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[問題求助] 高壓製程

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1#
發表於 2011-6-10 18:20:10 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout  ^6 {) h: G0 g, d9 }  d
那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考參考嗎?
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2#
發表於 2011-8-10 21:37:19 | 只看該作者
感謝大大無私的分享啊
! O* r. C4 E" B* H, o
, S1 ^3 z8 {" h- W5 Q感謝感謝~~~~~~~
3#
發表於 2011-9-1 10:46:44 | 只看該作者
咦!!~~~我只有看到問題
$ Z" ]# m* C  Z3 o8 s+ W- N% c* C有分享任何資訊嗎?!
" O9 i$ l5 J* U( c) _5 G9 {# B  K' c; Z小女無材% @* q& @$ a5 l1 L; s# V# [# Q
看不懂勒
4#
發表於 2011-12-7 17:10:01 | 只看該作者
我勒个去,同没看到材料,为毛会有人感谢大大。
5#
發表於 2011-12-21 15:03:52 | 只看該作者
我也是看不到耶....是因為權限還沒到嗎?
6#
發表於 2011-12-26 18:32:29 | 只看該作者
我也沒瞰傲任何的東瞎呀~太客怕了吧1 N" m( C3 U, l8 `: I2 f
) N' n  U/ p: g3 m0 h
這就是所謂的國王的答案嗎??XD
7#
發表於 2011-12-28 11:35:52 | 只看該作者
請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout+ \1 T. t7 e, K+ X" O5 W/ i2 L
那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考 ...
1 }+ f/ q( k; m" Y0 x1 q8 lb0917353006cool 發表於 2011-6-10 06:20 PM

- F' ?8 P! s8 y+ \. p6 @, r1 I/ v' B0 E( r+ B; I$ C: z8 \
個人淺見,分享下關於高壓製程和佈圖學習應驗# d! j, W! d7 D% V% \, g
1:首先理解目前我們HV製程的一個簡單劃分
; r' g2 c2 e! [$ E0 ]   不同的廠家,會有不同的定義,在深亞微米中,可能5V VBRDS的Device已經被識別為高壓。" y) _$ e" ^6 s4 u+ X( \4 o$ a) m- W
   依據VBRDS/VGSmax大致可以作一個劃分& H5 d* \- o/ X. l
    LV+ y; ?% [  w1 D. ?4 s( V7 I
    VbrDS<5V" }- y+ h$ c) j, A/ w5 F% G
      MV 0 H0 t( C$ a* V7 y" f: R
     15V<VbrDS<25V
+ e' `& k' w! a* ?      HV
/ `$ V) w0 t8 r     30 <VbrDS<45V4 g& h: a/ A. f" V( A; _
     45<VbrDS<80V
; x7 w) k% M& X, ?* ?$ c     UHV! N; w, |4 O! `2 v% _& n
     80<VbrDS<120V
! u/ d& v% i( ^) ]     500V<VbrDS5 R1 j" U, ?, w: z% g
     800V<VbrDS* y. ?$ S+ {  k) ]
     目前大致會做這樣幾個區間的劃分,這種狀況與製成本身的發展,產品系列兼容,甚至考慮兼容早期BIPOLAR用於電力,電機產品有一定關係。
; e% [8 K0 U9 J$ |
" U9 Z% ?! B" N! S9 |2 o' i4 I2:此後,可以按照自己學習興趣與工作需求,選取制定學習計劃4 l/ E/ T2 e" R
   並理解器件的物理和電學特性
0 ]1 p4 D. K$ R  G: y   這樣做是必須的,好處也很明顯。只有這樣才能避免犯錯誤,才能理解高壓規則的制訂依據或者限制級在那裏。
9 a& R) c: q7 }7 t: I   一些圖書是必須的,製程介紹類的圖書相信大家都不會缺少,特別強調下,在30V以上時,最好下功夫對LDMOS做細緻的學習。
# g( l- s5 y% s, u   如果涉及到80V左右的應用,尤其需要謹慎,因爲在CMOS時代這個電壓區間是比較尷尬的,HVI可能會帶來leakage current的問題,一定要與廠家做好細緻溝通,並在Pre-tapout前作好Review。) l, l7 Z0 n6 W
   500V之上的的單片集成應用必然會涉及到Resurf技術或者SOI的應用,這樣的製程會與普通的結隔離又較大的差異,HVI也會帶來影響。不過一般廠家都會給出一些解決方案,
; ~5 u( e& t8 J) z" R; D   IR,摩托等等公司也產生了很多專利 ,讓人感嘆設計師的創造力之強 。; M9 x! R" j4 m8 i. @) {
   理論的學習,$ X2 P9 I/ R3 ^& t
   推介使用陈星弼老先生的那本《功率mosfet與高壓集成電路》,這是一部相當老的圖書,出版于幾十年前,但是對基本結構,如場板,終端結構等等的介紹很清晰明瞭。( D- O- n9 G& @/ e
   原書已經絕版,好在資料可以到網路上搜索到。
+ y- Y5 s) Z; X0 `# d4 u% ^/ Q3 ^: b! J
3:實踐$ E) v( c( h; I* Q& V
   檢索了目前大多數的論文與報告,並不令人滿意。在這個工程領域,主要的技術應當是各個廠家。
; k* z! b2 A$ W0 J1 x% ]   UMC/TSMC年前都對這個領域作了開發,可能主要的目標是指向對新能源產品的支持,可以咨詢並下載相關文檔。其中給出了Refrence Rules和相應的guide line,這些規則大部分對其他產品設計依然有
. ?& z+ r# a5 I   參考的作用。此外 X-FAB,AMIS在這個領域可以說是歐美洲區域領導者地位,結構也與台系有區別。尤其AMIS。不過好像已經被ON收購,可能會在合作中產生一定障礙。
4 A" X6 }, t, |; P2 p' `  B/ z   特別提一下新竹的EPISL,應當是臺灣較早投入這個領域的廠家之一,EPI是HVDevice的關鍵之一,或許是EPISL的最大優勢。當然,還有極低的價格。5 {3 t* [3 E' _! ]" d5 `
4 t" U0 s7 U6 M- S
4:Reverse engineering% Q# g) d, c/ f6 q
    對於新的公司新的設計,是個可選,當然僅限與佈圖參考,如果完全依賴,那就驚險了。
1 r& P2 N( B8 {( {6 o, R
; q7 X" ~. |1 _  e( p0 M淺見,歡迎拍塼!
8#
發表於 2012-2-28 15:27:12 | 只看該作者
楼上有爱,又学到东西啦!
9#
發表於 2012-3-1 19:50:34 | 只看該作者
感謝大大這樣熱情分享資訊,
10#
發表於 2012-4-13 12:25:16 | 只看該作者
大家都是不明真相的围观群众啊
11#
發表於 2012-4-13 14:41:19 | 只看該作者
回復 7# CHIP321
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