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C方式在萃取RC時,共用S D的部份/ M( k @' f6 j4 {6 m
它會除二,平均分給兩顆各一半一半
) U, F- P' f! J3 x5 I- {且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小
% \3 w" H. N9 v3 j. o,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在
4 F3 {" @( ]% n7 J' `3 C+ g/ e7 y做速度較快的電路時,差異更明顯,
) r/ r1 ^+ b- _1 jE方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生6 H! z+ T/ F8 ^( |: n9 E) R
電容的萃取,都是單獨計算,會比較大
2 T) v/ J1 h3 r( @4 y P所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同
0 m4 K' U) }0 |" I4 C而變慢,
) t6 s8 f- e. y# o; { {0 A所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
3 F2 j* }' w2 D, q9 Kmatch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該
3 T1 }/ i% l! _* |* w! }. _- W. g$ ~比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是
( u$ g; H* H. R5 M6 [0 u問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確 |
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