關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

$ v9 g% T# k, Z參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
9 u, M% _' ?) {我們的place方案是：
$ X. [3 n# ]* ?) G1 P5 C' d9 ?1: A B A B
   B A B A
6 x9 V0 ~- @6 C0 G& K: s/ c6 s: E$ c這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
! K5 U1 W3 s3 _7 o: G/ t: X( b2: A B B A
1 q- {8 l: I- n" Z. R   B A A B
! ^* D4 b. b2 u0 m2 n, U對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
3: A A B B
8 N) S8 e3 G8 i+ c! j   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻

大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?

[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?

6 P# J4 a; F7 A- g: n& s4 P: B0 H沒人知道嗎?

沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
5 v! R$ Z4 o3 T3 h大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
5 [/ D$ @4 N: E1 Z第三种分散性不如第二种。
+ ^* u/ U' r5 A3 h$ z) i
[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配
, l2 w% \+ k1 C
9 n) h- t3 K' j: z# n3 t5 D4 m可是為什麼電流方向不一致@@?

7 O. b- H2 p0 r/ L然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配

  z/ b. P, L) w6 g" H6 B可是為什麼電流方向不一致@@?

  L, h7 V% X( P! ~- R0 Z然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

1 m1 a9 B8 {( V2 B( O
" w7 z; t% \9 b) c5 a0 ^如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以

2 z3 p" e' Z& ^" M! @主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿
. n6 c) U0 a6 c2 S+ l' F1 `3 r
光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
% m% {  l' a. R8 A! S, b都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
! G6 W7 q2 o! k5 H$ d  \/ w3 X# m一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都 ...

! S. r. V& O* r5 L" U/ w7 _3 |: f

1 |7 _4 l; T2 l: u' i
第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
* g' W, k! W7 L1 H% n( B4 m# Z, g
我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
5 d' x% y* B- ~& h8 R4 {如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

/ A' B  K0 Q& w) q" @+ a6 H( C
/ [- v& c9 n% s9 M% q2 O
, Q7 n1 Q  U. J/ d$ p/ r
. @2 m! Y, z4 a* m+ `9 }4 q
                  
3 a/ X" {" T6 o) _9 [                 
請問STI效應具體指？

                                                               
                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
  AB     AB
        x
! @+ C  U- j: Z  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central

如果不共用
4 E* [' c" H. {　A      B          A      B
        x        X         x
. X) C- [9 N) K7 q. g3 U! r1 h% k0 P　B      A          B      A   
1 s9 i) D; Q- ~% ]0 q6 T　　x1　　　　　x2
x1 屬於 common-central
5 P3 y  O& i3 px2 屬於 common-central
: E  K0 d, x5 ~4 J' jx1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
# N- t2 G. x# A- {9 K6 O9 E( ]兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊


方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

* i7 P! m0 z- t% S
% @2 z! D$ T0 `
    何解? RD不一定正確吧?