PMOS，buck,source,drain接地，gate接正电位，电容？

Behzad

各位大大，我在参考以前的项目时，发现有用PMOS当作电容用，30um x30um，M=48。但是buck，source，drain接地，gate接高电位，挺让我费解的，要是NMOS倒是可以理解。请教过一些人，说这种会引起latch up的问题，而且形成不了电容。有达人帮我解答这个问题么，先谢谢啦。
1 v4 |1 k; ?% n( y3 t
: o; F& j, T( d, aPS：我用HSPICE run simulation，发现无论是NMOS和PMOS效果几乎一致。
; W0 q5 A: W; t3 |4 H9 Q$ S
[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-16 06:14 PM 編輯 ]

shaq

我想那是 Accumulation MOS(AMOS) 當 cap 用吧。
AMOS  就是 NMOS 作在 N-Well 中，電容值有較佳的線性度。
所以我想你大概是看到 MOS 外面圍的是 N-Well 就認為他是 PMOS 吧。  
0 Q' c6 m6 O; _* N# D% ?7 x/ ?+ j
: {7 I; l  C0 o% {7 w. f" ]6 l事實上他是 AMOS, NMOS in N-Well.

Behzad

谢谢您的回复，不过我有看过layout，是Nwell上面又有P+,不太像是NMOS，依然谢谢您！

alab307

如果你有學過MOS CV-Curve就知道
: P' [8 B7 _, p% F' x/ R3 K) l: P此PMOS工作在accumulation區域
一樣有電容
# e; {- @3 v( {+ M5 K
至於NW接地, 是有可能會Latch-up,
. V4 P4 `7 b% z  M5 H1 T+ I/ Q就小心一些, 也沒那麼容易啦
- T. w; M, @& h1 o
[ 本帖最後由 alab307 於 2009-4-17 06:59 PM 編輯 ]

qweri

c=k/Tox
' l. z- q7 V: w1 z! M3 n- I& [
9 p5 n0 s1 B: l( I4 M9 s* X用NMOS 或PMOS效果好像是一樣吧?
不知道為什麼特別選P來做?

Behzad

原帖由 alab307 於 2009-4-17 06:58 PM 發表
如果你有學過MOS CV-Curve就知道
此PMOS工作在accumulation區域
( P/ R1 z! l: [/ m9 x一樣有電容
, T- E6 k; ^% M' k1 ^( x5 Y
至於NW接地, 是有可能會Latch-up,
就小心一些, 也沒那麼容易啦

我对这个不太明白，就我看到的文献来说，A-MOS是NMOS in N-well，对于PMOS，bulk,source，drain已经是最低电位，gate下面会invert?如果不能invert，那么这个能当作电容用的么？我对这块不太清楚，请继续指教，谢谢。

Behzad

我想PMOS实现起来有点困难吧，因为gate下面好像不会形成channel啊？如果能形成channel自然一样，但是如果不能形成channel，我就有点担心。

chinwei

不知道PMOS這樣接作電容的話，會不會有什麼問題??
請各位賜教!!

PS. gate 接地，其餘的腳位接在一起，在接至某个正電壓。

qweri

同樣一個公式c=k/Tox
accumulation和inversion時的c值是一樣的  只有在depletion時較低
可以看書中有圖

所以如果給的電壓夠正，雖然沒辦法invert可是可以用他在acc時的電容

2 ?0 L/ j/ p  Y8 \9 w$ I: f" damos我不知道你說的是不是depletion mode的
9 {2 n; B0 u! s3 x) C8 e7 {$ `0 ~就是原本不加電壓時通道已經形成，加上正電壓把他deplet掉就是把他關掉
4 ~# P8 v. I) J; E& V& g5 ^* r我不知道這跟他的電容值有關嗎?
( u% t: y$ E* K$ O$ Q1 F  n  C基本上我猜只會把他的整個cv curve shift，猜是只有Vt的變動
7 B8 N3 l3 F' w2 q9 F6 ~+ w想不到什麼線性度問題，請問有書上有寫嗎，有寫原因嗎 謝謝

alab307

我再說一次
當PMOS  gate給高電壓, D/S/B接低電壓時候
NW是n-type, 可以提供負電荷, 在表面累積負電, 稱做accumulation
/ n) T$ O! H$ ]' n3 m0 z, I* }(如在NW累積正電, 稱做invertion)
0 Y6 B' p  c8 f5 |$ ~% S8 v
只要有兩個極板, 可以累積charge, 就可以形成電容

Behzad

感谢您的回复。至于AMOS，我是根据一篇paper来看的，他所说的AMOS是指NMOS in N-Well，不是指pmos了。我贴上这个paper吧，供参考。

[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-21 11:50 AM 編輯 ]

alab307

我第一次聽稱這個MOS為A-MOS,
' B3 c1 u' \! }1 q/ i不過沒差, 原理差不多
唯一有差的是A-MOS無法inversion,
# b) Y* ?, q( P, O9 x$ x所以偏壓在accumulation區域電容才比較大

PMOS則是偏壓在inversion or accumulation都可以有大電容

qweri

AMOS 一樣可分N跟P

不同的WELL只是調他的Vt而已
照你的說法
# F8 z% S  |0 Z7 C7 }- D6 r2 U: r7 t+ INMOS ON NWELL
PMOS ON PWELL就可以了
4 z# `2 K% h# s$ H
也不一定要改整個WELL調CHANNEL表面的DOPPING CONCENTRATION就行了

hvpower

NMOS作到N WELL 上面 我覺得
不就是一個多晶- 襯底電容吧？

renzhq

其实mos做电容的时候，电容稳定的区间比较大。这个可以从C_V曲线看出来的，NMOS电容随着栅压的增大会有一个区间逐渐变化，最终稳定。。。
Pmos电容的这个区间要比NMOS的小，但是如果PMOS的buck、s、d接上高电平的话会和NMOS接地的情况差不多。。。
( @  q9 [9 a4 y) P7 q4 a. m9 |  ^也可以把NMOS的栅接负压（好像不太常用。。。）这样会改善mos电容的线性度

liload

如果用NMOS来做没有双井 buck只能接地  pmos栅极接高电位 也可以让pmos处于强反型区

andrew_wee

15樓說得不錯，我現在就是在模擬nmos管和pmos管的C—V曲綫，尋找一個結合點，來提高Mos管的線性度。但是這個結合點真的不容易找啊，希望哪位高手能指點一二。

賴永諭

PMOS 作電容..不是Source Drain and buck 接高電位 ,gate接你要穩壓的點嗎 ???
" d! G" L+ B; [4 y0 @其它接法沒有做過ㄝ??????
thanks!!!

savage1394

pmos的gate接正电位，bulk、source、drain接地，这样pmos工作在积累区，电容几乎就是栅电容的全部，有什么觉得奇怪，从来就是这么用的啊。如果换nmos，反而效果会变差，因为当VGS=VT的时候，mos总电容会突然变得极小，电容值不稳定。
还有，为什么说pmos电容这么接回容易latch-up？我没看出来？谁能画个等效电路。相反，我觉得所谓了AMOS，就是nmos做在nwell里，我到觉得他出latch-up的可能性极大，对照书上的latch-up示意图，一画就能画出来。

hana84

can somebody explain how to latch up ？