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[問題求助] 討論基本電流鏡的佈局方式

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1#
發表於 2009-6-7 17:35:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。
8 u, E; J" h! P+ G8 B; ?  |那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:
$ f0 p1 Z7 O; s1 x3 R* b- l, c, b0 A5 [
6 `7 }: o7 t3 Q2 R假設M1:M2=2:4
+ {" z) [% x5 I9 X' |+ w( E而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:
: h: S) ]/ S" K5 e) w, X
- M1 ~1 {. B- }: j3 Y+ S& G9 g
9 a2 Z( l1 ^, g. k但是我個人不會這樣子lay3 b; D8 o7 v) F
因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):& ^9 m# C8 A( y9 y. r! p  M' n3 {/ h
/ P: x, K9 l' x' m; b, V" R
不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
* F1 @# S. Q- |/ j0 a可以以中心對稱。
; G8 D- _; J5 G  t% X' D+ \
5 P. x$ b& E& u% [8 K5 U- {$ D4 v$ T但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)
9 @+ C2 T  p4 |: K. L/ H& \* L這樣的,但是M1的接線就有問題了。4 e8 R- l  P% @5 x: ]9 T! X

* R5 M! u  W) G! T6 V$ L同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的: [6 Q6 l9 u& ]( ?7 q1 O, j
MOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
- s& U+ O; x; @/ P1 B
+ d) X4 e/ {! _4 _他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。
! ^7 C9 P' s6 w. ?. p: j不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。
& x% X( ?; [# R# ]針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。& A$ l2 k' s8 a- v
; S- M" ]( ~4 |* i, r+ v9 t
& ^) R! K9 O7 n4 |( f2 ~- X2 o
以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。
- W# I  h( c- r他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12
$ ]# a3 S- `, c3 F4 `) S% ~" _(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?
) C* u2 Z! A( ]  v' W0 ?' V我的原案是
. O3 y7 i3 i: n! D+ LM2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY3 b+ `) |. D3 `- e( S
因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。
4 l4 u; p! Q/ h我考慮是
8 P' ^" p- ^* g; DM3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*44 V7 z/ x8 ^0 D. q' X
有人有比較好的建議嗎?
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2#
發表於 2009-6-7 18:16:58 | 只看該作者
樓主,你的圖都呈現X的狀態哩~~~
6 S" h0 P+ Q2 \4 @要修正一下喔
3#
 樓主| 發表於 2009-6-7 21:35:28 | 只看該作者
我再重貼一遍
! w: \5 `! ?8 d*********************************************************************************5 @* ]1 i4 M8 F: ?5 g2 R
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。
, F) ?1 ^, M" o# n3 p( D  K那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:8 X; n: {7 ~) r6 G2 M% W

: a0 P+ G2 E  C& g5 H9 E5 G  F9 t8 V假設M1:M2=2:45 c( U* Y- m( U9 E& {3 s% W: h
而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:
3 b# c) J( P6 D% o3 S
( g' j2 K  x' ^  b, ^3 g+ w
! O) z' |) `; L" P! b但是我個人不會這樣子lay! C+ Z1 s! Z* U) w
因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):
- D3 E  s# O2 H% p/ {1 n5 `4 G2 M& F8 ?6 B5 r1 r
不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
  Z8 ^0 J0 y8 i& h$ C可以以中心對稱。
% F/ R  a# X# z! Z$ {9 ]* D. m2 d0 X! [  m2 E
但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)
9 m1 F" d+ _! v1 j2 }! H這樣的,但是M1的接線就有問題了。/ U+ `  ~* o7 z& U0 |
0 p1 [  p; r, O  D) P$ v
同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的( M6 C" Q% u7 d: V" \
MOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
7 W5 j% D" e2 @6 x3 ]' {: E  J5 l- r$ o4 k! @
他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。: v" Q/ P7 \2 a( o( j" t' V* o* C
不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。  ^7 n5 Y+ ]# A0 k5 i
針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。
+ O2 t2 E/ a# O) i: `6 {; @; j9 {( V, \; ^+ e6 R
# t  c8 k9 u4 N: f9 \6 e: j
以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。+ E# H  i' b. I! e
他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12
, b6 v/ C0 m3 ~(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?
& m* k9 Z/ k+ u/ q( E7 B5 E我的原案是: K5 n) C  J, Q4 N6 ?5 o7 B
M2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY
6 r2 d6 l6 B( S7 P; `" h" G: |因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。
0 y; @" {+ I8 K我考慮是
' e1 j4 @) q2 @; r  W7 |( e" MM3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*46 a) {. P5 t$ m0 d. o* ?2 G2 z' Q$ S
有人有比較好的建議嗎?

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小珍 + 3 Good question!!

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4#
發表於 2009-6-8 00:07:26 | 只看該作者
個人見解是C,記得在最外面加上dummy,減少mismatch。- j5 n# \3 c7 q2 q
或者你可以每種都試試看,然後都做post-sim來看模擬結果,
. N. p* M, p' ~. M哪個誤差量最少,就使用哪一種。; V: i1 N; _; A0 U6 v

# m7 Y8 f( Y2 _" U  D3 h[ 本帖最後由 hiyato 於 2009-6-8 12:08 AM 編輯 ]
5#
發表於 2009-6-8 01:07:13 | 只看該作者
問designer最知道(他的電路只有他最清楚,不要自己猜),因為有的不需要很match,只要擺一起就可A,B都可
1 p6 v/ F/ F- r# P/ l! k( ^一般我會用C,不考慮面積E也行
$ }# t, b( ?' @7 g, j' o  c1 O! C製成越小我會改用E(反正不會差太多),C跟E其實spice model是不一樣,一個是n,一個是M,還有LOD效應(這我也不太清楚,看有沒有人懂製程的)
8 H) j4 ~  m7 Cmatch是越集中越好,然後分佈均勻,一排就沒有2排match,反正就是不要拉太長(越正方越好)
6#
 樓主| 發表於 2009-6-10 02:49:38 | 只看該作者
C跟E的電流方向不一樣導致的影響,學姊說POSIM模擬不出來。
1 P8 k, b% J& P: h但它們萃出來的寄生RC的確是會不一樣的。
7#
發表於 2009-7-14 10:47:17 | 只看該作者
我覺得E 比較好
+ P, }1 _% L  K; B* N4 b8 m
) s- x( |% H# q1 [可是為什麼大家都選C
8#
發表於 2009-7-15 10:55:47 | 只看該作者
通常做類比的LAYOUT 不太會需要考慮到面積 只要不太誇張的浪費就好
# C. P( R+ w& h' b" r) w  S6 H) |+ R
"他說對稱之外還要要求均勻分佈" 這句話是重點
4 H# E6 Q. B& w6 M9 [
; q' i; N5 s. m2 p8 DE的match效果 從製程方面去看 算是比較好
& n& Y! `% ~0 F3 F. B9 ]7 r* K. b8 n9 D  Y$ x2 }1 u
不過 要用到2層M" A$ f  \, ]. Q  B* P  |6 r
; h3 g. @6 f: _0 z# V5 x, R
是不建議 用POLY去做連線
, M4 |9 g7 A! I( Z  Q, H* l, N3 Q( u$ D$ E# E8 c
就算連接起來 最好 多打CONT
9#
發表於 2009-7-16 16:01:27 | 只看該作者
图看不见啊。不知道都是什么样子……                                 
8 X) _7 V& N- a6 M
10#
發表於 2009-7-16 19:39:29 | 只看該作者
C方式在萃取RC時,共用S D的部份/ M( k  @' f6 j4 {6 m
它會除二,平均分給兩顆各一半一半
) U, F- P' f! J3 x5 I- {且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小
% \3 w" H. N9 v3 j. o,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在
4 F3 {" @( ]% n7 J' `3 C+ g/ e7 y做速度較快的電路時,差異更明顯,
) r/ r1 ^+ b- _1 jE方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生6 H! z+ T/ F8 ^( |: n9 E) R
電容的萃取,都是單獨計算,會比較大
2 T) v/ J1 h3 r( @4 y  P所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同
0 m4 K' U) }0 |" I4 C而變慢,
) t6 s8 f- e. y# o; {  {0 A所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
3 F2 j* }' w2 D, q9 Kmatch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該
3 T1 }/ i% l! _* |* w! }. _- W. g$ ~比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是
( u$ g; H* H. R5 M6 [0 u問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確

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11#
發表於 2009-7-22 15:04:25 | 只看該作者
E是比較好的!!
5 }9 e- @1 E1 w. z在製程有x軸的徧差時就可以明顯看出來了!!
12#
發表於 2009-7-22 17:19:01 | 只看該作者
我也看不到圖啊,爲什麽…………
$ A& B& U+ T# r& h) d8 a
13#
發表於 2010-1-20 15:17:48 | 只看該作者
知道了,,想想。。
( e* u( F. g6 F* G# J8 M+ L) c1 z6 B# [) k

  }$ X% G( d9 h5 t& ?- E) X8 k8 h4 m* S/ `- {+ s1 ~' F& \! K2 }& t
QQ?房器
$ b/ c% Z+ Y0 ?- y0 s
4 B# f3 \& D& x4 D李??狂英?365句复?机外星版
14#
發表於 2010-3-1 16:46:41 | 只看該作者
看大家討論的非常精彩  可是都看不到圖 @@
6 ?, a5 R2 Y. d8 j可以麻煩樓主再把圖重新貼上嗎 - W# k2 v- l3 i# C
還是是我自己or 系統的問題
4 p' ]; ^8 G9 ]( }謝謝
15#
發表於 2010-3-3 17:23:02 | 只看該作者
感謝分享了自己的體會見解$ ~& `4 x1 m! ^4 D9 i' [
只是沒有圖配合著看  看不怎麼懂
16#
發表於 2010-3-29 12:56:59 | 只看該作者
图好像全挂了 ...........
17#
發表於 2010-4-21 17:09:02 | 只看該作者
沒圖沒真相啦!!版大要不要修正一下阿
18#
發表於 2010-6-30 16:56:05 | 只看該作者
講的好亂我就不想看了~~嘿嘿嘿!!!
19#
發表於 2022-11-18 20:13:10 | 只看該作者
gyamwoo 發表於 2009-6-7 09:35 PM
* ?; u* o5 t, |我再重貼一遍
+ a, {5 N7 }% r7 i+ F1 W$ n6 R********************************************************************************** _: u/ a* i3 p/ W" S. W6 E
各 ...
# [+ G' x% V8 V& r# x
謝謝大大的圖文解說,受益良多2 W% }, w$ f9 d5 a6 [
20#
發表於 2022-11-30 12:32:49 | 只看該作者
請問為什麼E的match比C來得好啊?
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