弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
) Z9 ]$ M( f& b2 h    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??

      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
8 d6 u. D0 x6 K" @. Y    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
1 a5 R, c* y+ ?8 h    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??
& Z- T$ U# |+ \& x2 d
1 |& C- M1 r, T1 H. E) A      請各位好心人給意見^^謝謝

billlin

想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
o代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
# S1 d. ?5 e, [2 v9 p$ Oo  X  o  X  o
X  X  o  o  X
o  o W o  o
+ v' S% B+ U' Q: w5 AX o  o  X  X
7 t6 s# x3 R% ]8 b  i: ^o X  o  X  o

billlin

weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)
strong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
所以直由公式直觀的算,
7 R  Z9 ]) q, s$ w$ S. b假設gate driver = 0.2V ..
要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電

YuanII

謝謝大大的回覆@@
小弟大概知道意思，
謝謝。