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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,' d0 [3 o" I0 s1 ?  h+ i# c% d9 K1 B

- q. f. ]7 I) B) x懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,
. s& Y9 j& Y  m% W; H$ Q; g5 a: t& B( _2 E
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。
; f& q! N* B6 u% Y0 W2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復

3 T5 M* g9 K! ^! ]" z8 D# O( n+ S4 x' L  J& E
電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,
0 N8 v* S& B$ z( |8 S' _/ E; U( e標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)
( j% B7 C; D3 P( K  F輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)9 s" B$ @9 |/ O1 s! P- g' y
在理想的switch中,輸出訊號正常。% T1 K* Y8 ~; n2 K$ i1 M
在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。1 w; j- A/ E* \) v
取樣電容大概=400f F左右。/ b6 L( ~2 S) _0 l/ M3 _; N
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)8 J) r5 D" @+ G' K
2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato
" _/ o* a2 d4 F2 P! F
) Y) q" C* x" r! a
8 Y+ o- A6 s4 {    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid 5 H  {' r& I# ^; H

. l  T# A( Z$ H- p! e2 ~先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
! {% v2 n* t  u7 S這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形+ {( e* N2 }# ~" w, t
所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值- `# H0 i6 s/ |9 X
列成一個表; j8 F# f8 |" r( [% W* M% o2 R
之後看表拿進去套用即可
9 A% j4 C1 @6 d( ?: ]: L0 t此外此電路SH電容不大2 V$ y* g! G" s
會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 7 k$ q6 j! m# K# Z# m0 }

. j! x0 ~  r8 h  u6 k) L
, i7 t, Z: G; ^# g1 E' X    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?
$ p* A+ ^% U5 d0 d% o, t/ m由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,0 l4 W9 R! S. O0 k1 J
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,
- C% ^  b' @, n2 Q% `+ `6 h一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!
$ y* c  c. G9 }6 h' e) G看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,6 G* M+ v: o8 C
建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??
$ v; W1 C" ^5 B: U前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,
2 `9 ^  I# U! s3 O! h4 Q另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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