LC-VCO MOS選用問題

apiapia

想請問大家
* Z$ |1 w" X  Z8 g5 E2 W一般做LC tank VCO時  
4 `7 ^  [% T+ V通常大家偏好以NMOS為主  還是PMOS呢???

雖然PMOS擋雜訊 比NMOS好
) R- a$ f  @, C% J1 |8 f% l# b4 l想問phase noise真有改善很多嗎(假設都在同一條件下)
$ Q9 }, h: r9 ?; c% m
4 V3 {8 Q- G9 J想問有經驗的人
在各方面trade off  後  
" \9 ~- c3 Y* E! x6 q1 x0 ^8 x, X喜好PMOS  還是NMOS當主要架構??   (小弟最近在研究QVCO)
, S3 Z( b$ P- ~* ?4 D# E  C% h                                                   謝謝指教~  Orz

) t+ ^5 ^/ ~& N' R+ f1 v[ 本帖最後由 apiapia 於 2009-3-21 11:54 PM 編輯 ]

macrohan

为什么不用NMOS+PMOS交叉耦合的呢？

tom918273

你可以參考IEEE
A. Jerng and C. G. Sodini_The impact of device type and sizing on phase noise mechanisms的文章
; x+ I5 ?, D- y# E他有畫一張比較圖在1MHz時
Phase noise:NMOS(20um/0.18um) versus PMOS(60um/0:18um).
. Y3 L- L6 _( \5 `" U8 PNMOS：看起來約為-115dBc/Hz
) `( z* Y8 L4 y$ X( Q0 f7 @$ OPMos：看起來約為-120dBc/Hz 較好一點