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[問題求助] 請問在加電容時,使用PMOS好還是NMOS好

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1#
發表於 2009-8-28 13:50:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
有時LAYOUT有剩餘的空間可以放電容,  D6 c/ `4 I$ y& v3 A' x
請問各位先賢在加電容時,使用PMOS好還是NMOS好4 b' j$ N$ r6 N/ _: m
6 z: L5 r2 ^* W
P/N MOS 如何達到穩壓的效果

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2#
發表於 2009-8-30 22:37:18 | 只看該作者
从原理上来讲,NMOS还是PMOS作电容并无本质上的查别,因为都是依赖与gate做介质.至于具体的选择依据,我的看法是: 1)电容两端的结点间的电压范围--如果对容值要求不是很准确的话关系不大; 2)一般来讲PMOS会方便些,因为不需要构筑额外的well来处理sub的连接.
3#
 樓主| 發表於 2009-8-31 13:25:36 | 只看該作者
嗯!那如果有跨壓noise 的 issue.
/ f- ]$ t0 i4 p  l  O$ Q3 O8 k9 t  s8 k是否就應用 pmos 電容,
* |* ^% G7 Q- P6 K8 ~因其include 在nwell 中,
6 X( \' F* s$ |# W  a) d沒錯DRC RULE會較大,影響size.) `* u8 W. O) A4 l
: S* f9 t' w# ~0 Y: x

+ n; h0 i0 K) O9 L所以說  在不考慮 noise 的情況下 nmos 電容與 pmos 電容  效用一樣嗎?
4#
發表於 2009-8-31 17:19:13 | 只看該作者
个人看法,仅供参考:: n" Y# y! p) J& e
( n$ V' a2 s2 r6 S' L: F4 ]6 N
用PMOS做电容的时候,PMOS的NWELL与衬底(p型)形成一个反偏二极管,当地线上来一个瞬间大电流,能通过这个来对mos电容栅极进行保护。当然,在栅极上加一个小电阻是常用的做法。
. }4 g, _2 g) D# k  E! q+ N, K! w
但是PMOS的电容比NMOS的电容小,如果不考虑ESD的可靠性方面,单从电容滤波方面考虑的话,NMOS应该比PMOS好~
5#
發表於 2009-9-4 13:18:51 | 只看該作者
同意樓上的看法
2 v) A8 q- ^2 q: B4 @以原理來看4 V% I. j8 w: a. ]# |, [9 t+ c
PMOS 的載子 是 電洞
( b0 `: m% E9 V  c( e- W' p, eNMOS 的載子 是 電子
  e& x, h4 p) |% \電子移動較快
7 E# Y( \0 Q; f6 d8 M7 P如果無其他考慮& Q( @6 J8 S8 k1 b
NMOS 似乎 較佳
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