請問TSMC .18 rfnmos問題

squirrel316

最近使用TSMC .18製程畫layout
6 q: M! Z" s( m使用PDK所叫出來的RF NMOS最外面那一圈是deep nwell所拉出的
% V/ D4 E6 Y$ n7 f而裡面那圈是接body用的 我都是接到gnd

因為先前看過幾位畢業學長的layout
他們最外層那圈都是跟body接在一起 也就是接在gnd
0 r# F7 h" D( t; e+ q5 a1 s+ t7 P不過照理說那不是應該要接在VDD嗎?
: L2 b% D" D: E/ \如果是跟body一起接 layout起來是方便多了
因此請問一下最外面那圈應該要接到VDD還是gnd比較好
* U2 x" L4 d3 z但如果接在VDD的話 是否最好另外接到另一個不是該電路的VDD
: `& a0 `& q2 \1 s9 G  E; ~而是另外一個VDD比較好
+ h, U, I! _% t) n* @0 Z* G8 T
; z# ]) b6 a8 m$ W) g% x謝謝

heshufeng

deep nwell不該與gnd連接。
' v; D! H. W  m( Y5 X( ~deep nwell 起隔離作用，它把它所包圍的nmos和襯底隔離，減少了nmos受到的雜訊干擾，如果deep nwell直接與gnd相連，而且你這個gnd很可能是與襯底相通的，所以不能其隔離作用。
但是如果你這個deep nwell 中的nmos是負電壓的話應該可以這樣畫。