spi 如何認到LDD MOS

腳踏

spi 裡面有LDD MOS
要如何描述
例如
4 q8 P/ P' C( h' e; B  e一般 的MOS
' d  k# {3 `* E% |M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1
! I5 }% F, i+ c. q# }2 \1 [3 ]
LDD MOS
" i, O& `: N+ N0 f6 S  h" ?! q4 }M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　後面這裡要寫那一些
* E" P$ `9 x; U6 Q6 t. g3 X
( A% v# N# t7 t& G才會讓ＬＶＳ時認到ＳＰＩ裡的ＬＤＤ　ＭＯＳ

qetuo852

不好意思...我想請問一下
" H( q4 ?  m0 Y: ~) J大大你是在問問題 還是 分享??
* W% E; N# k6 j; b( T
, a2 O# }7 `+ V: n% g% l假設 妳在問問題...妳不是已經把答案寫出來了??

一般 的MOS
$ b+ M$ ^( G1 M" DM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1
- X' o+ `% b( G9 W% ]* u$ ^* d
0 e% y$ p3 p  s2 {: a: H6 R3 _LDD MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　/ LDD MOS  後面這裡要寫那一些
' M, j# p/ y+ w) l2 k
還是...??
) y+ E, j( a) d7 \3 H
如有錯誤..請糾正一下~
- @/ k" C/ Q6 r  C- m/ E, s8 ]7 nㄧ起分享學習，希望有幫助到
& V0 K5 k0 L+ ^! c謝謝

腳踏

原帖由 qetuo852 於 2009-3-20 02:28 PM 發表
" Q5 m7 N/ S  f# K  I不好意思...我想請問一下
" U% x0 k. L1 \大大你是在問問題 還是 分享??

* b$ ?" U, \) G, ?2 C: T& G+ H假設 妳在問問題...妳不是已經把答案寫出來了??

2 J; c3 {5 s! d2 `" Y2 U一般 的MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1

LDD MOS
$ ~( S8 ?/ J6 x+ g; t$ rM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　/ LDD MOS  ...

這樣子的SPI在DRACULA執行LVS 不會認到LDD MOS 所以才會上來問

m851055

是否Dummy layer未繪製，道致未認出LDD MOS

skeepy

MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
) D% R" K1 j  z  W  _! u6 tLDDMOS是啥東東？DMOS倒是有用過。

m851055

一般 的MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1 -->PMOS
* H( B5 e0 [, b, l0 ?4 c
# F& U; b) {$ o1 F% W3 BLDD MOS
M1 xx xx xx xx LDD vdd vss m1=1

linger809

我們現在做MOS DEVICE一般都會做LDD，因為為了解決熱載流子傚應我們都需要做LDD，但是我們都ESD保護結搆的MOS DEVICE不做LDD，應為LDD  DEVICE會降低抗ESD的能力，在netlist里是體現不出LDD的，LDD是經過運算出來的，如我們的pwell一樣是運算齣來的。

wiwi111

原帖由 linger809 於 2009-3-23 09:35 PM 發表
: F8 f( S/ g! G, D  m+ L, v我們現在做MOS DEVICE一般都會做LDD，因為為了解決熱載流子傚應我們都需要做LDD，但是我們都ESD保護結搆的MOS DEVICE不做LDD，應為LDD  DEVICE會降低抗ESD的能力，在netlist里是體現不出LDD的，LDD是經過運算出來的， ...

你說的LDD 是防 bird peak 用的,就是 cross section P,N MOS
旁多出兩塊的地方,不是這問題.這是LDD MOS ok?
; l& i9 V' G1 ?: j( }這語法是對的:MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
NA 是 MOS type. 但你在宣告時(即GLOBAL)那須加 .LDD 宣告
/ l) W$ d1 Q5 ]' a. H4 V
+ o' _) s2 [% q- \/ j$ I[ 本帖最後由 wiwi111 於 2009-3-23 10:04 PM 編輯 ]

腳踏

原帖由 wiwi111 於 2009-3-23 09:58 PM 發表

, T( g3 A' G2 N9 ~" A: Z你說的LDD 是防 bird peak 用的,就是 cross section P,N MOS
旁多出兩塊的地方,不是這問題.這是LDD MOS ok?
這語法是對的:MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
NA 是 MOS type. 但你在宣告時(即GLO ...

% D* y! |4 b( C; c3 b
# F  G2 y, U! l* h7 r: F試一下在SPI裡加上宣告*.LDD
就可以認到LDDMOS
謝謝大大的幫忙

moneling

更正上一則的回覆~
剛剛去查了一下 使用者手冊,發現有錯~ 趕快來更正一下 ^^"
請版大~幫忙把上一則刪掉,謝謝啦 ^^
, Z( w! ]! k6 z" \: d
1. 需要在 spi 檔內加入  
*.LDD

  J0 r; `" k* O0 z! a' g* ]$ K2 需把 spi 檔內的元件的名字加入 $LDD( )
1 P8 T8 A8 ]1 ~1 j8 F7 Aex . M1 A B C D NMA $LDD(NMA) W=1u L=1u
; L( T+ W; i& n7 z5 _
3. lvs command file 裡也要做改變
以 calibre lvs 為例: lvs.cal 要把 DEVICE MN(NMA) 變成 DEVICE LDD(NMA)
0 r1 h+ n+ s9 b7 R% l* E  f
9 E- H# U- \, l: a# i. x$ B" WLVS SPICE CONDITIONAL LDD  YES
DEVICE LDD(NMA) asy_nmos ploy_mos(G) diff_S(S) diff_D(D) PW(B)

4.簡言之在 lvs 的LDD元件就是 MOS 的 Source/Drain 不能互換
  ==> 要注意在 DEVICE 裡定義的 S 和 D 的位置 --> diff_S(S) diff_D(D)
$ j- l) P% @+ K, }5 X' N  ==> 它不像一般的 MOS S/D 是可以互換的
! H/ j, Q6 x+ V8 A. x: V+ A  ==> 通常使用在非對稱 MOS
  在這邊的元件~也是製程上有LDD (Lightly Doped Drain) 的元件