跑製程變異時，若電路有mos和BJT是要跑( EX:MOS有5種變異 BJT有3種變異 所以要跑15總組合!?)
) ^+ e' w: I/ o. K: @9 C( |, x. v2 ~- d x
還是直接跑一起跑 TT SS FF之類的。
" d; K5 F, ~5 T& r3 y# K2 Y$ j1 u3 G, _- ^$ m4 `
小弟我有跑一下製程變異但有一個問題就是 請問在各個製程變異下 每一個VREF曲線 本來就會上下偏移 是正常嗎? 因為我以為會很接近7 F, g5 Y* S7 @5 y8 v, W
2 h# s% I0 T, u9 U
但是有約有50mV的偏移。
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0 T8 a) x m2 N6 m+ L這是mos及bjt一起跑ff tt ss 的圖
: A! {3 y9 Y& E想問這樣是正確的嗎 |
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狗仔卡
發表於 2013-1-31 12:53:43
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