請問附件圖片layout圖

gwuel888

請問各位,以下有些問題須大家幫忙
7 ]2 `" k" |3 q4 ]5 E8 w8 A1.有人知道附件圖片layout圖,是MOS還是BJT? 或是另一種元件?
2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
& Z9 a3 G/ C0 ]6 n: E7 v5 ]3.MOS電容LAYOUT有參考書籍或是建議以供參考嗎?


  D7 K( x8 o- e& \. o 謝謝@@

小包

長得有點像 lateral pnp的BJT，它只有2顆嗎??
( l5 ?0 m  K- x  C" e: f% O1P2M只能用一般MOS當電容吧~
MOS當電容只要把S/D/B接到一起接VDD或GND就好了~
1 N& `0 B! T! ?  H7 K' a
[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-3 11:00 PM 編輯 ]

motofatfat

2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
既然是  1 P 2 M  哪來  兩層POLY ?
7 O  V5 p7 ^9 x; v4 q8 p光憑這樣 粉難看出來
! v0 k% o* P8 l! l& G' @  Q* r/ V0 j也有可能是  2 層   Metal  MIM ㄉ  電容
可以說明一下  這張圖是 Metal 層  還是  去掉 一層 METAL  以後ㄉ 圖

gwuel888

附件一層METAL 1+ POLY 與只有 POLY 圖片

gwuel888

因為之前我嘗試有畫過電容,但到了LVS 時就有不知道要如何做?
請問一下
+ }2 Y- l( k( E% V+ k0 T5 g$ p1.那mos電容SPICE 語法如何下
5 d: Y4 L: t' v7 ^5 P% j是==> MCAP  VDD!  NET2  VDD!  VDD!  PCH  W=2u l=1u
+ w8 a$ v4 Z5 F4 {2.容值如何知道??

kazamigai

看來像是顆mos，中間一顆cont應該是D端
" k; t3 G4 \0 F) i6 d7 H外面一排（5顆）cont應該是S端

應該不是mos電容，看m1跑法並沒有把s與d接在一起

小包

回復 4# gwuel888
3 F/ W# L+ S0 r! M" \
一般mos電容的語法跟普通mos的寫法一樣，容值要請rd去根據製程推算。
$ D3 O. W4 e& z' v0 b看到你po的metal1的圖，這個東西上面有4個接點，我想他真的是lateral pnp的BJT，因為這種架構的bjt是高壓製程的bjt，emitter跟base是同一塊od，中間圍上一圈poly來控製emitter跟base的關係，最外面的od才是collector

小包

回復 7# 小包


( x& V* J! H* d7 l不過這種bjt現在很少人用了~有些原本有做的fab廠後來也都不提供這種元件了

kazamigai

但我覺得不太像是BJT，因為所附上的圖有用到poly，在我的記憶中似乎沒有BJT有用到poly

gwuel888

1.感謝各位抽空答覆!!
9 t$ Z$ Q) m3 l5 r2 y2.此製程1P2M 0.6um
3.附件是電容畫法結構，小弟才疏學淺 想問說此電容會是mos電容嗎?

小包

回復 9# kazamigai
; e* r& ~: @  ]% t0 m" [! k
; _' ^) S) K' C6 B) H5 C9 }確實有這種bjt
4 P  Z2 ~& s4 N2 U只是你沒有碰過
它叫做lateral架構pnp的BJT
為高壓製程，非常少人使用
我也只lay過一次
有本書上有介紹這種元件
"analysis and design of analog integrated circuits"
ISBN: 0-471-37752-x
6 h0 g8 o! F, I) [% B( i" |9 lpage 109
) J2 a/ k' Q$ G, m3 X9 K你去看就知道我說的東西了

小包

回復 10# gwuel888
* a' c6 I9 _; B. }
8 R6 v7 n2 S! V% i" A
你po的圖不是mos電容吧~~
看起來比較像是PIP電容…所以他不是1P2M吧
因為MOS電容長得跟普通MOS一樣
只是SOURCE/DRAIN/BULK 接POWER
9 P" X6 a8 T) x; ^GATE接訊號線

kazamigai

按照給的圖形來看，應該類似於此圖。
, e/ y( f# p; x4 A( B8 a0 b0 a中間cont為Drain，外圈一排cont為Source，
) J& i( ]8 }+ f) h$ i& a( l在poly上的cont為gate，會用此劃法的情況下是想在有限的面積裡，求得最大的w值
這是小弟的經驗談（因為有畫過像此的劃法）

kazamigai

附上圖片
% \0 Z, Z: s- m5 R

小包

回復 14# kazamigai
& w- _# x: f* ^0 r( y% v. G3 J
有道理~
我也lay過類似的mos
雖然長得不太像~
$ R: \8 a4 I) x' V0 F0 F也是一樣用poly繞drain一圈

CHIP321

同意kazamigai的看法，做MOS解釋要好些，如果能確認是1P2M的標準MOS製程，那么應當確認無疑了。

pkf690801

thanks..............................................

shangyi

雖然我沒畫過...但還是發表一些淺見
中間那圈有接contact的應該是thin oxide
外面跟它相同顏色的應該是thick oxide
  x1 A3 L1 I" Y2 Y( z7 S. \- S有點粉紅色的應該是difusion
2 V0 F" t! [  B6 \4 O' V  ?8 P內圈應該是drain 因為周長最小 雜散電容最小
: @3 V, H  @( r% s" H  c; N' E' |1 D+ }外圈應該是source
  k. E, {3 c1 ?7 [8 h3 b" r/ Z+ o/ m此種mos layout 雖然在相同面積下會有比較大的 W/L ratio
; r# ]; W. g* W3 h: R8 K9 Z$ B但ratio值難以估算 所以比較不精準
比較不適用於要求精準的類比電路