PMOS，buck,source,drain接地，gate接正电位，电容？

Behzad

各位大大，我在参考以前的项目时，发现有用PMOS当作电容用，30um x30um，M=48。但是buck，source，drain接地，gate接高电位，挺让我费解的，要是NMOS倒是可以理解。请教过一些人，说这种会引起latch up的问题，而且形成不了电容。有达人帮我解答这个问题么，先谢谢啦。
  Y" f$ s* E1 C
4 N; V8 a' x/ X# H( F, lPS：我用HSPICE run simulation，发现无论是NMOS和PMOS效果几乎一致。

[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-16 06:14 PM 編輯 ]

shaq

我想那是 Accumulation MOS(AMOS) 當 cap 用吧。
% Z( m. O- q0 [  w% U; QAMOS  就是 NMOS 作在 N-Well 中，電容值有較佳的線性度。
# i1 s& h; m$ a% K0 p5 \6 _  n% @所以我想你大概是看到 MOS 外面圍的是 N-Well 就認為他是 PMOS 吧。  

: Z7 `# F' w3 @& C  {事實上他是 AMOS, NMOS in N-Well.

Behzad

谢谢您的回复，不过我有看过layout，是Nwell上面又有P+,不太像是NMOS，依然谢谢您！

alab307

如果你有學過MOS CV-Curve就知道
此PMOS工作在accumulation區域
, A3 l; Q  k; E$ R! }! C4 y一樣有電容
$ j/ f7 e% i9 S/ h
9 `* G) V. n/ Q% {3 o至於NW接地, 是有可能會Latch-up,
就小心一些, 也沒那麼容易啦
+ ~  ?! V( k9 `- e! D. r" y1 L
[ 本帖最後由 alab307 於 2009-4-17 06:59 PM 編輯 ]

qweri

c=k/Tox
. w: X2 ?6 u4 n) c5 N5 }" {1 |
用NMOS 或PMOS效果好像是一樣吧?
不知道為什麼特別選P來做?

Behzad

原帖由 alab307 於 2009-4-17 06:58 PM 發表
/ L3 R% }/ Z' N, J, y& x1 l0 f如果你有學過MOS CV-Curve就知道
此PMOS工作在accumulation區域
" c6 Y- L$ B* X一樣有電容
8 }% _' s/ O& z; X; Y+ R
至於NW接地, 是有可能會Latch-up,
7 P. D4 g' c3 p, E0 L0 r# i9 n就小心一些, 也沒那麼容易啦

/ i* G( i( K5 F% Q. D7 S我对这个不太明白，就我看到的文献来说，A-MOS是NMOS in N-well，对于PMOS，bulk,source，drain已经是最低电位，gate下面会invert?如果不能invert，那么这个能当作电容用的么？我对这块不太清楚，请继续指教，谢谢。

Behzad

我想PMOS实现起来有点困难吧，因为gate下面好像不会形成channel啊？如果能形成channel自然一样，但是如果不能形成channel，我就有点担心。

chinwei

不知道PMOS這樣接作電容的話，會不會有什麼問題??
請各位賜教!!
2 @% \7 c! b8 K6 J: m! J% F' C+ t
PS. gate 接地，其餘的腳位接在一起，在接至某个正電壓。

qweri

同樣一個公式c=k/Tox
9 o+ f' q, n* {3 j0 Y  o8 Jaccumulation和inversion時的c值是一樣的  只有在depletion時較低
3 v+ L: `% u: n8 l0 J. D可以看書中有圖
9 |1 h$ ?3 K: z1 P2 S, o
  u; c2 k1 _, b- s2 j+ i& K1 v所以如果給的電壓夠正，雖然沒辦法invert可是可以用他在acc時的電容

; d& Y  r: \/ F" A% P; V1 oamos我不知道你說的是不是depletion mode的
, l3 M3 c" r8 x  k3 x就是原本不加電壓時通道已經形成，加上正電壓把他deplet掉就是把他關掉
9 G' |" M7 l) P) ?我不知道這跟他的電容值有關嗎?
基本上我猜只會把他的整個cv curve shift，猜是只有Vt的變動
! I, D6 {8 F6 f2 T7 o想不到什麼線性度問題，請問有書上有寫嗎，有寫原因嗎 謝謝

alab307

我再說一次
當PMOS  gate給高電壓, D/S/B接低電壓時候
NW是n-type, 可以提供負電荷, 在表面累積負電, 稱做accumulation
(如在NW累積正電, 稱做invertion)
9 t4 a" Y2 A$ z9 b
" i3 O: q. C4 ?( G只要有兩個極板, 可以累積charge, 就可以形成電容

Behzad

感谢您的回复。至于AMOS，我是根据一篇paper来看的，他所说的AMOS是指NMOS in N-Well，不是指pmos了。我贴上这个paper吧，供参考。
& n  ], b# W# ^9 v( C; s; K
7 n7 }; w) l; ^* h3 T[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-21 11:50 AM 編輯 ]

alab307

我第一次聽稱這個MOS為A-MOS,
不過沒差, 原理差不多
唯一有差的是A-MOS無法inversion,
所以偏壓在accumulation區域電容才比較大
7 ^# V% P/ o1 D. c
PMOS則是偏壓在inversion or accumulation都可以有大電容

qweri

AMOS 一樣可分N跟P
+ }2 E4 |$ i; A
$ V! A" s+ |( x6 x3 {不同的WELL只是調他的Vt而已
$ d7 ~: \, C6 ?3 Q- U3 d6 X照你的說法
* d6 E& b1 p" ONMOS ON NWELL
PMOS ON PWELL就可以了

) `0 E5 n( @' g4 Z2 f- ~) m' h也不一定要改整個WELL調CHANNEL表面的DOPPING CONCENTRATION就行了

hvpower

NMOS作到N WELL 上面 我覺得
+ j6 x) u8 w6 @2 c2 @3 w% I0 ]' P8 S不就是一個多晶- 襯底電容吧？

renzhq

其实mos做电容的时候，电容稳定的区间比较大。这个可以从C_V曲线看出来的，NMOS电容随着栅压的增大会有一个区间逐渐变化，最终稳定。。。
2 b; {& V  p! L; t. IPmos电容的这个区间要比NMOS的小，但是如果PMOS的buck、s、d接上高电平的话会和NMOS接地的情况差不多。。。
2 R9 U2 h& L. ]8 a! d% R. u$ m! X也可以把NMOS的栅接负压（好像不太常用。。。）这样会改善mos电容的线性度

liload

如果用NMOS来做没有双井 buck只能接地  pmos栅极接高电位 也可以让pmos处于强反型区

andrew_wee

15樓說得不錯，我現在就是在模擬nmos管和pmos管的C—V曲綫，尋找一個結合點，來提高Mos管的線性度。但是這個結合點真的不容易找啊，希望哪位高手能指點一二。

賴永諭

PMOS 作電容..不是Source Drain and buck 接高電位 ,gate接你要穩壓的點嗎 ???
3 M6 k2 E1 p6 J. h: k其它接法沒有做過ㄝ??????
thanks!!!

savage1394

pmos的gate接正电位，bulk、source、drain接地，这样pmos工作在积累区，电容几乎就是栅电容的全部，有什么觉得奇怪，从来就是这么用的啊。如果换nmos，反而效果会变差，因为当VGS=VT的时候，mos总电容会突然变得极小，电容值不稳定。
还有，为什么说pmos电容这么接回容易latch-up？我没看出来？谁能画个等效电路。相反，我觉得所谓了AMOS，就是nmos做在nwell里，我到觉得他出latch-up的可能性极大，对照书上的latch-up示意图，一画就能画出来。

hana84

can somebody explain how to latch up ？