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板上的各位前輩好..
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我現在在設計一個sdram的控制器,我根據著datasheet去設計。4 w3 I$ ^1 F1 e& C
也把他的流程圖都畫出來了
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- t2 l; f X9 Q5 G0 {但是現在有一個問題困擾我很久,我的sdram都只有作單筆的讀寫才能正確的動作
, q0 X) B& r( l* o) o+ ]$ F3 z4 q' M/ ^只要轉換模式設定(MRS)成多筆的連續讀寫就會產生問題
* d' a) _" m6 w4 u- ^" v. P舉個例來說
, l/ }( a s2 z XHOST端下達連續寫四筆資料 (1,2,3,4) 然後在同一個位址連續讀出四筆資料
3 w) q3 h3 \6 B) s7 y4 }正確的結果應該是讀出(1,2,3,4),但讀出結果每次都是(1,1,1,1)9 v# L3 C( g* }3 U. e0 b9 }
四筆讀出的資料都是第一筆,不知道是發生了什麼問題????
2 z9 \/ v: }0 R4 c6 Z5 I* y不知道是什麼原因讓sdram內部的位址不轉變?! W# i; f2 m2 A+ s# O
還是我當初在寫的時候都只寫入第一筆的資料?
0 I/ v B+ q0 f; K# x6 h( U* j \5 Q* c& G* U1 P: e, {0 O
我用的是Elpida(hitachi)生產的SDRAM 3 s+ }, N/ y4 w# _7 p) ~. F; e4 ~# ]
型號是HM5216165TT10H1 K4 E n* {4 f3 [' g, R
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不知道有沒有前輩知道為何會發生這種問題?或是會遇過這類問題的?
, p( t5 F* j( O# T能否提供給我一點意見去解決,我已經debug一星期了還是毫無頭緒....( A s# h( }) }$ M: O7 j
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謝謝 |
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