請問各位大大,關於MOS電容下極版問題

tommy01

若是NMOS做的電容
上極是版G極,絕緣層是薄氧化層,那下極版是基底還是N通道呢?我有查書說明有三種狀態
1,通道未型成時
" J! _$ U* [8 d' j1 @2,三極管區
3 N& W2 Y7 I6 h  G9 ~3,飽和區
但是RD通常叫我算POLY跟OXIDE重疊的面積就好
! s/ E9 a7 G( ]; j" }這樣是操作在哪一狀態呢???

kkk000777

3,飽和區
通常 depletion 都要形成，電容值才會穩定
" U& {- W1 l$ s: p: F0 J) J. R所以使用的範圍 Vg 會超過 Vtn ,
如果想要使用雙向電容的話，可以用 barrier N+ , let mos always turn on.

poseidonpid

通常應該是工作在  (2,三極管區)，因為MOS電容的S,D,B三個腳位會是接在一起，Vgs=Vgd，所以是在三極管區，在電路設計上，MOS電容通常是由W和L的面積算出來的，但會非常不準，通常是用在穩壓用，而且在不同的電壓時，電容值會不同(Razavi的類比IC設計第二章)，要大於Vth後電容值才會較穩定，且不適合當雙向電容使用(如OP的miller 補償電容)。

semico_ljj

工作在反型层 状态

chungming

example for NMOS :
" c' D/ o* `. N0 y+ D9 H" W2 u! gVg > Vth MOS at deep triode region, MOS Cap at strong inversion
Vg <Vth MOS OFF, MOS Cap at accumulation

# u& B& t! s" C8 ZYou can see Razavi Chap2 pp. 39
  e6 @2 `) @; ^% S7 w6 }3 _. `Good Luck ~ !