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本帖最後由 lchuang 於 2011-8-3 03:52 PM 編輯
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- o2 K6 v) T- p& Z/ A先來討論一下所謂的Vds(sat)：
2 o. Z: l3 Z; [5 z( A* \0 \8 `+ g. j+ u5 z D
你試著模擬一個固電電流源，如一顆PMOS~~~~S接VDD，並且G跟D互接然後掛一個電流源(ex,20uA)0 e( g" j. ?: B9 N/ k i' c
6 [$ h1 ^4 h: m2 z* A- ^
W/L可以先固定一個值(ex,5u/1u)，然後觀察這一顆PMOS的vds(sat)~~~~接著把電流源加大至40uA+ z C& ~) H k) |% ~. W! f/ B4 k2 s
; ]+ N2 ^" o0 {- J- }9 w/ L
然後你就可以看出Vds(sat)會明顯得拉高.......) T6 ^6 S# C$ k5 R8 X
( x/ S& D6 K2 {7 _" e2 Z; w
至於所謂的vds(sat)其實在我來說，它是一個滿足MOS進入飽和區的條件式而已........
: q; t8 j5 l+ M& \4 J9 L4 Z/ f. O: K" m
而所謂的條件式就是Vds > Vds(sat)，一般在我的設計會讓Vds大於Vds(sat) 0.15V左右~~~
6 S% U5 L A C/ y& {, s2 C6 t! q7 c0 i; _
那麼Vds想當然爾是越大似乎越好........其實Vds越大或許比較好滿足MOS進入飽和區來操作......2 M3 B# @# P# Q G" ]
1 C! g. w8 I- B7 H, z$ Y1 ~0 ]問題是它相對壓縮了電壓的輸出操作區間~~~~~所以囉.......6 H; @8 p3 w( N2 p( v
2 I4 `8 S8 M1 C- O* A& V一般設計電路，以一顆OP來說......要看DC操作點看的不是OP本身的MOS偏壓，
4 V. {( ]' T$ R1 Y- \" }
" a+ D5 p6 G0 b; F而是給OP做mirror電流的"偏壓電路"本身，它才是決定這一顆MOS是否符合所設計的輸出電壓準位~~~~
* o! ^& C8 `9 j( U6 C- K2 O: @6 p0 S( F/ i! V( K! H
以上是Vds(sat)跟一些電路的少許觀念...........
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/ w; Y! o8 A( ~# n, M! K4 y5 K8 W( _================討論M5 start-up 分隔線=======================3 W {; |+ z1 O! {) h7 i) V. k
7 Z" N+ u# k2 m一般你要模擬所謂的start-up MOS，以你上面電路為例，當你不加入M5這一顆MOS的話......
0 T# d: d& V. O9 `- ~1 G# v
$ d% G3 y, `2 Y+ [7 I你可以在spice檔內下一個初始值的指令，: V2 t1 [1 S% l" x
! o1 o r0 c( V+ f! }8 {4 u我們先假設M3的G、D與M2的D接點為"QQ"，M1的G、D跟M2的G接點為"AA"% \5 \/ x n! a! E& I3 Y( V- _
! S' B+ r* \1 {& {
然後在spice檔內下".ic v(QQ)=VDD v(AA)=VSS"~~~~~~6 C1 q& y/ x4 C% P9 G+ J! S
0 N/ S d B1 ?: E8 B: B6 Q
你就會發現你的偏壓電路的MOS都在cut off階段~~~/ J' C& b* ^; ]4 O
# W! e0 |/ B, u. r
接著你可以加入M5後再來模擬，你就會發現它會慢慢把"QQ"這一點電壓往下拉到一個正常工作點.....' l2 t8 j+ c: q7 |# L. k
' X6 S% k, G1 F- e$ G/ O" s+ H這個模擬其實是一個real case會發生的狀況，因為在IC內部一般不給電情況下......
2 g( s% L2 E9 c3 i( g7 Q# i* q$ v& W+ `
每一個節點都是"unkown"的，那就會有電流起不來的狀況......這一點你可以好好去想一下~~~~! z. x' Q) N7 t& {2 g. Z; U
" G- M6 R0 @' t' k9 [, H2 H=====================================================
7 `. _% a R9 p- [9 g0 w
# Y% Y) [# r4 `0 |/ ?, A; i" }你的M5的接法似乎會影響到M3的Iout電流.................似乎這種start-up只是很單純的一個
4 a C" I: Z2 J* k+ r' v t, E
2 I$ f# M1 V) O- q"weak pull low"的方式..........但是在實際電路上並不是一個很好的start-up方式.......0 Y0 f* n, n7 n
$ U; o9 x4 P4 }% }( X5 R( k. W J
而這個應該就是你所謂的電流不一致的原因，你可以在list檔裡找到M5與M2的電流~~~~
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7 \$ _9 A$ D! G' n' h然後在4V偏壓點..........觀察一下每一顆MOS的工作區域~~~~~$ `9 s2 s* T2 |, p- a. |
7 M$ z, F7 i9 a7 n) X6 {/ j
PS：所謂的weak定義...........以start-up來說....我把它認為是一顆W<<L的MOS.......3 }% i$ h( k! _; A# h! ^
$ S9 h4 r' y' Z9 }4 P3 p9 @) c) y
(ex,W/L=>0.5u/10u.....這樣的比例) |
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狗仔卡
發表於 2011-7-12 18:02:20
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