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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.) ~. K4 j) Q% I% W
2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。
+ W3 {" ]( j& S
6 O% n) b6 C& D* u* H) lVeteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處
+ @0 H# M" i& q可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.: x5 Y9 V$ F! f) }+ o0 u
使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題
( n7 _5 p& K- ~( d4 O. {
& T1 _/ `, R: d6 n" WOPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有" }8 P4 Z! b0 {$ P4 ?- @* ]0 s
但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角 , }3 N  E7 ]% V! a+ r4 D
1.DRC 檢查軟體運算時間++1 v. U8 g3 F, c5 n# G! \
2.RC Extraction 不準 運算時間+++7 T( d. g* L8 h
3.P&R 時間 +++
5 \) r# |' ^6 S3 N/ C5 I8 z. }# ~  S- L4.最重要的原因 製程良率 ----$ E$ `" A; N" Q" k1 g

6 |( ]0 K; I( y" SCadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0
/ @" ~) `9 Z/ z# r當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多
* ?: w* b: Y( N, ^; m1 r所以 90度角 還是證明他的價值存在- ?: A3 N$ J2 E  y! G. `
" i# V7 x" o0 P% j
至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況: t+ E6 F+ @5 F. P# _+ O
而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下
- o4 f1 @$ Z: }( |* S6 ^% n1 p: c
" G/ S6 F0 N+ Z& U" u% k+ z/ n5 m得到以下結論
" M5 N- D6 X3 V7 F9 P
5 C8 ]4 I4 O9 L; F$ D: g目前的製程技術已經到哪邊了???6 }& }; W7 m, O, s0 K
你所需要的製程技術是否需要???- Q  [6 N# d: q% L+ m% Q" k
DESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用4 Y2 U" F; q: q+ f% G/ m

/ E  `" |4 V. m/ j7 P* v其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  
" n( x& U1 |) p0 O5 E0 t
8 c5 [! F, b. S; p/ V4 h+ K我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強( ^( d' y+ A% N( v: M

' x; v& y5 o9 O0 n7 R! D% d所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)6 ^3 c& T4 a$ p4 g+ X: E+ f4 t
# `! @! G. V& v& F
重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的
  i5 g. g+ c; y3 C! O3 M2 K
" e5 [$ j4 m1 r4 s6 n: H; r如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下* f4 N8 v: J6 }. J8 D! B
又學到好多事物( n" B& d7 A, H7 M# Z
第一次知道layout可以90度以外
$ T2 R  U# z  I, M7 r/ d* x謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦, M) O  \% U% j7 }0 o; E  {
我同學做SAR ADC因為速度慢
( C/ D6 \# n7 m4 k3 F- a! C繞線其實有接到就好了
3 j/ D/ C# ?/ s$ L/ [直角繞線或是metal太細幾乎影響不大
3 {" L5 I# m: Y& s5 o0 o7 k做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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