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[問題求助] OP的MOS問題

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1#
發表於 2010-12-4 23:28:20 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式

, R' V" E5 q5 y( H各位前輩好$ J8 ^/ Z6 S1 G
       我是剛接觸IC的新手,我現在要做一個簡單的的OP,電路圖如圖3,圖3是電路圖M5的部份,那是之前畢業的學姐做的,我想請問一下,為何他的Layout是像圖2,
% p, {3 b+ Q2 v, u! Z$ |% g他不是就是個PMOS嗎?為什麼它的Layout會變成這樣?是有什麼考量嗎?麻煩各位大大幫我解惑...感恩萬分!!!

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2#
發表於 2010-12-6 13:32:18 | 只看該作者
那個layout 看起來像是 M1 和 M2 , v8 F6 V9 m& b
是電流鏡, 要做  對稱ㄉ ( match )
$ Y7 M& T1 |. `, j/ Z1 m! h' h加上 body 接在 M5 的 D- ^; z, F5 O5 v7 a. A
所以才單獨做吧
3#
發表於 2011-1-11 22:29:55 | 只看該作者
把他圍起來這叫做guard ring 用來避免雜訊干擾
# E! \! j' ~& T' i  \  n
3 _8 C& z/ o6 ?. G4 Z3 w類比電路的部分要特別小心雜訊問題
4#
發表於 2011-1-22 01:10:59 | 只看該作者
感謝大大的分享
5 S. \% B/ l, V4 w+ P知識因分享而壯大~~~嘻~~~
5#
發表於 2011-1-25 01:36:58 | 只看該作者
m5是那顆op的tail current, mos的畫法應該只是一般的multi-finger,8 o3 ]9 s; c. y7 S; A5 ?8 {
外面包guard ring應該是不希望電流源受到干擾
6#
發表於 2011-7-13 12:30:03 | 只看該作者
說真的,這並是電流鏡的一部份吧,但跟差動沒有關係,"感覺是把電晶體當一個等效電阻",看了許多電子學課本及電路來的經驗<PS高職課本也有寫,林均電子學也有寫、史密司電子學也有寫>。至於圍RING是看當時的LAYOUT的考量。都說是電路圖的M5了,怎麼會跟差動對有關係咧。要有關係的話,應該是電流平均分散給差動對的關係吧。
7#
發表於 2011-9-15 14:28:38 | 只看該作者
就一般圍了RING的MOS 防止雜訊干擾囉
8#
發表於 2011-11-2 10:38:17 | 只看該作者
一般類比電路較注意雜訊問題,$ s4 f* c) a( ?0 V
因此加guard ring是常見的做法~
9#
發表於 2011-11-17 02:25:53 | 只看該作者
M5 M6 M10 M11 如果源端电位相同的话  他们是电流镜 因为他们的Vgs 是一样的
10#
發表於 2012-5-12 21:48:44 | 只看該作者
好複雜!!可以教我嗎?好複雜阿!!!
11#
發表於 2012-5-17 10:50:27 | 只看該作者
M5和M8畫在一起,
6 ^# l/ w- P2 I" V$ z% S共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積," Y0 `2 X& d5 ^1 B4 I. b* R* Z
就是這麼簡單
12#
發表於 2012-6-13 11:29:11 | 只看該作者
沒有什麼特殊之處,就單純用Ring圍起來而已
# R4 {) }& T' S# O8 v, s7 C通常擺法會是2 ?  i7 H: i$ }( k9 [
M5、M8(PMOS)( r* r1 k- N* j5 J9 c# {6 |' T2 [
M3、M4、M7(NMOS)& `$ N! F: K" @# }
M1、M2(PMOS)  L0 v% ~. K2 I- u* ~7 [0 ?$ p

2 P/ S" d* C$ C8 W5 i+ T因為M1、M2的Well電位跟M5、M8不同,擺在附近的話會因為DRC的關係浪費不少空間
7 H$ H. e$ v* t0 Z$ A不過實際情況都要看所有電路而定
13#
發表於 2013-1-28 16:55:31 | 只看該作者
回復 10# 930709
0 X* i, w; `' ~+ ?( |8 q$ c
7 R0 b) _) x4 x% e9 O% l3 a
' U2 r# @, g+ N5 Y5 M   
3 {1 |/ i# U5 n% Z  w: l0 v8 ~; V5 {" X6 r  P
M1 M2 像這樣畫嗎?

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