ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
4 L& Y  @% e% j1 Z3 C$ M( r1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
4 Z+ E6 Z: P( M/ L7 X电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
失效机理是怎么会事，多谢

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
' c$ |# K  b1 y2 A! N" T1. 請問製程為何?
4 e( R# L* K( M' S2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
0 J; X, p) w  f, x# f2 o2 r( C' u3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
1 `* b. g+ ^6 U+ `要有上述的數據才能做最基本的分析.

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
2 \1 b4 Q1 }" w) Q( aklim 發表於 2011-1-18 14:32

% T6 T) ~& J) Q7 ^# n5 Z8 r+ ^
$ P1 y. c/ S) B1), 請問製程為何?
tsmc 0.18um
& W5 W4 q; ?' @6 v  n. Q
5 v" _# q/ y4 _& v2 _( R2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
! X9 [- b3 P* M8 I- T* s$ }两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打

3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
/ S+ W% t8 F; i8 P- e8 T$ T( [2 k均勻是指什麼
0 o% \2 m; |5 c5 j" `, u* Q! q# O3 c方便貼圖上來嗎