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[問題求助] 請問在加電容時,使用PMOS好還是NMOS好

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1#
發表於 2009-8-28 13:50:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
有時LAYOUT有剩餘的空間可以放電容,
7 L/ R8 U0 N7 C. f8 q+ @% s請問各位先賢在加電容時,使用PMOS好還是NMOS好2 ^! P6 j/ q8 w7 I, T& A( b

3 K+ W( G: B8 ]% n6 ], _3 QP/N MOS 如何達到穩壓的效果

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2#
發表於 2009-8-30 22:37:18 | 只看該作者
从原理上来讲,NMOS还是PMOS作电容并无本质上的查别,因为都是依赖与gate做介质.至于具体的选择依据,我的看法是: 1)电容两端的结点间的电压范围--如果对容值要求不是很准确的话关系不大; 2)一般来讲PMOS会方便些,因为不需要构筑额外的well来处理sub的连接.
3#
 樓主| 發表於 2009-8-31 13:25:36 | 只看該作者
嗯!那如果有跨壓noise 的 issue.  @' T- o+ h/ Q! t9 {& A9 N/ r
是否就應用 pmos 電容,; p' m& e# `: A3 Q6 p
因其include 在nwell 中,6 H3 F1 b& C! `& @. [
沒錯DRC RULE會較大,影響size.% L" M+ ]' R9 A1 U7 P0 y% a
* y' ]: `4 `) C* P3 l" X: ]
& [3 ~( e( x6 `+ L6 K
所以說  在不考慮 noise 的情況下 nmos 電容與 pmos 電容  效用一樣嗎?
4#
發表於 2009-8-31 17:19:13 | 只看該作者
个人看法,仅供参考:
5 H/ H1 |% O2 P( V* N, a( }$ u( W: ?( s" D7 l* [; {; D, e
用PMOS做电容的时候,PMOS的NWELL与衬底(p型)形成一个反偏二极管,当地线上来一个瞬间大电流,能通过这个来对mos电容栅极进行保护。当然,在栅极上加一个小电阻是常用的做法。
! f% L' ~/ }  c! O- ~; u( d; t, q5 v
但是PMOS的电容比NMOS的电容小,如果不考虑ESD的可靠性方面,单从电容滤波方面考虑的话,NMOS应该比PMOS好~
5#
發表於 2009-9-4 13:18:51 | 只看該作者
同意樓上的看法
$ J% t- h  k  f$ }/ _. W以原理來看6 U1 ^  D0 u- m- Q6 D
PMOS 的載子 是 電洞
5 o0 _- w8 `4 J& }/ V. @NMOS 的載子 是 電子
7 r+ `9 Q6 D, k電子移動較快
9 e5 ~0 g8 E/ Y如果無其他考慮3 N( I9 {  C5 E  T6 l: n7 v
NMOS 似乎 較佳
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