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中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電

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1#
發表於 2009-7-2 13:39:33 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響- H2 C) o/ U3 T; c) c  O& M
---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性
+ _# n3 m# h1 b" {( K$ B1 \7 T7 S$ b& U2 Z
一、前言. n6 {+ i1 E* ~# C6 t7 @
二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體  L1 Z# K6 t1 Z& u
三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理
3 ?( i$ C; p2 _' o. T: c四、實驗結果與分析推論! }, j" c- v3 V* c) q- M9 ?5 ^
五、結論2 M. y3 {2 B! ]& M* C3 e; L/ M

* o) }+ L( q$ w7 K- X
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2#
發表於 2015-5-10 15:41:52 | 只看該作者
為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限
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sbm81tw
3#
發表於 2018-11-28 16:16:09 | 只看該作者
感謝樓主用心的分享使我們得以成長！
$ v/ F. w: m0 o- o2 B7 g! f1 R) [* b
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4#
發表於 2019-1-26 20:56:41 | 只看該作者
謝謝大大分享，最近正好需要相關資料
# M8 H9 Y. E7 ~9 n7 k
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5#
發表於 2019-3-13 19:04:46 | 只看該作者
感謝樓主用心的分享，您使我們得以成長！~
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sslin
6#
發表於 2021-6-7 10:28:59 | 只看該作者

  C6 U* p& F8 D( j* }& Y3 P; J, j3 [, a謝謝大大分享，! u- `2 ^: R9 M5 x% I4 k! h

7 O/ K/ W7 b; ^( |; t深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
0 k$ t" Z0 m" J3 @& M4 u! j, S* O) D/ h5 q, I# w$ h% M
先下載 看看- ~$ F/ r: u) @' M+ A8 c9 g. V
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myokd
7#
發表於 2022-11-24 00:28:21 | 只看該作者
謝謝大大分享，最近正好需要相關資料
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