關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?
; q% l% K4 [* O2 x! k7 Q( v  U
, ~; b/ E& g% h$ E, P: G5 ?參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
# m# ^+ c6 V1 d& j我們的place方案是：
5 I; M5 T; R7 H, W  f1: A B A B
# C: ?7 T+ \+ z* y9 x   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
- F2 s: I% m$ h& y# R" g2: A B B A
   B A A B
/ H, J* C, y+ x1 h  I' d對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
: N" o9 P/ X. z/ e+ B2 g3: A A B B
   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
% d, X9 F% g9 T# N3 @# n7 P# {& B
% r/ U1 ]9 o/ E( V* v2 Y( S大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
" z6 Z: ^% b% X, x6 ~0 B) ^
[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?
7 }+ _6 m6 u$ a
9 B, ]( x, v/ }沒人知道嗎?

; Z8 I8 P) ?" V% c沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
第三种分散性不如第二种。
) I( v$ r+ i8 I
  g  Y: W/ j: d3 C7 q2 {8 u[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配

! j3 k9 Q- H4 Y& A可是為什麼電流方向不一致@@?

, I2 r) {4 X7 B) I1 Y# O然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
, d& v3 _7 e+ C9 y' f9 R第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?
3 E$ j4 ]. A6 k( t; x9 [* W
然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

8 Z' m' W* ~. N  a) e如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以

! m9 I, E6 g6 O1 d$ E主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿

* g' S  M' M; a: P' r光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
' N# N- R  `& x& y! ^電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
/ p7 U* X9 X. G$ M, Z1 c都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
3 V! F& Z# T7 \* u  a. ?一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
" X# b7 I- T7 n- t: s電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都 ...

; r9 [" F# n: i6 x" T) ?. q5 H

2 B  m9 G+ k& m5 k. X) j' ~! l
第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.

我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

9 m! G4 O  {3 p: a$ }


4 x0 z& X5 w0 f9 @4 R" n
                  
                 
$ D" ^' [! B! j: @& M; p4 u! D; D& x; _請問STI效應具體指？

                                                               
                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
& \0 z3 M5 C7 v1 |+ A4 I" @  AB     AB
( h3 u) z  e( e7 i3 a5 @        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
5 T) Q! C3 ^6 B' O
& Y2 ?' z  d4 E' P+ q* x/ p" K  K如果不共用
　A      B          A      B
# d; h) D% @5 T' l  Z9 o/ T        x        X         x
7 B$ a" @* X" K) [7 M　B      A          B      A   
　　x1　　　　　x2
! Z9 u. Z0 K8 V1 h* a7 Ox1 屬於 common-central
& o1 t- n, L7 K4 u0 nx2 屬於 common-central
x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊


方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

4 h" G) v* b$ M
$ T" P$ P( ]' ?( C    何解? RD不一定正確吧?