有個FLASH的問題

dysyase

[20奈米NAND Flash大戰引爆　三星、美光、東芝全面較勁]
這是今天再網路上看到的一篇新聞~亂轉不太好所以就沒轉上來了~
我的問題是~之前~45的時候不是說~會有讀取次數減少的問題嗎~那~20不就更慘~為何製程縮小會造成~讀取次數減少的問題~

Nobody

因為 floating gate 電子越來越少   一點點的干擾就可引起讀取失敗
' f7 o) U  j  d/ R6 _, J% z! ?floating gate 電容 ~  1fF  
7 B! ^0 T4 t) d: P9 i一個準位的電壓 = 3v
Q=CV  = 1x10^-15 x 3 = 3x 10^-15
一個電子電荷 = 1.6 x 10 ^-19
, Q) P$ M0 ^3 g9 Ofloating gate 上一個準位差別電子數只有 3x10^-15 / 1.6x10^-19 ~ 1.9 x10^4   個電子
- ?3 z5 i* }  l; |5 w- b6 A如果偏移了 10%   , sense 可能就 failed   ,  
' l0 ]1 j: o" U. F; C# \$ d讀取限制在 100k 次  , 每讀取100次對 floating gate 的影響必需降到  1.9x10^4x0.1/10^3
1.9 個電子以下   , 你知道這是多少電流嗎 , 假設讀取 100 次時間= 100 us  
i= dQ/dt ~  1.9x1.6x10^-19 / (100 x10^-6)  ~   3 x 10 ^-14 A  = 0.03 pA  
1 I: N: p* c. M% N0 T4 Y" tnand flash 的 read disturb 和data retention 問題 在越來越精細的製程只會越來越嚴重
* o9 t3 q% ]% K; b; y* `只能靠ecc 和一些存取的限制來彌補
2 V+ R$ n/ n# @可參考 "nand 快閃記憶體" 曾德彰  科大文化出版 一書

likc

Very Good!! Thanks for professional answer.