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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.
" V" }! q: A+ {. B8 U2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。
6 l- I( O1 Y3 K. R. e' {
5 C* c% A* k; @" ]9 C5 h5 YVeteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處+ {, r4 Z' B6 }
可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.
* p9 f# {: ~5 {使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題/ X3 ?4 {( f& i$ Z- J

2 ]3 y: d. L  u+ F  \OPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有: K7 U2 X% A& a; z9 v# m. g0 ]
但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角
5 w0 T) [0 k8 H) [$ A+ F1.DRC 檢查軟體運算時間++4 v1 T/ |4 D9 H  l& z$ J: r9 L, T
2.RC Extraction 不準 運算時間+++
, P9 \  |5 v3 E3.P&R 時間 +++
6 h) L' ~- T) f! w" d5 q( a7 |4.最重要的原因 製程良率 ----
5 r4 z$ Z, l4 @+ Q4 G5 r. ?. H+ ]. r3 u
Cadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0
  I8 H4 [9 S, \當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多! l+ {# }, j! ]+ u
所以 90度角 還是證明他的價值存在
/ P; [& z# Q& m/ ]4 n& S; d) Z' i5 k7 h, r0 \( A0 b
至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況
2 d& m& {( g/ v7 k: \! D+ m而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下7 ^* S$ D5 D2 ]: B. {

6 w# r, H1 U3 W  Q  c: k- \得到以下結論+ ?# _# _* X0 D- ^, e; {5 e
3 u" {. f2 \% O. G
目前的製程技術已經到哪邊了???0 |8 }' c  N* J: M5 _
你所需要的製程技術是否需要???  @4 `5 T$ q- I4 T+ V
DESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用4 D7 U8 ?: G3 I1 ?/ C

  X( \$ {; e/ T% e. ?- N# n3 J1 O其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  
7 |/ ~7 ]! i+ F7 d1 U
3 H3 B% @* y! q' p) P3 j我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強! P6 M/ k6 ]3 C, r4 J4 x1 e
5 o  ?+ Y- h5 ~7 J' }! {) \
所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)+ X, Z1 F' l9 N# F9 t2 k

( F/ J' B* }  r: c重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的
+ h+ q2 Z+ W2 Q* H1 n* E2 t& x$ \3 r' C* v8 S) c' I; ^
如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下
$ P+ b5 |  s) F: N+ X又學到好多事物
; `- Z& f" M9 A; R- J" x第一次知道layout可以90度以外
( |$ `7 l/ k+ I/ p謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦
- b+ W) A! k) S# c! l. l+ m我同學做SAR ADC因為速度慢8 |0 _/ j' i: E. S* |" j
繞線其實有接到就好了! G7 a* H. P3 l7 X* n* b
直角繞線或是metal太細幾乎影響不大. g- U" V: N  V2 W2 r( ~
做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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