關於Latch-up及Floor Plan 的問題

bear123

請各位大大們,幫忙小妹解決一下疑惑,恩感.
- c8 P9 {* W' Q' J/ R3 B1.為何分別在pmos及nmos各圍了guard ring後,可降低Latch-up呢?
; O- E( F: w. f8 w, w# x2.在混合電路中,要如何Floor Plan及注意些什麼呢?

白痴

1. 這樣可以增加放電的路徑
9 D4 p" y/ F1 X) Y2. 依照頻寬的不同跟負載的不同而不同
0 {4 c+ Y7 F( z4 r在高負載的時候會增加noise並且回饋給power然後依此循環
可以用增加小電容的方式穩定偏壓
/ i8 R0 ^, J) b7 a& q/ J6 K1 F低頻寬可以放較多面積的vdd, vss , ground, 這有兩大類的作用
  p$ F, {5 Q* T, H) }; Q一是增加電壓的穩定, 另外則是當做雜訊排除
高頻寬就相反, 類比信號的周圍最好不要有around ground, 會有漏電容, 影響頻寬, 雜訊過大(高頻的點太高)
% |( V% X- {5 ~% k, f& [+ y數位的第跟類比的地要分開處理中間可以考慮用cmos或mos來連接, 一方面可以控制電流的流向, 使兩者信號不至於回流
壓降也小, 總而言之在低頻寬的類比電路不同於高頻寬的類比電路, 很多觀念有時候是相反的

lnxmj

latch up 本质上是pnpn ,解决办法主要有2个，减小压降和减小寄生三极管的增益，你画下剖面图，就可以明白在pmos及nmos各圍了guard ring後的意义了。

pyi_dann

加Guard ring 是避免漏電流使得電路導通而照成latch-up